and2の各々について、転写性を評価するため、紙およびプラスチック上への転写を試みた。比較例1ならびに参考例1および2の各々につき、金属薄膜の表面(すなわち、比較例1ではニッケル蒸着膜2の表面、参考例1および2ではニッケルめっき膜3の表面)に接着剤をコーティングした。ginseng考例1および2の各々につき、ホットスタンピング法により、紙およびプラスチックの各々に金属薄膜の転写を試みた。100kg/cm2の圧力を10秒間加えた。seconds.【0025】比較例1によれば、ホットスタンピング処理の温度を100°Cにしたとき、金属薄膜(ニッケル蒸着膜2)が紙およびプラスチックに転写することができたのに対し、参考例1および2の各々では、80°Cの温度であっても、紙およびプラスチックに金属薄膜(ニッケル蒸着膜2およびニッケルめっき膜3)を転写することができた。plastics.【0026】上述した実験例において、ニッケルの代わりに、金、銀、銅の各々を用いた場合についても、同様の結果が得られた。これらの金属を用いて2層以上としても同様の結果が得られた。実験例2図2に示すように、フィルム4を、まず、用意した。このフィルム4は、実験例1で用いたフィルム1と同じものとした。1.【0028】次に、フィルム4上に、蒸着により、厚み0.1μmの銅蒸着膜5を形成した(比較例2)。蒸着条件は、実験例1と同様とした。この電気めっき条件についても、実験例1と同様とした。この無電解めっき条件についても、実験例1と同様とした。2の各々の転写性を評価するため、次のような実験を行なった。conducted.【0032】チタン酸バリウムを主成分とする非還元性誘電体セラミックのスラリーを用意した。Oyoび2ではニッケルめっき膜6)の表面にコーティングし、乾燥した後、セラミックグリーンシート7の剥離を行なった。7の剥離にもかかわらず、銅蒸着膜5はフィルム4からまったく剥がれなかった。2,セラミックグリーンシート7の剥離に伴われて、銅蒸着膜5およびニッケルめっき膜6がフィルム4から剥離された。4.【0033】次に実施例1および2につき、ニッケルめっき膜6上にフォトレジストをコーティングした後、フォトエッチング法により、積層セラミックコンデンサの内部電極を形成するように、金属薄膜(銅蒸着膜5およびニッケルめっき膜6)のパターニングを行なった。10〜15μmのセラミックグリーンシート7を成形した。~15μm.このセラミックグリーンシート7の成形には、前述した非還元性誘電体セラミックのスラリーを用いた。above.【0035】次いで、上述のセラミックグリーンシート7を積重ね、積重ねごとに、熱圧着を行ない、それぞれの熱圧着の後で、フィルム4を剥離した。このとき、金属薄膜がフィルム4側に残ることはなかった。side.【0036】このようにして得られた積層体を、1個の積層セラミックコンデンサを与える寸法にカットした後、焼成し、次いで外部電極を形成し、積層セラミックコンデンサを作製した。capacitors.【0037】得られた積層セラミックコンデンサは、内部電極を金属ペーストのスクリーン印刷により形成した従来の典型的な積層セラミックコンデンサに比べて、その厚みが薄く、また、その厚みがセラミックシートの延びる方向においてより均一であった。内部電極にポアなどの欠陥がないため、容量低下など、電気的特性の劣化もみられなかった。実験例3実験例1と同様に、フィルム1を準備した。1.【0039】次に、フィルム1上に、図1に示すように、蒸着により、厚み1μmの銅蒸着膜2を形成した(比較例3)。蒸着条件は実験例1と同様とした。電気めっき条件は、実験例1と同様とした。無電解めっき条件は、実験例1と同様とした。4の各々の転写性を評価するため、次のような実験を行なった。3および4の各々のものを2枚の板の間に挟み、比較例3ならびに参考例3および4の各々と板とをその接触面で接着剤により固定した。参考例3および4の各々のものは2000gで剥離した。2000g.【0044】また、比較例3のものは、フィルム1の反りが大きく、平面状のものが得られにくいため、フォトエッチング法によるパターニングが困難であった。実験例4実験例1と同様に、フィルム1を準備した。1.【0046】次に、フィルム1上に、第1図に示すように、蒸着により、厚み1μmのニッケル蒸着膜2を形成した(比較例4)。蒸着条件は実験例1と同様とした。電気めっき条件は、実験例1と同様とした。that,無電解めっき条件は、実験例1と同様とした。6の各々の転写性を評価するため、実験例1と同様に行なったところ、比較例4では、ホットスタンピング処理の温度を100°Cにしても転写できず、またニッケル蒸着膜のひび割れが著しく、さらには反りも大きく、平面状のものが得られにくいため、フォトエッチング法によるパターニングが困難であった。6の各々のものは、80°Cの温度で、紙およびプラスチックに金属薄膜(ニッケル蒸着膜2およびニッケルめっき膜3)を転写することができた。plastics.【0050】以上、この発明を、実験例1ないし4に関連して説明したが、第1の金属層および第2の金属層の各々に用いられる金属は、任意である。arbitrary.【0051】また、第2の金属層は、必ずしも、第1の金属層に接触して設けられる必要はない。第1の金属層と第2の金属層との間に、少なくとも1つの第3の金属層が形成されていてもよい。thirdの金属層は、スパッタリング、電気めっき、無電解めっき、などの方法で形成されてもよい。as.【0052】また、第1の金属層を形成するためのフィルムは、たとえば樹脂から構成されるが、前述したように、シリコン・コートのような転写性を向上させるための処理が施されていることを必須とするものではない。that.フィルム自身を構成する材料として、本来的に金属との付着力が小さいものを用いれば、敢えて転写性を向上させるための表面処理を施す必要はない。transferability.【0053】以上の実施例のほか、第1の金属層および第2の金属層の材質を選択することにより、以下に説明するようなものを構成することができる。below.【0054】まず、第1の金属層として銅、第2の金属層としてニッケルを選択し、これを半導体磁器コンデンサ用のセラミックグリーンシートの上に転写し、こうして準備したものを複数枚積み重ねたのち、焼成することにより、セラミックグリーンシートの磁器化が行われるとともに、その後の再酸化処理により、銅がセラミックに拡散し、半導体磁器の粒界の絶縁体化が行われ、粒界絶縁型の積層セラミックコンデンサが得られる。obtained.【0055】この他、第1の金属層としてアルミニウム、第2の金属層として銅、第3の金属層としてアルミニウムを選択し、これをセラミックグリーンシートの上に転写し、こうして準備したものを複数枚積み重ねたのち、焼成すると、アルミニウムがAl2O3になり、銅の拡散防止層となる。これを積層セラミックコンデンサの製造に適用すれば、内部電極となる銅がセラミック層に拡散するのが防止されるため、特性、特に容量ばらつきの少ない積層セラミックコンデンサが製造できる。この場合、銅の代わりにニッケルで構成しても同様の効果が得られる。DRAWINGS【図1】この発明の参考例を示す断面図である。invention.【図2】この発明の一実施例を示す断面図である。ceramicック電子部品の製造方法。前記湿式めっきは電気めっきである、請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。plating,請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。