increases,高エネルギーを発生できる装置を用いることが好ましい。パルスレーザー光を用いる場合には、加工速度はパルスの繰り返し周波数に比例して増加するので、装置としては高繰り返しのレーザー発振器を使用することが好ましい。device.【0021】レーザー光はビーム内のエネルギー分布が不均一であり、一般的にはこれが加工面の平滑さや精度を低下させる原因となり得る。available,これらの装置はビームのエネルギーを6割程度に減衰させるためエネルギー効率が低下する欠点がある。本発明のダイヤモンドの加工方法においては、レーザー光を円筒型レンズ又は円筒型ミラーにより線状に集光して照射すれば、特にエネルギーの均質化を行わなくても、ビーム内のエネルギー分布と無関係に平滑な加工面を得ることができる。mrad以下と小さくすることで、レンズによる集光性を高めることが可能となるので、加工面のシャープさ及び平滑さの点で有利である。nmの範囲とすることが好ましい。狭帯域化の方法としては、エタロンを使用する方法とインジェクションロック方式とがある。method,図2及び図3に示す装置により水素プラズマ中にてエキシマレーザーを照射することにより加工した。表面粗さRaが3μmであり、大きさが10mm角で厚さが350μmの板状のダイヤモンド1を支持台2に保持し、反応室となる石英管3内に支持した後、石英管3内に水素ガスを供給した。50Torr、及びマイクロ波の出力は500Wとした。34を通して水素のプラズマ8中でダイヤモンド1の表面に照射した。パルスの繰り返しは100Hzとした。Hz.【0026】レーザー光10は、反射ミラー12の角度及び円筒型レンズ13の位置をそれぞれ図3の矢印方向に連動して移動させることにより、ダイヤモンド1の表面に1mm/分の速度で4回走査させた。10mm幅100μmの線状に集光したレーザー光10でダイヤモンド1の10mmの左右長さ方向を加工しながら、1mm/分の速度でその直角方向に4回走査させることにより、ダイヤモンド1の表面を除去した。removed.【0027】加工後、ダイヤモンド1の厚さを測定したところ200μmになっており、その表面粗さRaは0.1μmに平滑化されていた。-1にダイヤモンド特有のシャープなピークが認められた。method,実施例1と同様の装置を用いて、酸素プラズマ中でエキシマレーザーを照射することにより加工した。表面粗さRaが5μmであり、大きさが25mm角で厚さが500μmの板状のダイヤモンドを石英管内に支持し、石英管内に供給した酸素ガスにマイクロ波を導入して酸素のプラズマを発生させた。この時、石英管内の圧力は50Torr、及びマイクロ波の出力は500Wとした。100μmの線状に集光して石英管内に導き、酸素のプラズマ中でダイヤモンドの表面に照射した。パルスの繰り返しは100Hzとした。1/分の速度で4回走査させた。0.3μmまで平滑化されていた。-1にダイヤモンド特有のシャープなピークが認められた。was.【0031】比較のため、表面粗さRaが4μmであり、大きさが25mm角で厚さが350μmの板状のダイヤモンドを、酸素ガスを吹き付けながらXeClエキシマレーザーを照射して加工した。レーザー光は図3の装置と同じマスク、反射ミラー及び円筒型レンズを用いて集光し、実施例1と同様に2mm/分の速度で4回走査させた。パルスの繰り返しは100Hzとした。Raは0.5μmであった。method,実施例1と同様の装置を用いて、Arプラズマ中でエキシマレーザーを照射することにより加工した。表面粗さRaが2.7μmであり、大きさが25mm角で厚さが350μmの板状のダイヤモンドを石英管内に支持し、石英管内に供給したArガスにマイクロ波を導入してArのプラズマを発生させた。micronsmの線状に集光して石英管内に導き、Arのプラズマ中でダイヤモンドの表面に照射した。パルスの繰り返しは100Hzとした。1/分の速度で4回走査させた。0.1μmまで平滑化されていた。-1にダイヤモンド特有のシャープなピークが認められた。method,実施例1と同様の装置を用いて、Arと5体積%の酸素の混合ガスのプラズマ中でエキシマレーザーを照射することにより加工した。表面粗さRaが3μmであり、大きさが10mm角で厚さが400μmの板状のダイヤモンドを石英管内に支持し、石英管内に供給した混合ガスにマイクロ波を導入してArと酸素の混合ガスプラズマを発生させた。50Torr、及びマイクロ波の出力は500Wとした。W.【0036】エキシマレーザーには308nmの発振波長を有するXeClエキシマレーザーを使用した。100μmの線状に集光して石英管内に導き、Arと酸素の混合ガスプラズマ中でダイヤモンドの表面に照射した。パルスの繰り返しは100Hzとした。レーザー光は、反射ミラーの角度及び円筒型レンズの位置を連動して移動させることにより、実施例1と同様にダイヤモンドの表面に2mm/分の速度で4回走査させた。0.2μmまで平滑化されていた。-1にダイヤモンド特有のシャープなピークが認められた。実施例5単結晶Ib型ダイヤモンドを、実施例1と同様の装置を用いて、Arと酸素の混合ガスプラズマ中でエキシマレーザーを照射することにより切断した。大きさが5mm角で厚さが1mmの単結晶Ib型ダイヤモンドを石英管内に支持し、石英管内にArと酸素の混合ガスを圧力50Torrにて供給し、出力500Wのマイクロ波を導入してプラズマを発生させた。plasma.【0039】エキシマレーザーには193nmの発振波長を有するArFエキシマレーザーを使用し、不安定共振器とインジェクションロック機構を備えることによりレーザー光の平行性を高め且つ発振波長を狭帯域化させた。1で幅10μmの線状に集光して石英管内に導き、Arと酸素の混合ガスプラズマ中でダイヤモンドの表面に照射した。パルスの繰り返しは100Hzとした。100Hz.【0040】この様にして、ダイヤモンド表面の法線方向に平行にレーザー光を約150秒間照射することにより、上記の単結晶Ib型ダイヤモンドを切断することができた。得られた切断面は非常に平滑であり、表面粗さRaは0.2μmであった。speed,高精度で平滑化された加工面を得ることができる。precision.【0042】従って、本発明のダイヤモンドの加工方法は、ダイヤモンドの高硬度及び比較的弱い耐酸化性のため、従来は加工が困難であったり又は加工コストが非常に高くなっていた分野に極めて有用である。DRAWINGS【図1】IIa型単結晶ダイヤモンドの吸収曲線である。diamond.【図2】本発明方法を実施するための装置の一具体例で、プラズマ発生装置を含む部分を示す概略の側面図である。generator.【図3】本発明方法を実施するための装置の一具体例で、レーザー光照射装置を含む部分を示す概略の側面図である。ダイヤモンドに光を照射して加工する方法において、雰囲気ガスのプラズマ中でダイヤモンドに波長が190〜360nmの光を照射することを特徴とするダイヤモンドの加工方法。水素又は不活性ガスのプラズマ中で光を照射し、平滑な加工面を得ることを特徴とする、請求項1に記載のダイヤモンドの加工方法。酸素のプラズマ中で光を照射し、高速でダイヤモンドを加工することを特徴とする、請求項1に記載のダイヤモンドの加工方法。不活性ガスと20体積%以下の酸素ガスとの混合ガスのプラズマ中で光を照射することを特徴とする、請求項1に記載のダイヤモンドの加工方法。