Japanese)酸化亜鉛(ZnO)は、バンドギャップが3.37eVと近紫外域にある直接遷移型の半導体で、励起子の束縛エネルギーが60meVと室温の熱エネルギーより大きい。このため、他の半導体と異なり、励起子は室温で存在することができる。この励起子の再結合による発光をデバイスに応用すると、電子と正孔との再結合を発光原理とする従来の発光デバイスに比べて狭い波長域で高効率な発光が期待される。実用化されている窒化ガリウム系の半導体と比較すると、格子整合した基板が入手でき、混晶によるバンドギャップの制御が容易であるという点で有利である。したがって、ZnOを用いることによって、デバイス作製の自由度が高く、より安価で高効率なデバイスを作製することができる。ZnOによる光デバイスが実現すれば、高密度DVD用紫外線半導体レーザーや蛍光灯に変わる高効率な固体照明装置等への応用の広がりが期待できる。Japanese)本発明は、酸化亜鉛系薄膜の成長方法に係り、特に酸化亜鉛系薄膜を低温で成長する方法に関する。下記化学式で表わされる化合物を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系薄膜の成長方法。MxZn1-xO(ここで、MはII族元素であり、xは0<x<1を満たす数値である。前記単結晶基板は、酸化亜鉛、サファイアおよびシリコンからなる群から選択されることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系薄膜の成長方法。