Japanese)本発明は、ゲルマニウム層30と、前記ゲルマニウム層30の上面に形成され、酸化ゲルマニウムと酸化ゲルマニウムより酸素ポテンシャルが低い物質とを主に含む第1絶縁膜32と、を具備し、前記ゲルマニウム層30の上面の1μm平方内の高さ頻度の半値幅は0.7nm以下である半導体構造である。Japanese)ゲルマニウム(Ge)は、シリコン(Si)に比べ優れた電子物性を有する半導体である。Transistor)が知られている(例えば非特許文献1、2)。Japanese)本発明は、半導体構造およびその製造方法に関し、ゲルマニウム層上に酸化ゲルマニウムを含む膜を備える半導体構造およびその製造方法に関する。前記圧力は、前記ゲルマニウム層の上面が平坦化される圧力であることを特徴とする半導体構造の製造方法。