POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールによる界面窒化と比べて、界面準位密度の低減およびチャネル移動度の改善効果は非常に大きく、POCl3アニールによりSiC-MOSデバイス特性の大幅な高性能化が可能である。80Kにおける繰り返し容量-電圧測定や熱刺激電流法などにより、伝導帯付近の界面準位や界面近傍酸化膜トラップはほとんど検出限界にまで低減された。チャネル移動度はNOアニールに比べて3倍以上向上した。これらの界面特性の改善メカニズムについて、XPSによる界面の化学結合状態をもとに考察した。初期の絶縁破壊電界の劣化はほとんど見られなかったが、高電界により注入された電子がリン導入された酸化膜中に捕獲されることが明らかとなった。