ナノエレクトロニクス研究部門と共同で、産総研つくばイノベーションアリーナ推進本部スーパークリーンルーム運営室の支援を受け、先端トランジスタの作製・評価技術を駆使し、さまざまな構造の微細トランジスタにおける動作中温度の正確な測定に成功した。ナノメートル・スケールの素子では動作中の温度上昇が無視できないことを見いだし、温度を下げるための素子設計指針を開発した。nm程度の先端トランジスタを作製した。nmの極薄膜BOX層を持つSOI基板上に作製されたSOIトランジスタも含んでいる。トランジスタの動作中の温度を、4端子ゲート法という手法によって測定した。慶應大学のグループは、温度変化に伴う抵抗変化の大きなニッケルシリサイド(NiSi)を多結晶(Poly)シリコンに貼り付けた4端子ゲート電極構造を採用し、高精度の抵抗評価技術と組み合わせることで、ナノメートル・スケールのトランジスタにおいて、これまで実現できていなかった非常に高い精度で温度を測定することに成功した。°C以上も上昇していることが初めて見いだされた。バルクトランジスタの局所的な温度上昇が、チャネル領域への不純物イオン注入によるシリコンの熱抵抗の上昇に起因することを示した。このことから、従来は電気的な条件からのみ最適化されていた不純物イオン濃度を、熱的な条件も考慮して最適化する必要があることが分かった。この研究成果によって、次世代のPCやスマートフォンなどに用いられる半導体集積回路の高信頼性化が期待される。光ファイバ通信技術に焦点をあて、研究開発の変遷、要素デバイス、WDMやデジタルコヒーレント伝送技術に至るシステムに必須技術を分かりやすく解説。X線、レーザー、オプティクスなどの技術分野が一堂に会する専門展です。求職者と求人企業、双方によりメリットのある「採用・就職」のお手伝いをいたします。