[0001]【産業上の利用分野】本発明は、TVやコンピューターの画像表示端末として用いられるアクティブマトリクス型液晶ディスプレイのための薄膜トランジスター集積装置に関する。displayの略称)のための従来の薄膜トランジスター集積装置の一例について説明する。(a)−Bに示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。図13において、ゲートライン1,信号ライン2,蓄積容量部5,液晶7,TFT8,基板10,蓄積容量ライン14,透明画素電極15,対向電極16が主要構成要素である。透明画素電極15と対向電極16の間への電界印加を各画素に1つ以上設けたTFT8によりオン/オフし、液晶分子を再配列させてLCDとして機能する原理となっている。14を専用に設けているが、図14に示すように、隣接するゲートライン1との間に蓄積容量部5を設ける場合もあり、各々長所・短所がある。以上の例では、何れも電界は基板10に対して垂直に発生させるが、電界を基板10に対して水平面内に発生させる方式も考案され、この方式では、透明画素電極15が不要となり、コストダウンメリットも大きいため、注目を集めている。'92,広島,pp.547−550)。[0004]【発明が解決しようとする課題】上記の例で示すような従来のアクティブマトリクス型LCDでは、上下の基板ともに透明導電膜を必要とし、一般的なITO膜を使用した場合、透過率が約90%であり、2枚で81%になり光利用効率の低下をもたらす。スパッタリングによる成膜工程,フォトリソグラフによるパターニング工程を必要としコスト面と製造歩留まり面で大きなマイナス要因となっている。この方式のLCDでは、コントラストが一定値以上確保できる視野角が狭く、多階調表示した場合の階調反転も課題となっていた。水平面内に電界を発生させる方式の場合、透明導電膜を必要としないが、対向電極の引出し方法と蓄積容量の形成方法などの諸点で未知な事項が多く、高開口率を確保しつつ、高い表示品質を得るTFTアレイ構成を確立するという課題があった。quality.【0005】本発明は上記課題に鑑み、面内スイッチング型液晶表示装置に適応する薄膜トランジスター集積装置の構成をとり、広視野角化と、製造原価低減と、製造歩留まりの向上を図ることを目的とする。surface,液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置において、隣接するゲートライン間に対向電極ラインを有し、前記対向電極ラインをゲートラインと同一材料で同時にパターン化した構成をとるか、あるいは隣接するゲートラインを対向電極ラインとしても兼用する構成をとり、液晶への電界印加はトランジスターのソース・ドレイン側電極と前記ゲートレベルの対向電極ラインか、あるいはゲートレベルの対向電極ラインにコンタクトホールを介して直接電気的接触をとるか、容量結合させたソース・ドレインレベルの対向電極との間で行う構成をとることを特徴とする。coupling.【0007】また、隣接するゲートラインと隣接する信号ラインとで囲まれた1つの画素内で櫛形電極配置により、複数の副画素を構成し、前記櫛形電極の間隔が各副画素ごとに同一でない構成をとることを特徴とする。[0008]【作用】本発明によれば、従来、必要とされていた透明画素電極が不要となり、大きなコストダウンメリットが得られ、かつ薄膜トランジスター集積装置の構造も簡素化し、製造段階での不良を低減できる。molecules,光利用効率の増大とともに、表示品質が向上する。quality.【0009】さらに、本発明では、対向する透明導電膜で液晶を挟み込む従来法に比較して、液晶のC成分が約1/10、R成分が約10倍となるため、充電しやすく、かつ放電しにくく電荷保持特性に優れるため、電荷保持のための蓄積容量も最小限で済み、絵素開口率の向上に寄与する。各実施例の薄膜トランジスター集積装置について、図面を参照しながら順次説明する。(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。図1に示すゲートライン1,信号ライン2,ドレインライン3,対向電極ライン4,蓄積容量部5,蓄積容量6,液晶7,TFT8,ゲート絶縁膜9,基板10が主要構成要素である。これは対向電極ライン4をゲートレベルで構成したことが特徴となっている。3500Å成膜し、ゲートライン1と対向電極ライン4をパターン化する。次に、陽極酸化により、Al膜表面にAl酸化膜を形成する。xなどの多層膜を形成後パターン化してTFT8部を作製する。+層)形成後、Ti,Zr,Cr,Mo,W,Alなどから構成する導電性単層膜または多層膜を成膜後、ドレインライン3と信号ライン2をパターン化する。2.【0013】ゲートライン1,信号ライン2,対向電極ライン4は各々基板10内の画素の端から端までラインとして連続してつながっており、画素外で取り出し電極端子をパターン化している。1000Å)/Al(膜厚2μm)の2層膜を使用した。4はすべて12.5μmとし、ドレインライン3と対向電極ライン4の幅はすべて3μmとした。4とドレインライン3との交差部に設けた。x膜を2000Å被覆し、その保護膜上にポリイミド配向膜を塗布する。A-B方向に配列するホモジニアス構造となり、LCDとして機能する。LCD.【0015】ただし、この構造では図1の断面図(b)に示すように電極が交互に段違いになるため、電界が完全に面内に平行とはならない。