10.1021/acsanm.9b00767[GNR誘電体によるグラフェンの不動態化膜の形成]荷電不純物散乱はグラフェンの電気的特性に大きく損なうため問題となっていた。グラフェンを用いた電子材料の開発には、これら荷電不純物を低減して荷電不純物散乱を起こりにくくし、グラフェンを不動態化できるような高いk誘電体膜の開発が強く求められている。今回我々は、構造的に精密で有機溶媒に可能なグラフェンナノリボン(GNR)が、グラフェンを不動化する保護膜として機能することを明らかにしました。nm程度でGNRを規則正しく積層・配列させることに成功した。その結果、グラフェンのキャリア移動度は、非被覆状態に比べて約2倍の値となった。puddleが減少することが明らかになりました。これらの結果は、GNR吸着膜がグラフェンを酸素/水の参加還元対の吸着から防ぎ、かつπ-πおよびCH-π相互作用によってグラフェンを下地となるSiO2基板から持ち上げていることを示唆しています。比較的高い誘電率(約5.2)をもつGNRによって大きな遮蔽効果がたらされたと考えられます。以上のGNRの様々な恩恵を受け、グラフェンの不純物散乱の減少とGNRの電荷移動度の向上が達成されました。