[0001]【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に係り、特に、高密度のプラズマを用い、試料にエッチング等の処理を施すのに好適な、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関するものである。(1980)、P139)に記載のように、マイクロ波プラズマ処理装置を用い、マイクロ波を伝播する導波管内に石英製の放電室を有し、放電室外部に配置したコイルより生じられる外部磁場とマイクロ波電界の作用により、放電室内でプラズマを生成させるようになっていた。該プラズマを利用して半導体ウェハの表面にエッチング等の処理を施すことが可能となる。plasma.【0003】このようなマイクロ波エッチング処理装置では、マイクロ波を導くと共に、外部磁場を処理室内に導入するために、処理室として、導波管となる非磁性でかつ導電性の材料が必要である。そのため、一般には処理室の壁材料として、アルミニウム(Al)やステンレス鋼(SUS)の金属が用いられる。used.【0004】ところで、処理室の壁面を構成するステンレス鋼その他の金属は、プラズマにより削られ飛散して、その中に含まれている重金属と共に汚染源となる。therein.【0005】一方、特開平4−229619号公報には、処理室で使用される反応ガスによる化学的腐食から金属面を保護することのできる導電製のコーティングを内側金属面上に形成するものが示されている。is,処理ガスに、塩素などのハロゲンガスなどを用いてプラズマエッチングを行うと、処理室の金属壁が腐食するという恐れがあるため、処理室の金属内壁面上に、コーティングにより保護膜を形成するものである。TiN,InSn,SiC,TiC,TaC等があげられている。0.2μmにわたるものとされている。over.【0006】また、特開昭63−138737号公報には、チャンバ内に対向電極を備えたドライエッチング装置において、汚染されたチャンバの内面を清浄可能にするために、チャンバに対して着脱自在な絶縁材でチャンバ内面を覆ったものが示されている。material,アルマイト、アルミナ溶射、テフロン、セラミック等が挙げられている。JP-A-4-229619号公報に記載された従来技術では、処理室で使用される反応ガスによる化学的腐食の観点からは金属面を保護することはできる。典型的なプラズマエッチングプロセスの条件として上記公報のカラム5に記載されていることからも明らかなとおり、プラズマ処理時の温度は、約10°C〜約70°Cという比較的低温の範囲に限定されている。C.以上に上昇すると、アルミニウムの熱膨張のために、アルミニウム表面のコーティング膜に割れが発生する恐れがあるためと考えられる。割れの発生を避けるためにはコーティング膜を薄くせざるを得ない。膜厚を薄くすると、プラズマエッチングに伴う反応ガスによりコーティング膜が短時間に腐食されてしまい、コーティング膜の役目を果たさない。0.05μm削られるというデータがある。0.2μmから1μm程度の厚みでは、数時間で、換言すると試料を数百枚処理した時点でコーティング層が破壊され、無くなってしまう。その結果、処理室の内壁の金属表面がプラズマに露出し、プラズマにより削られあるいは化学的に反応して変質し、これらが重金属汚染源となったり、あるいは処理室の特性を劣化させてしまう。63−138737号公報記載の発明は、汚染された絶縁材をチャンバから外して清浄した後、再度チャンバ内に装着して使用するものであるが、しかしながら絶縁材等をチャンバ内面に装着した場合には、プラズマ処理中に装着した絶縁材等の温度が変動して、プラズマ処理特性が大幅に変動する問題がある。significantly.【0009】本発明の目的は、処理室内面がプラズマにより変質したり重金属汚染源となることを防止すると共に、処理室内面の温度を所望温度に保持することにより、プラズマ処理特性を経時的に安定させるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。gap値に保持する圧力制御手段を備えていることを特徴とする。forceさせたことにある。material料からなることにある。