[0001]【産業上の利用分野】本発明は、偏光板の一主表面上に透明導電膜を設けることで前記偏光板に導電性を付与したタイプの導電性偏光板に係り、特に、液晶セルの材料として好適な導電性偏光板に関する。(以下、LCDと略記する)は軽量化、薄型化が可能であり、駆動電圧も低いことから、パ−ソナルコンピュータやワードプロセッサ等のOA機器へ活発に導入されている。このLCDの表示パネルの多くは、所定の液晶セルと偏光板とを組み合わせることで作製されている。)を片面に設けた2枚の透明基板の間に液晶を封入することで液晶セルを形成し、この液晶セルにおける光入射面の外側および光出射面の外側にそれぞれ偏光板(ニュートラル偏光板)を配設することで表示パネルが構成されている。スーパーツイスティッドネマティック(STN)液晶を用いた表示パネルでは、液晶セルにおける光出射面の外側には光学補償板(1層の液晶パネルまたは位相差フィルム)を介して偏光板(ニュートラル偏光板)を配設する。the.【0004】また、多くのカラーLCDでは、上記白黒表示用の表示パネルにおいて液晶セルを構成する一方の透明基板の所定位置にカラーフィルターを配設することで、あるいは、上記白黒表示用の表示パネルにおいて液晶セルの光出射面の外側に配設する偏光板としてカラー偏光板(モノカラー偏光板,バイカラー偏光板,またはマルチカラー偏光板)を用いることで表示パネルが構成されている。in.【0005】なお、液晶セルの内部構成は、使用する液晶の種類(ネマティック(TN)液晶,スーパーツイスティッドネマティック(STN)液晶,強誘電性液晶等)や液晶の駆動方式(単純マトリックス方式,アクティブマトリックス方式等)、白黒表示であるかカラー表示であるか等に応じて異なり、現在までに種々の構成の液晶セルが開発されている。etc.)を片面に設けたガラス基板が従来より多用されているが、LCDの軽量化をより一層進めるため、ガラス基板に代えて透明樹脂基板を用いる試みが古くからなされている。substrate)の間に液晶を封入することで作製した表示パネルが開示されている。between.【0007】また、LCDのさらなる軽量化、コスト削減、あるいは高性能化を図るため、偏光板を液晶セル構成用の透明基板として兼用する試みも古くからなされており、そのための材料として、偏光板の一主表面上に透明導電膜を設けることで前記偏光板に導電性を付与したタイプの導電性偏光板が開発されている。このような導電性偏光板としては、偏光子(前記の偏光板に相当)の表面に直接または表面保護層を介して酸化インジウムと酸化スズとからなる透明導電膜(ITO膜)を設けてなる偏光板(前記の導電性偏光板に相当)が知られている(特開昭57−24904号公報参照)。偏光板は耐熱性が比較的低く、概ね80°C以上に加熱されると変形や偏光度の低下が起こる。plateDを得ることは困難であった。低基板温度下で膜厚の厚いITO膜を成膜することで、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく低電気抵抗の導電性偏光板を得ることも可能であるが、この場合には光透過率の低下をまねく他、得られる導電性偏光板の可撓性が低下することから故意または不可避的に当該導電性偏光板を曲げた時にITO膜に断線が生じる危険性が高くなる。Become.【0010】本発明の目的は、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく導電性および可撓性が良好なものを製造することが容易な導電性偏光板と、その製造方法を提供することにある。/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の非晶質薄膜であることを特徴とするものである。0.9.【0012】また、上記の目的を達成する本発明の導電性偏光板の製造方法は、偏光板の一主表面上に所定のアンダーコート層を設けた後、このアンダーコート層上に、主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内である非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により設けることを特徴とするものである。using.【0013】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の導電性偏光板について説明すると、この導電性偏光板は、上述したように偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜とを備えている。ここで、偏光板としては既に種々の偏光板が開発されており、上記の偏光板としてどのようなものを用いるかは目的とする導電性偏光板の用途等に応じて適宜選択可能である。plate.【0014】前記のニュートラル偏光板は、偏光素子としてヨウ素、二色性色素等を用いた偏光板である。このニュートラル偏光板は、例えば、一軸延伸ポリビニルアルコール(以下、PVAと略記する)等を偏光基体として用い、この偏光基体に前記の偏光素子を拡散吸着させることで当該偏光素子を配列させた後、あるは偏光基体の材料と偏光素子との混合物を一軸延伸することで偏光素子を配列させた後、このものの両面に所定の基板(ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリーレンエステル樹脂、トリアセチルセルロース樹脂等のフィルム)を接着剤で貼り合わせることで得られる。adhesive.【0015】また、前記のモノカラー偏光板は、偏光素子として所望色(赤色系、緑色系,青色系等)の染料もしくは色素の1種または複数種(混色)を用いた偏光板である。このモノカラー偏光板は、使用する偏光素子の種類が異なる点を除けば上記のニュートラル偏光板と同様にして得られる。90°ずらして貼り合わせたものである。bonding.【0016】前記のマルチカラー偏光板は、複数色(例えば赤、緑および青)の染料または色素を任意のパターンで偏光基体に吸着させたものである。このマルチカラー偏光板は、例えば、1枚の基板の表面に偏光基体を貼り合わせ、スクリーン印刷法や写真製版法等により前記偏光基体に任意のパターンで複数色の染料または色素を吸着させた後、この偏光基体(染料または色素を吸着させた後のもの)の上にもう1枚の基板を貼り合わせることで得られる。pigment).【0017】そして、前記の楕円偏光板は偏光板に位相差板を組み合わせたものである。