Sensor)「インジウム・アンチモン(InSb)などの非常に高い電子移動度を持つ半導体薄膜は、垂直方向に印加される磁束密度に応じて抵抗値が変化する。この現象を磁気抵抗効果と呼び、1883年英国のケルビンによって発見された。N極性、S極性どちらの磁界を印加しても同様に抵抗値が変化し、複数の素子を組み合わせることで、抵抗の変化を電圧の変化として取り出すことができる。MR素子、MRセンサーという。するが、磁界を印加するとローレンツ力qvBによりキャリアは進行方向を曲げられる。R/R0は低磁場領域(約0.4T以下)では半導体薄膜の電子移動度μと半導体薄膜に垂直に印加される磁束密度Bの積の2乗に比例し、高磁場領域(約0.4T以上)ではμとBに比例する。(μxB)つまり、半導体中の電子移動度や磁束密度が高ければ高いほど磁気抵抗効果は大きくなる。この様に半導体の磁気抵抗効果は材料の電子移動度μに依存する。材料の電子移動度が大きければそれだけ磁気抵抗効果も大きくなる。材料には電子移動度の大きい3-5族化合物半導体の中で最大の電子移動度をもつInSbが用いられる。材料として適している。その他の半導体材料では、InAsが33,000、GaAsが8,500(cm2/V・sec)程度である。16.x以降以降のブラウザでご覧いただくことをお勧めいたします。RESERVED.無断転写・転載を禁じます。