thicknesses10mmにしたことにある。[0014]【作用】処理室の内壁としてセラミック等、重金属を含まない材料からなる内筒を用いているため、ウェハの処理時に外筒を構成するアルミニウムなどの金属面が露出せず、従ってプラズマによって金属が削られたり変質したりして、ウェハに対する重金属汚染源となることがない。C.あるいはそれ以上に達する。本発明では、内筒の温度を所望値、例えば100°C〜350°C、の間の所望値に制御するので、処理室の表面温度も所望値に維持されるために、エッチング特性は安定したものとなる。become.【0015】また、内筒表面温度を所望のパターンに制御することによりプロセスを安定化することも可能となる。tube,プラズマによってわずかづつ削られる材料を使用した場合には、内筒の内側表面が絶えず新しい表面に更新されるので、内側表面の変質による汚染の心配はなく、処理室としての特性の経時変化もほとんどない。内筒は重金属を含んでいないので、削られても汚染源となる心配はない。用いて本発明の実施例を説明する。FIG.【0018】まず図1は、本発明の一実施例になるマイクロ波プラズマ処理装置の一部を縦断面した正面図であり、図2にその要部拡大図を示す。1はマイクロ波の発振源としてのマグネトロン、2はマイクロ波の導波管である。3は、処理室4を真空封止しマイクロ波を処理室4に供給するための石英板である。(SiC)等のセラミックで作られた内筒6によって構成されている。処理室4の内面は絶縁物、外部は導電物であるため、処理室4は導波管の役目もしている。8B)は、磁場を供給する第二のソレノイドコイルである。処理室4は、真空室9に接続された真空ポンプにより真空排気される。10は、エッチング等の処理を行なうウェハ11を載置する試料台であり、高周波電源12が接続されている。13は処理ガス供給系であり、処理室4内にエッチング、成膜等の処理を行なう処理ガスを供給する。formation.【0019】外筒5と内筒6の間は、0.1〜2mm程度の隙間G14が有り、その間にガス供給系15を介して温度制御用の伝熱ガスが導入される。19、制御回路20を備えており、圧力検出器18で隙間14の圧力Pを検出し、この圧力Pを所望値に維持するように圧力制御弁17の開度を制御する。a.【0020】内筒6はサポート32に支持されている。32.一定量消耗したとき新しいものに交換するために、外筒5に対して着脱自在に支持されている。5.【0021】外筒5の外周には、処理室4を加熱するためのヒータ21が配置されており、温度検出器23により内筒6の温度Tを検出し、温度コントローラ22により外筒5の温度T0が制御される。21,外筒5の温度T0及び隙間14の圧力を所定値に維持することにより、内筒6の温度Tを所定値に維持するためのものである。value.【0022】プラズマエッチング処理に際しては、ガス供給系13から処理室4に処理ガスを所定の流量で導入しながら、他方真空ポンプにより真空排気することにより、処理室4の圧力を所定の処理圧力に調節する。22によって、外筒5の温度T0、内筒6の温度T、隙間14の圧力Pを所定値に制御する。value.【0023】他方、処理を行なうべきウェハ11を試料台10に載置、保持し、マグネトロン1及び第一、第二のソレノイドコイル7、8をオンとし、マイクロ波を処理室4に導びいて、処理室4内にプラズマ100を生成させ、ウェハ11にエッチング等の処理を行う。11,処理室4内壁として、アルミニウムなどの金属面が露出していないために、プラズマ100によって金属が削られたり変質したりして、ウェハ11に対する重金属汚染源となることがない。11.【0025】一方、内筒6を構成するSiCの内側表面は、プラズマ100によってわずかづつ削られる。重金属を含んでいないので、削られても汚染源となる心配はない。削られることにより、内筒6の内側表面が絶えず新しい表面に更新されるので、内側表面の変質による汚染の心配はなく、処理室4としての特性の経時変化もほとんどない。shaved,真空ポンプで処理室4から真空排気される。pump.【0026】ところで、エッチング処理時、処理室で発生する熱により内筒の温度が上昇する。なんら制御しなければ、内筒の温度Tは200°C〜350°Cあるいはそれ以上になる。