(iodine)が配列された偏光基体を挟持する2枚の基板のうちの一方を染色、ドープ、コーティング、印刷等の方法によりカラー化することで得たものを用いてもよい。このような膜を有する偏光板は既に開発されている。どのような付加的膜を有する偏光板を用いるかは、目的とする導電性偏光板の用途等に応じて適宜選択される。purpose.【0019】本発明の導電性偏光板は、上述した偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜とを備えている。前記のアンダーコート層は、偏光板と酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜との密着性を向上させるためのものである。like〜3000nmの膜が挙げられる。550.9の範囲内の非晶質薄膜である。Inの原子比In/(In+Zn)を0.55〜0.9の範囲内に限定する理由は、この範囲から外れると膜の導電性が低くなるからである。0.9,より好ましい範囲は0.80〜0.9、特に好ましい範囲は0.82〜0.9である。/(In+Zn)を0.82〜0.9の範囲内とした場合には、耐熱性および耐湿熱性に優れた薄膜が得やすい。film,カチオン元素として実質的にInおよびZnのみを含有するものであってもよいし、他のカチオン元素として価数が正3〜5価の第3元素を1種または複数種含有するものであってもよい。elementn、Al、Sb、Ga、Ge等が挙げられるが、導電性が高いという点でSnを含有するものが特に好ましい。3元素)/(In+Zn+全第3元素)が0.2以下となる量であることが好ましい。第3元素の総量の原子比が0.2を超えると、イオンの散乱により導電性が低くなる。0.080以下である。組成が同じであっても結晶化したものは非晶質のものより導電性に劣るので、本発明の導電性偏光板を構成する酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は非晶質のものに限定される。ここで、前記「非晶質」とは、X線回折による測定の結果非晶質と認められるものを意味する。diffraction.【0022】上述の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の膜厚は、目的とする導電性偏光板の用途等に応じて適宜選択可能であるが、概ね3nm〜3000nmの範囲内である。3nm未満では導電性が不十分となり易い。3000nmを超えると光透過性が低下したり、導電性偏光板の製造後において故意または不可避的に当該導電性偏光板を変形させたときに酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜にクラック等が生じやすくなる。5~1000nmであり、特に好ましい膜厚は10〜800nmである。nm.【0023】前述した偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた上記の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜とを備えた本発明の導電性偏光板は、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の導電性および光透過性が良好であることから、当該酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の膜厚を所定値とすることにより、導電性および光透過性が良好なものを容易に得ることができる。酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は、非晶質であることから、クラック等を発生させることなく曲げることが例えば結晶質のITO膜よりも容易である。cracks.したがって本発明の導電性偏光板は、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の膜厚を所定値とすることにより、可撓性が良好なものを容易に得ることができる。本発明の導電性偏光板は、後述する本発明の方法により製造することにより、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく容易に製造することができる。このような特徴を有する本発明の導電性偏光板は、種々のタイプの液晶セルを作製するための材料(液晶セルにおける光入射面側および/または光出射面側の透明基板(透明電極を有するもの)兼偏光板の材料)として好適である。preferred.【0024】次に、本発明の導電性偏光板の製造方法について説明する。InおよびZnを含有するとともに前記In元素の原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内である非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により設けることを特徴とするものである。method.【0025】ここで、前記の偏光板としては目的とする導電性偏光板の用途等に応じて種々のものを用いることができ、その具体例は既に説明した本発明の導電性偏光板の中で例示した通りである。アンダーコート層は偏光板と酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜との密着性を向上させるために設けるものであり、その具体例および厚さは既に説明した本発明の導電性偏光板の中で例示した通りである。CVD法等の方法により設けることができるが、アンダーコート層の形成に伴って偏光板の変形や偏光度の低下が起きないように、特に塗布法やスパッタリング法により形成することが好ましい。-酸化インジウム系薄膜を酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iという)、InおよびZn以外のカチオン元素として価数が正3〜5価の第3元素を1種または複数種含有するものであってもよい(以下、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIという)。II).