ゲートレベルとソース・ドレインレベルでマスク合わせがわずかにずれる懸念もある。以上の点を改善したのが次の第2の実施例である。below.【0016】図2(a)は本発明の第2の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。4,蓄積容量部5,蓄積容量6,液晶7,TFT8,ゲート絶縁膜9,基板10,コンタクトホール11が主要構成要素である。これは、ソース・ドレインレベルの対向電極ライン4とゲートレベルの対向電極ライン4をゲートレベルの対向電極ライン4の上のゲート絶縁膜9に開口したコンタクトホール11を介して電気的に直接接続した構成をとり、各電極が平坦となっている。次に、陽極酸化により、Al膜表面にAl酸化膜を形成する。11の近傍は陽極酸化してない。xなどの多層膜を形成後パターン化してTFT8部を作製する。+層)形成後、ゲートレベルの対向電極ライン4上の絶縁膜にコンタクトホール11を開口する。4.【0019】次に、Ti,Zr,Cr,Mo,W,Alなどから構成する導電性単層膜または多層膜を成膜後、ドレインライン3,信号ライン2および対向電極ライン4をパターン化する。ゲートライン1,信号ライン2,対向電極ライン4は、各々基板内の画素の端から端までラインとして連続してつながっており、画素外で取り出し電極端子をパターン化している。(thickness1000Å)/Al(膜厚2μm)の2層膜を使用した。4はすべて12.5μmとし、ドレインライン3と対向電極ライン4の幅はすべて3μmとした。m.蓄積容量部5(図2(c)の蓄積容量6)は対向電極ライン4とドレインライン3との交差部に設けた。x膜を2000Å被覆し、その保護膜上にポリイミド配向膜を塗布する。A−B方向に配列するホモジニアス構造となり、LCDとして機能する。この構造では、図2(a)に示すコンタクトホール11を開口する工程が必須であり、陽極酸化工程のフォトマスクも画素部に精密なパターンを必要とする。componentの実施例である。invention.【0021】図3(a)は本発明の第3の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。4,蓄積容量部5,蓄積容量6,液晶7,TFT8,ゲート絶縁膜9,基板10,結合容量12が主要構成要素である。component.これは、ゲートレベルの対向電極ライン4とソース・ドレインレベルの対向電極ライン4との間にパターンの重畳部を一部設け、ゲート絶縁膜9を挟んで容量結合をとる構成とした。10,ゲートライン1とゲートレベルの対向電極ライン4をパターン化する。surface酸化膜を形成する。xなどの多層膜を形成後パターン化してTFT8部を作製する。+層)形成後、Ti,Zr,Cr,Mo,W,Alなどから構成する導電性単層膜または多層膜を成膜し、ドレインライン3,信号ライン2および対向電極ライン4をパターン化する。4.【0024】ゲートライン1,信号ライン2,対向電極ライン4は、各々基板内の画素の端から端までラインとして連続してつながっており、画素外で取り出し電極端子をパターン化している。1000Å)/Al(膜厚2μm)の2層膜を使用した。4はすべて12.5μmとし、ドレインライン3と対向電極ライン4の幅はすべて3μmとした。m.蓄積容量部5(図3(c)の蓄積容量6)は対向電極ライン4とドレインライン3との交差部に設けた。x膜を2000Å被覆し、その保護膜上にポリイミド配向膜を塗布する。A−B方向に配列するホモジニアス構造となり、LCDとして機能する。この構造では、容量成分による結合をとる構造としたため、液晶分子の動き出すしきい値が高電圧側にシフトし、必要な信号電圧も高めにシフトする。higher.【0026】そこで2本あるソース・ドレインレベルの対向電極ラインのうち、1本をコンタクトホールを介して直接結合し、他の1本は容量結合とし、しきい値特性をなだらかにして、LCDの視野角特性の改善をした例が次の第4の実施例である。below.【0027】図4(a)は本発明の第4の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。12,第2蓄積容量部13が主要構成要素である。two,1本をコンタクトホール11を介してゲートレベルの対向電極ライン4に直接結合し、他の1本は容量結合12とした。蓄積容量部5(図4(c)の蓄積容量6)は対向電極ライン4とドレインライン3との交差部に、第2蓄積容量部13(図4(c)の蓄積容量13′)は隣接するゲートラインとドレインラインとの交差部に設けた。lines.【0028】この構成により、しきい値電圧の低い副画素としきい値電圧の高い副画素から1画素が形成されるため、しきい値特性が急峻でなくなり、これによって視野角特性が向上した。第2蓄積容量部13を設けたため、電圧の保持特性がより向上し、フィードスルー電圧がより低減でき、フリッカーやクロストークのない良好な表示特性が得られた。obtained.【0029】図5(a)は本発明の第5の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。4,蓄積容量部5,蓄積容量6,液晶7,TFT8,ゲート絶縁膜9,基板10,コンタクトホール11が主要構成要素である。half)から1画素が構成される。)が異なるため、LCDの視野角特性が向上した。