140形成在栅极线121和存储电极线131上,并且多个半导体岛154形成在栅极绝缘层140上,与栅极电极124相对。140上形成多个凄t据线171、多对漏极175a和175b以及多个耦合电极177。175a和175b关于栅极线124在相反方向延伸。165a和165b只设置在半导体岛154与数据线171和漏极175a和175b之间。钝化层180形成在数据线171、漏极电极175a和175b、以及耦合电极177上。钝化层180还具有露出数据线171的端部179的多个接触孔182,并且钝化层180和栅极绝缘层140具有露出栅极线121的端部129的多个接触孔181。(contactassistant)81和92形成在钝化层180上。material)制成。185a和185b连接到漏极175a和175b的下部像素电极190a和上部像素电极190b。