【0027】ただし、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iおよび酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIのいずれにおいても、前記Inの原子比In/(In+Zn)は前述のように0.55〜0.9の範囲内に限定され、かつ、その結晶形は前述のように非晶質に限定される。前記の原子比を0.55〜0.9の範囲内に限定する理由および当該原子比の好ましい範囲は、既に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べた通りである。結晶形を非晶質に限定する理由も、既に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べた通りである。third元素の具体例および好ましい例、並びに当該第3元素の好ましい含有量およびその特に好ましい値も、既に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べた通りである。described.【0028】酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜(IおよびII)を設ける際のスパッタリング方法はダイレクトスパッタリング(通常(反応性スパッタリングに対して「通常」)のスパッタリング)でも反応性スパッタリングでもよく、このとき使用するスパッタリングターゲットの組成やスパッタリング条件は、成膜しようとする透明導電膜の組成やスパッタリング方法等に応じて適宜選択される。ダイレクトスパッタリング法により酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを設ける場合には、下記(i)〜(ii)のスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。/(In+Zn)が所定の値のもの。+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値となるものを意味する。1種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。3(m=2〜20)で表される六方晶層状化合物が挙げられる。表す前記式においてmを2〜20に限定する理由は、mが前記範囲外では六方晶層状化合物にならないからである。mの好ましい範囲は2〜8であり、更に好ましくは2〜6である。2-6.【0030】(ii)酸化物系ディスクと、このディスク上に配置した1個以上の酸化物系タブレットとからなるスパッタリングターゲット。(m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。(m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上と酸化インジウムとから実質的になるものであってもよい。filmの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値となるように適宜決定される。〜(iv)のスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。酸化インジウムと酸化亜鉛の他に価数が正3〜5価以上である第3元素の酸化物を1種以上含有させた組成物からなる焼結体ターゲットで、Inの原子比In/(In+Zn)および第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)がそれぞれ所定値のもの。/(In+Zn)が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜におけるInの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値となるものを意味する。/(In+Zn+全第3元素)が所定値のもの」とは、最終的に得られる膜における第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)が0.2以下の所望値となるものを意味する。第3元素の具体例としてはSn,Al,Sb,Ga,Ge等が挙げられ、特にSnが好ましい。Ga)で表される酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層化合物と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。oxide.【0033】(iv)酸化物系ディスクと、このディスク上に配置した1個以上の酸化物系タブレットとからなるもの。(m=2〜7,M=AlまたはGa)で表される六方晶層化合物と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。2~7,M=AlまたはGa)で表される六方晶層化合物の1種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。酸化物系ディスクおよび酸化物系タブレットの組成並びに酸化物系ディスクと酸化物系タブレットの使用割合は、最終的に得られる膜におけるInの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値で、かつ第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)が0.2以下の所望値となるように適宜決定される。less.【0034】上記(i)〜(iv)のいずれのスパッタリングターゲットも、その純度は98%以上であることが好ましい。lowered,光透過性が低下したりすることがある。99.9%以上である。焼結体ターゲットを用いる場合、このターゲットの相対密度は70%以上とすることが好ましい。相対密度が70%未満では、成膜速度の低下や膜質の低下をまねき易い。85%以上であり、更に好ましくは90%以上である。isダイレクトスパッタリングの方法やスパッタリングターゲットの組成、用いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規定することは困難であるが、DCマグネトロンスパッタリング法による場合には、いずれの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を設ける場合でも、例えば以下のように設定することが好ましい。ターゲット印加電圧は200〜500Vが好ましい。