TRUMPFこのウェブサイト自体とその機能を提供するにあたり、当社はクッキーを使用しています。当社がその他の目的でもクッキーを使用することを許可される場合は、こちらをクリックしてください。将来のマイクロチップを製造する際の基盤となるレーザーパルスを供給します。お問い合わせ先へデジタル時代の実現を可能にするEUVリソグラフィEUVリソグラフィは将来のマイクロチップの製造方法として、先頭を切っています。半導体業界は何年にもわたって、小型化が今後も進むシリコンウェーハ上構造の露光を可能にする、費用効率が高く量産に適した方法を探し求めてきました。得る技術を開発しました。この技術では真空チャンバー内で、液滴ジェネレータが錫の微小液滴を毎秒50,000個射出します。これらの液滴それぞれに50,000個のレーザーパルスの一つが当たることで、液滴がプラズマに変化します。それにより発生したEUV光を、露光の対象となるウェーハにミラーを使用して向けます。プラズマ放射用のレーザーパルスは、TRUMPFが開発したパルス対応型CO2レーザー装置であるTRUMPFレーザー増幅器から発せられます。数ワットから40キロワットへTRUMPFレーザー増幅器は、レーザーパルスを順次10,000倍以上に増幅します。高い効率とプロセス安全性プレパルスとメインパルスを放出することで、レーザー増幅器のフル出力を錫液滴に伝えることができます。高出力レーザーシステムの基礎は、連続波モードで稼働するCO2レーザーです。TRUMPFはこれにより、同技術の新しい用途を生み出したことになります。スペシャリストの大きなネットワークTRUMPF、ASMLとZEISSは長年にわたる密接な協力体制のもとで、EUV技術を産業界に適したレベルに引き上げました。レーザー増幅器の構成部品数。システムに取り回されているケーブルの長さ。数ワットの出力パルスを生成する2体のシードレーザーと、レーザー光線を成形してパルス長を最適にする多数のアクティブ/パッシブ光学コンポーネントから構成されています。Wのレベルに予め増幅されます。シードレーザーは保護機構により戻り反射光から最適に保護されているため、システム全体の安定性を決定的な程度にまで高めて、必要とされる一定のEUV出力を得ることができます。構成している出力上昇用の4体の共振器は、ビームガイドエレメントにより相互に接続されています。(ブロワー、RF励起、ガス混合比、ビームガイドなど)。ここでは、3種類の冷却回路によりシステムで必要な安定性が確保されます。短いパルスによりMW領域での極めて高いピーク出力が得られます。包括的なオンライン測定が、ビームの常時測定の基盤となります。レーザー光線を液滴チャンバー方向に最大30メートル移送します。基本的に、吸収と汚れを低く抑えるには、高い出力負荷がかかった状態でのシステムの機械的安定性と、ビームガイドの気密性の両方が決定的な役割を果たします。ミラーには特別なコーティングが施されているため、レーザー光の吸収が最低限に抑えられます。(ファイナルフォーカシングアセンブリー)FFAは2つの設備コンポーネント、すなわち光学プラットフォームとフォーカシングユニットから構成されています。理想的なプラズマ光を生成するには、レーザーパルスが錫液滴にほぼ完全に当たる必要があります。錫液滴はレーザー光線の直径より小さいため、光学プラットフォームでプレパルスとメインパルスに分離され、EUV生成が最適になるように成形されます。プレパルスが低めのパルス出力で錫液滴に当たることで、液滴が円盤状の物体に膨れ上がり、面積が拡大します。発生した液膜に後続のメインパルスが吸収されることで本来の目的であるプラズマが生み出され、そこからEUV光線が発せられます。この方法により、40キロワットのレーザー出力が効率的に活用され、露光用のプラズマ光生成におけるプロセス安全性が保証されます。フォーカシングユニットにより、錫液滴に対するレーザー光の最適な焦点合わせが実現します。基礎技術を提供しています。CO2レーザは、世界中の工場でカッティングと溶接を行っています。selectionApply。