4はゲートレベルで構成したため、光利用効率に影響する開口率は、その分低下を余儀なくされる欠点がある。そこで、隣接するゲートラインを対向電極ラインとしても兼用する構成としたのが以下の実施例である。Examples.【0031】図6(a)は本発明の第6の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。4,蓄積容量部5,蓄積容量6,液晶7,TFT8,ゲート絶縁膜9,基板10が主要構成要素である。これは、対向電極ライン4をゲートレベルで構成したことが特徴となっている。10,ゲートライン1と対向電極ライン4をパターン化する。4.ただし、ゲートライン1と対向電極ライン4は本来連続的につながった同一パターンであり、便宜上、画素中でゲートラインから分岐して対向電極として機能する部分を対向電極ラインと呼んでいる。次に、陽極酸化により、Al膜表面にAl酸化膜を形成する。xなどの多層膜を形成後パターン化してTFT8部を作製する。+層)形成後、Ti,Zr,Cr,Mo,W,Alなどから構成する導電性単層膜または多層膜を成膜後、ドレインライン3と信号ライン2をパターン化する。2.【0034】ゲートライン1,信号ライン2は各々基板内の画素の端から端までラインとして連続してつながっており、画素外で取り出し電極端子をパターン化している。m)の2層膜を使用した。4はすべて12.5μmとし、ドレインラインと3対向電極ライン4の幅はすべて3μmとした。1とドレインライン3との交差部に設けた。x膜を2000Å被覆し、その保護膜上にポリイミド配向膜を塗布する。A-B方向に配列するホモジニアス構造となり、LCDとして機能する。LCD.【0036】ただし、この構造では図6(b)中の模式断面図に示すように電極が交互に段違いになるため、電界が完全に面内に平行とはならない。ゲートレベルとソース・ドレインレベルでマスク合わせがわずかにずれる懸念もある。以上の点を改善したのが次の第7の実施例である。below.【0037】図7(a)は本発明の第7の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。4,蓄積容量部5,蓄積容量6,液晶7,TFT8,ゲート絶縁膜9,基板10,コンタクトホール11が主要構成要素である。これは、ソースドレインレベルの対向電極ライン4と隣接するゲートライン1を、ゲートラインの上のゲート絶縁膜9に開口したコンタクトホール11を介して電気的に直接接続した構成をとり、各電極が平坦となっている。10,ゲートライン1をパターン化する。次に、陽極酸化により、Al膜表面にAl酸化膜を形成する。コンタクトホール11の近傍は陽極酸化してない。xなどの多層膜を形成後パターン化してTFT8部を作製する。+層)形成後、ゲートライン1上のゲート絶縁膜9にコンタクトホール11を開口する。1.【0040】次に、Ti,Zr,Cr,Mo,W,Alなどから構成する導電性単層膜または多層膜を成膜後、ドレインライン3,信号ライン2および対向電極ライン4をパターン化する。ゲートライン1,信号ライン2は、各々基板10内の画素の端から端までラインとして連続してつながっており、画素外で取り出し電極端子をパターン化している。本実施例では、Ti(膜厚1000Å)/Al(膜厚2μm)の2層膜を使用した。4はすべて12.5μmとし、ドレインライン3と対向電極ライン4の幅はすべて3μmとした。蓄積容量部5(図7(c)の蓄積容量6)はゲートライン1とドレインライン3との交差部に設けた。x膜を2000Å被覆し、その保護膜上にポリイミド配向膜を塗布する。液晶分子は電界オフの状態ではTFT基板側で図7(a)中A−B方向とは垂直の方向に配列しており、対向基板側ではA−B方向に配列する90度ねじれ構造であり、電界オンでは、液晶分子はすべてA−B方向に配列するホモジニアス構造となり、LCDとして機能する。hole11を開口する工程が必須であり、陽極酸化工程のフォトマスクも画素部に精密なパターンを必要とする。以上の点を改善し、コンタクトホールをなくし、容量成分による結合をとる構造としたのが次の第8の実施例である。following.【0043】図8(a)は本発明の第8の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。4,蓄積容量部5,蓄積容量6,液晶7,TFT8,ゲート絶縁膜9,基板10,結合容量12が主要構成要素である。component.これは隣接するゲートライン1とソース・ドレインレベルの対向電極ライン4との間にパターンの重畳部を一部設け、ゲート絶縁膜9を挟んで容量結合をとる構成とした。9.【0044】次に、本薄膜トランジスター集積装置の製造方法を説明すると、基板10上にAl膜を膜厚3500Å成膜し、蓄積容量部5(図8(c)の蓄積容量6)はゲートライン1とドレインライン3との交差部に設けた。この構造では、容量成分による結合をとる構造としたため、液晶分子の動き出すしきい値が高電圧側にシフトし、必要な信号電圧も高めにシフトする。higher.【0045】そこで2本あるソース・ドレインレベルの対向電極ライン4のうち、1本をコンタクトホール11を介して直接結合し、他の1本は容量結合とし、しきい値特性をなだらかにして、LCDの視野角特性の改善をした例が次の第9の実施例である。follows.【0046】図9(a)は本発明の第9の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。