おける顕著な業績に対して贈られるものです。概要1990年代から普及し始めたスマートカードや携帯機器などでは、電源を切っても記憶が保持され(不揮発性)、低消費電力で高速かつ何回でも書き換えられるメモリが要求されていました。Memory)を、従来の半導体プロセスで製造する研究開発が行われましたが、実用化が困難でした。FRAMで使用する酸化物の強誘電体は、半導体プロセスにおいて発生する水素等によって還元され、その強誘電性が劣化するためでした。当社では、この強誘電体の劣化を抑える技術を開発することで、世界に先駆けてFRAMの量産化を実現しました。強誘電体キャパシタの特性に適合した書込み読出し回路技術も開発し、大容量化と低電圧化を可能にしました。現在、FRAMは、書換え回数、書換えスピード、低消費電力の特性を生かすことで、スマートカード、認証デバイス、電子タグなどに使用されています。(直通)お問い合わせフォームプレスリリースに記載された製品の価格、仕様、サービス内容などは発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。