Torrよりも圧力が高い)とスパッタリングターゲットへの印加電圧を高くすることができなくなる。ターゲット印加電圧が200V未満では良質の薄膜を得ることが困難になったり、成膜速度が制限されることがある。雰囲気ガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスが好ましい。0.999:0.001とすることが好ましい。膜が得られない場合がある。基板温度(アンダーコート層が設けられた偏光板の温度)は、偏光板の耐熱性に応じて、当該偏光板が熱により変形したりその偏光度が低下したりしない温度の範囲内(上限は概ね80°C)で適宜選択可能であるが、室温が特に好ましい。基板温度が所望値となるように、必要に応じて冷媒(水等)により基板を冷却する。necessary.【0039】前述した(i)〜(iv)等のスパッタリングターゲットを用いて上述したような条件でダイレクトスパッタリングを行うことにより、目的とする酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iまたは酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設けることができる。2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体は、例えば次のようにして得ることができる。インジウム化合物と亜鉛化合物とをそれぞれ所定量ずつ混合して、混合物を得る。このとき用いるインジウム化合物および亜鉛化合物は、酸化物または焼成後に酸化物になるもの(酸化物前駆体)であればよい。(酢酸塩、しゅう酸塩、プロピオン酸塩、ナフテン酸塩等)、アルコキシド(メトキシド、エトキシド等)、有機金属錯体(アセチルアセトナート等)等が挙げられる。アルコキシド、有機金属錯体を用いるのが好ましい。上記のインジウム化合物と亜鉛化合物との混合物は、溶液法(共沈法)または物理混合法により得ることが好ましい。method.【0041】次に、上記の混合物を仮焼する。この仮焼工程は、温度と時間との兼ね合いで種々異なってくるが、500〜1200°Cで1〜100時間行うことが好ましい。1200°Cを超えた場合または100時間を超えた場合には粒子が焼結して粒子の粗大化が起こる。好ましい焼成温度および焼成時間は、800〜1200°Cで2〜50時間である。C..【0042】上述のようにして仮焼した後、得られた仮焼物の粉砕を行なった方が好ましく、また必要に応じて、粉砕前後に還元処理を行ってもよい。仮焼物の粉砕は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミル等を用いて、粒子径が0.01〜1.0μmになるように行うことが好ましい。粒子径が0.01μm未満では粉末が凝集しやすく、ハンドリングが悪くなる上、緻密な焼結体が得にくい。1.0μmを超えると緻密な焼結体が得にくい。仮焼と粉砕を繰り返し行なった方が組成の均一な焼結体が得られる。obtained.【0043】また還元処理を行う場合の還元方法としては還元性ガスによる還元、真空焼成または不活性ガスによる還元等を適用することができる。CO等や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。不活性ガス中での焼成による還元の場合、不活性ガスとしては窒素、アルゴン等や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。還元温度は100〜800°Cが好ましい。100°C未満では十分な還元を行うことが困難である。°Cを超えると酸化亜鉛の蒸発が生じて組成が変化する。好ましい還元温度は200〜800°Cである。還元時間は、還元温度にもよるが、0.01〜10時間が好ましい。0.01時間未満では十分な還元を行うことが困難である。10時間を超えると経済性に乏しくなる。好ましい還元時間は0.05〜5時間である。hours.【0044】次いで、上述のようにして得た仮焼物(当該仮焼物の粉末を含む)の成型、焼結を行なう。CIP(冷間静水圧)等で成型し、後記する焼結処理に付するのが好ましい。成型体の形状は、ターゲットとして好適な各種形状とすることができる。成型するにあたっては、PVA(ポリビニルアルコール)、MC(メチルセルロース)、ポリワックス、オレイン酸等の成型助剤を用いてもよい。acid.【0045】成型後の焼結は、常圧焼成、HIP(熱間静水圧)焼成等により行なわれる。焼結温度は、インジウム化合物と亜鉛化合物が熱分解し、酸化物となる温度以上であればよく、通常800〜1700°Cが好ましい。1700°Cを超えると酸化亜鉛および酸化インジウムが昇華し組成のずれを生じるので好ましくない。好ましい焼結温度は1200〜1700°Cである。2等の不活性ガスの雰囲気が挙げられる。インジウムが蒸発しやすいので、HIP焼結等により加圧焼結することが望ましい。このようにして焼結まで行なうことにより、目的とするターゲットを得ることができる。スパッタリングターゲットを得る場合と同様に仮焼、焼結することにより得ることができる。焼結温度は1100〜1500°Cとする。スパッタリングターゲットを得る場合と同様に仮焼、焼結する。出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合には錫化合物として前述の「焼成により酸化錫となる化合物」の所望量を加える。elementl)を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化アルミニウムまたは焼成により酸化アルミニウムとなる化合物、具体的には塩化アルミニウム、アルミニウムアルコキシド(トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム等)、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、しゅう酸アルミニウム等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはアルミニウム化合物として前述の「焼成により酸化アルミニウムとなる化合物」の所望量を加える。above.