4,蓄積容量部5,液晶7,TFT8,ゲート絶縁膜9,基板10,コンタクトホール11,結合容量12が主要構成要素である。これは2本あるソース・ドレインレベルの対向電極ライン4のうち、1本をコンタクトホール11を介して隣接するゲートライン1に直接結合し、他の1本は容量結合とした。蓄積容量部5(図9(c)の蓄積容量6)は隣接するゲートライン1とドレインライン3との交差部に設けた。portion)から1画素が形成されるため、しきい値特性が急峻でなくなり、これによって視野角特性が向上した。this.【0047】図10(a)は本発明の第10の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中A−Bで示す線での断面模式図、(c)その電気的等価回路である。図10に示すゲートライン1,信号ライン2,ドレインライン3,蓄積容量部5,蓄積容量6,液晶7,TFT8,ゲート絶縁膜9,基板10,コンタクトホール11が主要構成要素である。level(図中左半分)とソース・ドレインレベルの対向電極ライン4を配置する副画素(図中右半分)から1画素が構成される。)が異なるため、LCDの視野角特性が向上した。=12.5μm)としたが、各々独立した値にし、各副画素で異なるしきい値特性を持たせ、LCDの視野角向上を図ることができる。LCD.【0049】さらに、以上のすべての実施例では、画素の端から、ドレインライン/対向電極ライン/ドレインライン/対向電極ライン/ドレインラインという並びであるが、この逆順で、対向電極ライン/ドレインライン/対向電極ライン/ドレインライン/対向電極ラインという逆の並びでもよいことは明かである。(b)および図12(a),(b)にその各第11,第12の実施例を示す。12(a)中A−B方向とは垂直の方向に配列しており、対向基板側ではA−B方向に配列する90度ねじれ構造であり、電界オンでは、液晶分子はすべてA−B方向に配列するホモジニアス構造となり、LCDとして機能する。LCD.しかし、これとは逆に、液晶分子は電界オフの状態ではすべて図1(a)〜図12(a)中A−B方向とは垂直の方向にホモジニアス配列しており、電界オンでは、TFT基板側ではA−B方向に配列し、対向基板側では電界の作用が小さいため、依然としてA−B方向とは垂直の方向のままとして、90度ねじれ配置とすることも可能である。performing.【0052】これにより、視野角が広く、表示品質の高いアクティブマトリクス型LCDを実現できる。LCD.【0053】また、上記の実施例では、基板に水平な方向に電界を発生させる電極は片側の基板(TFT基板)上にすべて存在し、もう一方の基板には電極はないという構成をとったが、実際には電極の片側を対面基板側に移動させた構成をとっても、同様の効果が期待できることは明らかである。2本,3本と4本など)をとっても、同様の効果が期待できることは明かである。coupled【0056】以上の構成をとることは、LCDのコントラストの視野角依存性に対して効果があり、広視野角のLCDが実現する。透明導電膜が不要であるため、製膜工程とパターニング工程が簡素化し、製造原価の低減と高い製造歩留まりが得られる。隣接するゲートラインを対向電極ラインとして兼用する構成では、高い開口率が実現するという効果が得られる。substrate,電界の遠達効果が得られる。obtained.【0058】さらに、ゲートレベルの対向電極ラインとソース・ドレインレベルの対向電極を容量結合する構成では、コンタクトホールの形成が不要という工程短縮の効果がある。しきい値特性が異なるため、合成効果によりLCDの視野角が向上する、あるいは、多階調表示を行うときの階調反転現象が抑制できるという効果が得られる。DRAWINGS【図1】本発明の第1の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(c).【図2】本発明の第2の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(c).【図3】本発明の第3の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(c).【図4】本発明の第4の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(c).【図5】本発明の第5の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(c).【図6】本発明の第6の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(c).【図7】本発明の第7の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(c).【図8】本発明の第8の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(c).【図9】本発明の第9の実施例の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(a)のA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。(c).【図13】従来の薄膜トランジスター集積装置の1画素部の構造を示す平面模式図(a)と、そのA−Bで示す線での断面模式図(b)と、その電気的等価回路図(c)である。