前記の1~n回の光照射工程のうちk回目の光照射工程(Sk)の光照射条件下で前記重合性化合物を0.3質量%含有する液晶組成物に対して5分間光を照射した後の前記重合性化合物の濃度(Ck)と、0.3質量%との濃度差の単位分あたりの濃度変化量Vkが、式(1)で工程毎に表される場合、式(2)で表される全光照射工程(ΣSk)における前記重合性化合物の平均反応速度Vaveを0.030~0.048(質量%/分)に制御することを特徴とする、液晶表示素子の製造方法を提供する。