【0050】第3元素としてアンチモン(Sb)を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化アンチモンまたは焼成により酸化アンチモンとなる化合物、具体的には塩化アンチモン、フッ化アンチモン、アンチモンアルコキシド(トリメトキシアンチモン、トリエトキシアンチモン、トリプロポキシアンチモン、トリブトキシアンチモン等)、硫酸アンチモン、水酸化アンチモン等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはアンチモン化合物として前述の「焼成により酸化アンチモンとなる化合物」の所望量を加える。compound.【0051】第3元素としてガリウム(Ga)を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化ガリウムまたは焼成により酸化ガリウムとなる化合物、具体的には塩化ガリウム、ガリウムアルコキシド(トリメトキシガリウム、トリエトキシガリウム、トリプロポキシガリウム、トリブトキシガリウム等)、硫酸ガリウム等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはガリウム化合物として前述の「焼成により酸化ガリウムとなる化合物」の所望量を加える。elemente)を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化ゲルマニウムまたは焼成により酸化ゲルマニウムとなる化合物、具体的には塩化ゲルマニウム、ゲルマニウムアルコキシド(テトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトラプロポキシゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム等)等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはゲルマニウム化合物として前述の「焼成により酸化ゲルマニウムとなる化合物」の所望量を加える。".【0053】次に、反応性スパッタリング法によって酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iまたは酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設ける場合について説明する。反応性スパッタリング法により酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを設ける場合には、スパッタリングターゲットとして、インジウムと亜鉛との合金からなるものであって、Inの原子比In/(In+Zn)が所定の値のものを用いることが好ましい。Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値となるものを意味する。0.9.【0054】また、反応性スパッタリング法により酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設ける場合には、インジウムと亜鉛と価数が正3〜5価である第3元素の少なくとも1種との合金からなるものであって、Inの原子比In/(In+Zn)および第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)がそれぞれ所定値であるものをスパッタリングターゲットとして用いることが好ましい。in+Zn+全第3元素)が所定値のもの」とは、最終的に得られる膜における第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)が0.2以下の所望値となるものを意味する。preferred.【0055】酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜I成膜用の上記合金ターゲットは、例えば、溶融インジウム中に亜鉛の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これを冷却することにより得られる。酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜II成膜用の上記合金ターゲットは、例えば、溶融インジウム中に亜鉛の粉末またはチップの所定量並びに第3元素の単体(固体)の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これを冷却することにより得られる。インジウムと少なくとも1種の第3元素との合金を溶融させ、この中に亜鉛の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これを冷却することによっても得られる。これらの合金ターゲットの純度は、前述した(i)〜(ii)のスパッタリングターゲットと同様の理由から98%以上であることが好ましい。99.9%以上である。more.【0056】反応性スパッタリングを行う場合のスパッタリング条件は、スパッタリングターゲットの組成や用いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規定することは困難であるが、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを成膜する場合および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを成膜する場合のいずれにおいても、スパッタリング時の真空度、ターゲット印加電圧および基板温度については、先に例示したDCマグネトロンスパッタリングの条件と同様である。雰囲気ガスとしてはDCマグネトロンスパッタリングの場合と同様にアルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスが好ましいが、酸素ガスの割合はダイレクトスパッタリングのときよりも高めにすることが好ましい。0.99:0.01とすることが好ましい。0.01.【0057】前述した合金ターゲットを用いて上述のような条件で反応性スパッタリングを行うことにより、目的とする酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iおよび酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設けることができる。II.