cm2で、電子をレーザービームの中央のキュリー温度より十分に上げることができる。cm2あたり1Tの磁気光学感受性で)、2μmレーザービームサイズで単一パルスに対してAOSは発生しない。20μmサイズの単一レーザーパルスの場合、レーザービームのエッジが決定論的に切り替えられる間、ビーム中心が減磁される。2に低下すると、エッジフリップ現象は依然としてビーム端付近で発生するが、弱くなる。2のオーダに減少した場合、レーザー照射領域内で明白なAOSは観察されない。2の場合、複数のパルスで照射した場合でもエッジフリップ現象が発生する可能性がある。プロット領域の辺の長さはすべて15μmである。本研究では、現実的な実験条件を考慮して、単一レーザーパルス下での強磁性材料の超高速決定論的AOSプロセスを数値的に研究する。我々は単一レーザーパルスのヘリシティに対するAOSの依存性と、光熱および光磁気結合によって誘導される磁場の長時間の存在と役割を確認した。誘導磁束密度)に基づいて、反転プロセスの時間シーケンスを検討する。我々が知っている限りでは、誘発された磁場(大きさと持続時間を含む)を完全に解釈するための最初の試みである完全結合モデルを提供した。結果は、単一レーザーパルスの下での強磁性AOSの可能性を予測する。我々はまた、レーザーフルエンスを変化させることによってAOSプロセスを研究し、フェリ磁性実験と同様のレーザーフルエンスのAOS閾値を再現した。レーザーフルエンスとビーム径の長時間誘起磁場への影響を系統的に調べた。光磁気感受性の影響も議論されている。これらの結果に基づいて、長時間誘導磁場の解析的形態に基づいてAOS過程を予測するスカラーモデルを提供した。強磁性材料では、AOSは、複数のパルスを用いてCoPt多層膜で実証された。多重パルスAOSおよびエッジ優位フリップ現象も、我々のモデルを用いてシミュレートされている。実験的に観察された現象をうまく再現した。我々の結果は、単一パルスAOSを示すのに適した材料を見つけるのに役立つかもしれない。一般的に物理的な画像を提供するために、電子の熱容量以外の熱的および光学的特性の温度依存性も無視する。物理的起源は依然として不明であり、我々は他の実験的および理論的研究によって示唆された範囲の経験的価値を用いたことに言及する価値もある。要約すると、我々は強磁性AOSプロセスを数値的に再現し、物理的な洞察力を追加したが、これは実験的研究によって便利に利用できない。本発明者らは、延長された誘導磁場の存在および機構を確認した。我々の知見は、より良いAOS材料を構築し、実験パラメータを調整することによって、AOSの性能を最適化するのに役立つことができる。高い導電率を有する磁性材料は、誘起されたB磁場をさらに延ばすのに役立ち、したがって決定論的スイッチングを助ける。viewsヘッドライトの変遷。views米陸軍、40年ぶりの新型戦車構想。