Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールにおける、平均およびピーク時のジャンクション(接合部)温度を計算する方法を解説します。Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールにおける、平均およびピーク時のジャンクション(接合部)温度を計算する方法を解説します。PDFではなく、Webで閲覧する場合は、こちらをクリックしてください。IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化1つのダイで構成される半導体デバイスのジャンクション(接合部)温度の計算方法はよく知られています。ダイの電力損失を測定し、ダイとパッケージ間の熱抵抗を掛けて、ケースから接合部への温度上昇を計算すれば求められます。IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールの場合はどうすれば良いでしょう。ここでは、IGBTとダイオードの熱抵抗を用いた平均およびピーク時のジャンクション温度を計算する方法を解説します。設定を有効にする必要があります。関連記事IGBTの耐久性の定量化IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は絶対に破壊されないわけではなく、適切な対策を実施しない場合は寿命が縮まる可能性があります。IGBTの実際の耐久性を正確に評価し、デバイスの信頼性がどの点でも低下しないことを保証するための対策があります。ここではその対策について紹介します。低電力/中電力の電源システムに向けたパルス幅変調(PWM)器とハイサイド・スイッチのインターフェース回路を紹介する。FETを2つ使えば、大電力用途に対応することも可能だ。中でも、地味な存在と思われがちなパワー半導体。「パワー半導体って聞いたことはあるけど、よく分からない」という方も多いはず。実は世の中の省エネ化の鍵を握る重要なデバイスです。パワー半導体の役割や働き、その種類などパワー半導体の「基礎の基礎」を紹介します。電圧レギュレーター回路に使われるPWM(パルス幅変調)コントローラーICに搭載されるパワーグッド信号出力機能とイネーブル制御機能を利用してラッチ・オフ機能を低コストで追加する回路を紹介する。転職で「嫁ブロック」発動。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。