【0058】以上説明したスパッタリング法により、偏光板の一主表面上に設けられたアンダーコート層上に酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iまたは酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設けることにより、目的とする本発明の導電性偏光板を得ることができる。このとき、基板温度を所定温度とすることにより、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく容易に所望の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を形成することができる。可撓性が良好な膜を容易に形成することができる。3nm〜3000nmの範囲内である。-酸化インジウム系薄膜Iおよび酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIのいずれを設ける場合でも、好ましい膜厚は5〜1000nmの範囲内であり、特に好ましい膜厚は10〜800nmの範囲内である。実施例について説明する。偏光板として(株)有沢製作所製のニュートラル偏光板(商品名;有沢ポラライザー)を用い、この偏光板の一主表面上にポリホスファゼン層を塗布法により形成した後にこれを乾燥させて、厚さ5μmのアンダーコート層を形成した。990オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを前記のアンダーコート層上に形成した。偏光板の一主表面上に上述のようにしてアンダーコート層および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを順次積層したことで、目的とする導電性偏光板が得られた。obtained.【0061】このようにして得られた導電性偏光板について、偏光板の変形の有無をスケールおよび直角計により調べると共に、偏光度の低下の有無を検光子と組み合わせた光透過率の変化により調べたところ、変形および偏光度の低下は認められなかった。SPS-1500VRを使用)により測定したところ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IにおけるIn元素の原子比(In)/(In+Zn)は0.84であった。この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質であることが確認された。Iの表面の鉛筆硬度は3Hであった。この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面抵抗)を測定した。温度40°C、湿度90%の条件で耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。80mm回巻きつけることで可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの結果を表1に示す。実施例1で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏光板の一主表面上に実施例1と同一条件で厚さ5μmのアンダーコート層を形成した後、スパッタリング時間を変更した以外は実施例1と同一条件のスパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚2500オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを形成した。偏光板の一主表面上に上述のようにしてアンダーコート層および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを順次積層したことで、目的とする導電性偏光板が得られた。obtained.【0063】このようにして得られた導電性偏光板について、偏光板の変形の有無および偏光度の低下の有無を実施例1と同手法で調べたところ、変形および偏光度の低下は認められなかった。In元素の原子比(In)/(In+Zn)は0.84であった。この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質であることが確認された。この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面の鉛筆硬度は3Hであった。この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面抵抗)を測定した。実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの結果を表1に示す。実施例1で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏光板の一主表面上にシランカップリング剤(γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン)層を塗布法により形成した後にこれを乾燥させて、厚さ5μmのアンダーコート層を形成した。この後、実施例1と同一条件のスパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚1000オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを形成した。偏光板の一主表面上に上述のようにしてアンダーコート層および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを順次積層したことで、目的とする導電性偏光板が得られた。obtained.【0065】このようにして得られた導電性偏光板について、偏光板の変形の有無および偏光度の低下の有無を実施例1と同手法で調べたところ、変形および偏光度の低下は認められなかった。In元素の原子比(In)/(In+Zn)は0.84であった。この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質であることが確認された。この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面の鉛筆硬度は3Hであった。この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面抵抗)を測定した。