diagram(c)である。基板上に配置した電極間に電圧を印加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置において、隣接するゲートライン間に対向電極ラインを有し、前記対向電極ラインを前記ゲートラインと同一材料で同時にパターン化した構成を有し、液晶への電界印加はトランジスターのソース・ドレイン側電極と前記ゲートレベルの対向電極ラインとで行うことを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。基板上に配置した電極間に電圧を印加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置において、隣接するゲートライン間に対向電極ラインを有し、前記対向電極ラインを前記ゲートラインと同一材料で同時にパターン化した構成を有し、対向電極としてはトランジスターのソース・ドレイン電極と同一材料で同時にパターン化した構成を有し、前記対向電極ラインの絶縁膜上に開口したコンタクトホールを介して、前記ソース・ドレインレベルの対向電極と前記ゲートレベルの対向電極ラインの電気的接続をとることを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。基板上に配置した電極間に電圧を印加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置において、隣接するゲートライン間に対向電極ラインを有し、前記対向電極ラインを前記ゲートラインと同一材料で同時にパターン化した構成を有し、対向電極としてはトランジスターのソース・ドレイン電極と同一材料で同時にパターン化した構成を有し、前記対向電極ラインの絶縁膜上に前記ソース・ドレインレベルの対向電極のパターンが一部形成され、前記ゲートレベルの対向電極ラインとの間に容量成分による接続をとることを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。記ソース・ドレインレベルの対向電極と前記ゲートレベルの対向電極ラインの電気的接続をとることを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。sourceドレインレベルの対向電極と前記ゲートレベルの対向電極ラインの電気的接続をとり、前記対向電極のうち一部はゲートラインと同レベルで構成することを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。基板上に配置した電極間に電圧を印加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置において、隣接するゲートラインに対向電極ラインとしての役割も持たせ、液晶への電界印加はトランジスターのソース・ドレイン側電極と前記ゲートレベルの対向電極ラインとで行う構成を有することを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。基板上に配置した電極間に電圧を印加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置において、隣接するゲートラインに対向電極ラインとしての役割も持たせ、対向電極としてはトランジスターのソース・ドレイン電極と同一材料で同時にパターン化した構成を有し、前記隣接するゲートラインの絶縁膜上に開口したコンタクトホールを介して、前記ソース・ドレインレベルの対向電極と前記隣接するゲートラインの電気的接続をとることを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。基板上に配置した電極間に電圧を印加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置において、隣接するゲートラインに対向電極ラインとしての役割も持たせ、対向電極としてはトランジスターのソース・ドレイン電極と同一材料で同時にパターン化した構成を有し、前記隣接するゲートラインの絶縁膜上に前記ソース・ドレインレベルの対向電極のパターンが一部形成され、前記隣接するゲートラインとの間に容量成分による接続をとることを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。とることを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。うち一部は隣接するゲートラインと同一レベルで構成することを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。基板上に配置した電極間に電圧を印加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置において、隣接するゲートラインと隣接する信号ラインとで囲まれた1つの画素内で櫛形電極配置により、複数の副画素を構成し、前記櫛形電極の間隔が各副画素ごとに同一でない構成を有することを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。容量を構成することを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。