RFパワートランジスタ技術を発表しました。この超高電圧LDMOSプロセスは、「MRFXシリーズ」という新世代製品の開発を促進します。RFがさまざまな産業用アプリケーションで普及する中で、NXPはRFパワーの設計サイクルを短縮する技術を提供しています。高電圧化は高出力を可能にし、統合するトランジスタ数の低減とともに、パワーアンプの簡素化とサイズ低減を実現します。高電圧化により、適切な出力インピーダンスを維持しながら出力電力を増加できます。これにより、特に広帯域アプリケーションで50Ωへのマッチングを簡素化します。マッチング検討時間の削減により、開発期間を大幅に短縮します。LDMOSトランジスタとのピン互換性も確保でき、RF設計の際に既存のプリント基板(PCB)設計の再利用が可能になり、製品開発期間を短縮できます。高電圧化によりシステムの電流を低減し、DC電源上のストレス軽減と磁気放射の低減を実現します。LDMOS技術は降伏電圧が182Vで、これにより信頼性が向上し、効率的な基本設計が可能になります。MRFXシリーズの初の製品は、業界で最もパワフルなクラスの連続波(CW)RFトランジスタであるMRFX1K80です。1MHzから470MHzのアプリケーション向けに65V時に1800WのCWを提供し、65:1の電圧定在波比(VSWR)への対応が可能です。Pielは「私たちの1250W、1500W、新しい1800Wトランジスタ間のドロップイン互換性により、お客様は複数の最終製品向けに単一のスケーラブルなプラットフォームを開発できるようになります」と述べ、さらに「私たちは今回発表した新世代技術により、お客様の性能と堅牢性の高い製品の迅速な提供を支援します」と語りました。(MRI)、皮膚治療、ジアテルミー(高周波治療)のほか、粒子加速器や科学機器などの産業、科学、医療(ISM)機器をターゲットとしています。無線やVHF(超短波)テレビ放送トランスミッタにも使用できます。ソリッド・ステート技術が実現する制御レベル向上のメリットを享受できるようになります。供給と開発サポートエアキャビティ・セラミック・パッケージを採用したMRFX1K80Hトランジスタは現在サンプル出荷中で、量産開始は2017年8月の予定です。27MHzと87.5MHz~108MHzのアプリケーション向けのリファレンス回路を提供しています。NXPは数か月以内にオーバーモールド・プラスチック版のMRFX1K80Nの提供を開始します。MRFX1K80Nは熱抵抗を30パーセント低減し、信頼性と使いやすさを向上します。価格や詳細については、NXPの営業所または正規販売代理店にお問い合わせください。詳細についてはwww.nxp.com/65Vとこちらをご覧ください。Semiconductorsは、よりスマートな世界を実現するセキュア・コネクションとセキュア・インフラを可能にし、人々の生活をより便利に、より良く、より安全にするソリューションを推進しています。組み込みアプリケーション向けのセキュアなコネクティビティ・ソリューションで世界をリードするNXPは、セキュアなコネクテッド・ビークル、エンド・ツー・エンドのセキュリティ/プライバシー、スマートなコネクテッド・ソリューションの市場における技術革新をけん引しています。60年以上にわたって蓄積した経験と技術を活かし、NXPでは世界33か国強で3万1,000名の従業員が活動しています。2016年の売上高は95億米ドルでした。詳細はWebサイトhttp://www.nxp.com/jp/(日本語)をご覧ください。Semiconductorsが開発および製造する車載、認証、インフラ/産業機器、コンシューマ向けのハイパフォーマンス・ミックスドシグナル製品やプロセッシング・ソリューション、高出力RF製品などを日本市場に提供しています。本社は東京都渋谷区で、大阪および名古屋に営業所があります。他の製品名、サービス名は、それぞれの所有者の商標です。