実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの結果を表1に示す。Sn/(In+Zn+Sn)=0.02であるもの(純度99.9%、相対密度92%)を用いた。II,目的とする導電性偏光板が得られた。obtained.【0067】このようにして得られた導電性偏光板について、偏光板の変形の有無および偏光度の低下の有無を実施例1と同手法で調べたところ、変形および偏光度の低下は認められなかった。(In+Zn+Sn)は0.02であった。この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質であることが確認された。この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIの表面の鉛筆硬度は3Hであった。この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIの表面抵抗)を測定した。実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの結果を表1に示す。layer0オングストロームのITO膜を形成した。(10wt%)酸化インジウム(ITO)を用いた。このようにして得られた導電性偏光板について、これを構成するITO膜の結晶性をX線回折により調べたところ、僅かに酸化インジウムのピークが確認された。confirmed.【0069】この導電性偏光板の表面抵抗(ITO膜の表面抵抗)を測定した。実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの結果を表1に示す。layer0オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を形成した。スパッタリングターゲットとしては、酸化亜鉛と酸化インジウムとの混合物から実質的になる焼結体で、Inの原子比In/(In+Zn)が0.93であるものを用いた。filmn元素の原子比(In)/(In+Zn)は本発明の限定範囲外の0.96であった。この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の結晶性をX線回折により調べたところ、僅かに酸化インジウムの結晶が確認された。この導電性偏光板の表面抵抗(ITO膜の表面抵抗)を測定した。実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの結果を表1に示す。layer0オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を形成した。スパッタリングターゲットとしては、酸化亜鉛と酸化インジウムとの混合物から実質的になる焼結体で、Inの原子比In/(In+Zn)が0.1であるものを用いた。film元素の原子比In/(In+Zn)は本発明の限定範囲外の0.12であった。diffraction,非晶質であった。この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の表面抵抗)を測定した。実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの結果を表1に示す。14〜45Ω/□と低い。このことから、実施例1〜実施例6で得られた各導電性偏光板は良好な導電性を有していることがわかる。実施例1〜実施例4で得られた各導電性偏光板の表面抵抗は、耐湿熱性試験の前後で殆ど変化していない。このことから、各導電性偏光板は良好な耐湿熱性を有していることがわかる。実施例1〜実施例4で得られた各導電性偏光板の表面抵抗は、可撓性試験の前後で殆ど変化していない。このことから、各導電性偏光板は良好な可撓性を有していることがわかる。flexibility.【0074】一方、比較例1〜比較例3で得られた各導電性偏光板は表面抵抗の初期値が高く、特に比較例3で得られた導電性偏光板の表面抵抗の初期値は極めて高い。これらの導電性偏光板は耐湿熱性の点で実施例1〜実施例4で得られた各導電性偏光板より劣る。これらの導電性偏光板は可撓性試験時にクラックの発生による電気抵抗値の大幅な増大が認められ、可撓性の点でも実施例1〜実施例4で得られた各導電性偏光板より劣る。[0075]【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電性偏光板では、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく導電性および可撓性が良好なものを製造することが容易である。したがって、本発明によれば所望の表示特性を有する軽量の液晶表示装置を得ることが容易になる。+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の非晶質薄膜であることを特徴とする導電性偏光板。0.9の範囲内である、請求項1に記載の導電性偏光板。Zn+全第3元素)が0.2以下である、請求項1または請求項2に記載の導電性偏光板。偏光板がニュートラル偏光板,モノカラー偏光板,バイカラー偏光板,マルチカラー偏光板および楕円偏光板からなる群より選択された1種である、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の導電性偏光板。0.550.9の範囲内である非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により設けることを特徴とする導電性偏光板の製造方法。0.9の範囲内である、請求項5に記載の方法。Zn+全第3元素)が0.2以下である、請求項5または請求項6に記載の方法。酸化インジウムとから実質的になる、請求項5〜請求項7のいずれか一項に記載の方法。(m=2〜7,M=AlまたはGa)で表される六方晶層化合物である、請求項8に記載の方法。アンダーコート層を設けた後の偏光板を冷却しながら、所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を設ける、請求項5〜請求項9のいずれか一項に記載の方法。偏光板としてニュートラル偏光板,モノカラー偏光板,バイカラー偏光板,マルチカラー偏光板および楕円偏光板からなる群より選択された1種を用いる、請求項5〜請求項10のいずれか一項に記載の方法。