Vgl栅电极的关断电压,C1。liquid晶电容,Cgs为寄生电容,Cs为存储电容。TFT-IXD的产品质量。栅电极位于TFT沟道区域的上方。提高了电接触,提高了良品率。为图1中Al-Al向的剖面图,图3为图1中Bl-Bl向的剖面图。形成在像素区域内,并位于像素电极13之上。图5为图4中A2-A2向的剖面图。PH3、H2的混合气体。本次构图工艺后,遮光金属层2、第一绝缘层3、半导体层4和掺杂半导体层5依次形成在基板1上,半导体层4和掺杂半导体层5组成有源层,如图4和图5所示。A3-A3向的剖面图。3000A源漏金属薄膜22,如图7所示。A3-A3向的剖面图。A、未曝光区域B和半曝光区域C。A3-A3向的剖面图。4暴露出来,如图9所示。A3-A3向的剖面图。