中央大、SSDを従来比6倍高速化する技術を開発。メモリセル間の電子の干渉による誤りを低減。TwitterFacebookTumblrこのブログについてホームPC中央大、SSDを従来比6倍高速化する技術を開発。メモリセル間の電子の干渉による誤りを低減。コメント:1http://www.gadget2ch.com/archives/42954926.html中央大、SSDを従来比6倍高速化する技術を開発。メモリセル間の電子の干渉による誤りを低減。竹内健教授の研究グループは、フラッシュメモリーを記憶媒体とするソリッド・ステート・ドライブ(SSD)について、従来比6倍高速化する技術を開発した。(ISSCC)」で発表した。フラッシュメモリーはHDDや光ディスク、磁気テープなどの記憶媒体に比べ、高速、低電力などの利点を持つが、メモリーセルに蓄えた電子がリークすることで記憶したデータが失われ、エラーが発生する問題がある。SSDにはメモリーのエラーをシステム的に直す誤り訂正技術が使われているが、信頼性を高めるために強力な誤り訂正技術を使うと、これに要する時間が長くなり、読み出し性能が劣化する課題がある。竹内教授らは今回、周辺のメモリーセルからの干渉を補正する技術のほか、メモリーセルの劣化に合わせて読み出しのレベルを調整する技術などを開発した。SSDの高速化と5倍の高信頼化に成功し、フラッシュメモリーにエラーが生じても高速かつ高信頼にエラーを訂正できるようにした。ID:Bvb/6CXr0.net○○技術が実用化されたって報道は出ない。書き込み速度が480Mbps→800Mbpsに向上した!!とだけ公開される。細かい技術を取り上げてたら切りがないし。ID:dOz+OF0G0.netどうでもいいけどウインドウズの詐欺起動画面は早く辞めるべき。デスクトップ画面を早く出して起動が速いように見せかける詐欺なんだよな。