Outline:カーボンナノチューブ(CNT)が基板に垂直配向成長している「フォレスト」を利用し,高感度で耐久性のある小型バイオセンサ応用を目指した立体型櫛型電極(Iカーボンナノチューブ(CNT)が基板に垂直配向成長している「フォレスト」を利用し,高感度で耐久性のある小型バイオセンサ応用を目指した立体型櫛型電極(IDE)の作製と評価を行った。UVリソグラフィとオリジナルの熱CVD法によるCNT低温成長技術と組合...カーボンナノチューブ(CNT)が基板に垂直配向成長している「フォレスト」を利用し,高感度で耐久性のある小型バイオセンサ応用を目指した立体型櫛型電極(IDE)の作製と評価を行った。UVリソグラフィとオリジナルの熱CVD法によるCNT低温成長技術と組合せたプロセスを開発した。本プロセスは約500°Cと低温でありガラス基板など廉価な基板の使用が可能である。Au電極IDEと比較してCNTフォレストIDEでは酸化還元電流が定常状態に早く到達し,反応性の高さが示された。ドーパミンの測定において高い汚染耐性が得られCNTフォレスト電極の有効性が確認された。Outline:1導電性基板上CNTフォレストの微小電極アレイへの応用電子線描画を用いて触媒エリアの直径を1μm程度に設計して担持し,導電性下地上へのCNTフォレスト1導電性基板上CNTフォレストの微小電極アレイへの応用電子線描画を用いて触媒エリアの直径を1μm程度に設計して担持し,導電性下地上へのCNTフォレストの成長を行った。パターン形状,触媒条件や成長条件がフォレスト構造に与える影響を調べ,レジスト膜厚や...1導電性基板上CNTフォレストの微小電極アレイへの応用電子線描画を用いて触媒エリアの直径を1μm程度に設計して担持し,導電性下地上へのCNTフォレストの成長を行った。パターン形状,触媒条件や成長条件がフォレスト構造に与える影響を調べ,レジスト膜厚やリフトオフ条件の最適化を行った。今後さらに構造の最適化と細胞の培養,また実際に活動電位の測定を目指す。2長尺CNTフォレスト実現CNTフォレストの成長停止のメカニズムの理解と長尺フォレストの実現を目指した。熱CVD法により成長温度や各種ガス分圧が触媒の寿命に与える影響を調べ1cm程度のCNTを成長させることに成功した。今後引き続き成長停止のメカニズムの詳細な理解と制御を行う。Outline:カーボンナノチューブ(CNT)が基板に垂直配向成長している「フォレスト」を利用し,UVリソグラフィと金属電極上への高密度CNTフォレストの成長技術を組カーボンナノチューブ(CNT)が基板に垂直配向成長している「フォレスト」を利用し,UVリソグラフィと金属電極上への高密度CNTフォレストの成長技術を組み合わせることで高感度なバイオセンサの開発を行った。本研究における熱CVD法によるCNTフォレスト...カーボンナノチューブ(CNT)が基板に垂直配向成長している「フォレスト」を利用し,UVリソグラフィと金属電極上への高密度CNTフォレストの成長技術を組み合わせることで高感度なバイオセンサの開発を行った。本研究における熱CVD法によるCNTフォレストの成長は470°Cと比較的低温であり,成長時間も数分間である。nMとCNTF-IDEは高い特性を示した。CNTF-IDEはコンタミネーションに対して高い耐久性を持っており,実用上有用である可能性が示された。