Productionが始まっていることが明らかにされている(Photo25)。量産開始は早ければ2017年中という話だったが、実際には2018年第1四半期までずれ込んだようだ。早ければ2018年第2四半期末~第3四半期には7nmを利用した製品が投入されると思われる。TSMC問題はこれに続く7FF+である。7FFと7FF+の違いは露光である。7FFは、ArF+液浸という従来の露光プロセスのままだが、7FF+はEUVを使っての露光である。この結果、配置配線がまったく別物になる。マスクが異なるものになる以上に、基本的に物理設計のやり直しである。Patterningが必要である。Patterningという方式を利用する)のだが、このために配線を4分割した4枚のマスクを利用する。Patterning)で実現できる。マスク自身が全く異なる。Patterningでは、単に配線を分割するだけでなく、最適化の方法論が大きく変わる。TSMC自身もEUVレイヤに関しては「再設計が必要」と明確に説明している。再設計によって、物理的な配置が変わった場合、配線層も影響を受けるわけで、現実問題としてすべて再設計に近い手間が掛かると思われる。その7FFと7FF+の性能だが、まず7FFについてTSMCは以下のように説明する。16FF+に比べて消費電力が60%削減、性能が30%向上、エリアサイズを70%削減できる10FFと比べて消費電力が40%弱削減、エリアサイズを37%以上削減できる(10FFとの性能比較は不明)。一方の7FF+は次のように説明されている。7FFに比べて性能を10%向上、エリアサイズを15~20%削減できる(消費電力は不明)ここから分かるように、どうみても本命は7FF+だ。outが20以上と書いたが、7nmを待っているデザインは20どころか100では効かないはずだ。ここに7FFの問題がある。FinFET)を使ったのと同じように、7FF+を待ちきれない製品だけが7FFで製造しようとしているという感じだ。7nm世代で製造、と言っているほとんどの製品は7FF+と予測されることになる。※本記事は掲載時点の情報であり、最新のものとは異なる場合があります。Corporation。