プラズマエッチング処理における、エッチング特性は内筒6の内側表面の温度に大きく影響される。内筒6の表面温度の変化によって、内筒6とエッチングガスの反応が変化し、エッチングガスの雰囲気が変動するため、エッチング特性が安定しない。円筒6の温度が変化することにより、壁への堆積物質の組成や堆積量が変動したり、壁との反応速度が変動することにより、プラズマ中の組成が変動するため、エッチング特性が安定しない。stable.【0027】本発明では、ヒータ21により外筒5の温度T0の制御及び隙間14の圧力Pの制御を行うことにより、内筒の表面温度Tを100°C〜350°C、望ましくは150°C〜300°Cの間の所望値に制御する。本発明によれば、内筒6表面の温度Tが所定値に維持されるために、エッチング特性は安定したものとなる。Also,内筒6の温度が所定値に維持され、内筒6の内側表面のプラズマによる反応速度が安定するため、エッチングによって内筒6の表面が削られる量も一定になる。これによって、処理室4としての特性も安定したものとなる。内筒6の温度制御機能を示すものである。6をT0に近つけることを示している。T0.【0029】この場合、図4に示すように、隙間14の圧力Pを上げることにより、温度TとT0の差を小さくできる。±20°Cに保持することが可能である。ガスの種類、放電条件等の組合せにより最適値が異なってくる。conditions.【0031】例えば、処理ガスとしてCF系ガスを用い、円筒に石英を用いて図12に示すレジスト付酸化膜試料を処理する場合、内筒の温度を制御しない時は、図13に示すように試料処理枚数が増加するに従い、内筒はプラズマからの熱を受け徐々に上昇してゆき、飽和温度となる。この時、酸化膜のエッチング速度の変動は少ないが、内筒の温度上昇に従いレジストのエッチング速度は除々に低下し、内筒温度が飽和するとレジストのエッチング速度も安定する。stabilized.【0032】一方、内筒の温度をあらかじめ図13の飽和温度に保持すれば、試料処理枚数の始めから安定したレジストのエッチング速度を得ることができる。エッチング速度を得ることができる。initial.【0034】なお隙間14としては狭い方がガスによる熱伝達性が良いが、2mm程度の間隙迄その効果が生じる。gap.【0035】実施例における内筒6の材料は、磁場を用いたマイクロ波放電のために非磁性の材料であり、プラズマによって変質せず、かつ、重金属を含まないことが必要である。(Al2O3)等の材料が挙げられるが、プラズマ処理内容によっては、アルミニウム材料でも良い。material.【0036】また、内筒6は、所定値以上の機械的な強度と耐久性が要求される。内筒6を構成する実施例でのSiCの厚さは、プラズマ処理時に作用する外力に耐えられる機械的な強度を有すると共に、プラズマ100によって削られながらも、多量のウェハ処理に耐えうる耐久性を有するものでなければならない。エッチングにより毎分約0.05μm削られるとして、実用上、数万枚のウェハ処理に耐えうるために、SiCの厚さは2〜10mmあれば足りる。100°C〜350°Cの温度に制御するのが良い。°C.【0038】図5は、本発明の他の実施例のマイクロ波プラズマ処理装置の縦断面図である。処理室4は、例えば純度の高いアルミニウムで作られた外筒5と、その内側に配置されたセラミック製の内筒6によって構成されている。処理室4の内面は逆テーパ状となっており、内筒6は円錐台型となっている。外筒5と内筒6の間には隙間14がある。6,アルミニウム製の波板30が配置されており、バネ力によって波板30が外筒5と内筒6に接触している。外筒5の外周には加熱用のヒータ21が配置されている。内筒6の下端部はバネ31を介して支持部32に保持されている。6の接触力を高めている。5と内筒6間の熱膨張の差を吸収する機能も備えている。with.【0039】この実施例でも、SiCで構成される内筒6の機能は、前に述べた実施例と同じである。この実施例では、外筒5と内筒6の間の熱の伝達を、波板30による接触熱伝導方式と、隙間14内のガスによるガス伝導方式の組み合わせとしている点に特徴がある。6が外筒5の温度T0に対して差の少ない値に維持されるために、エッチング特性は安定したものとなる。stable.【0040】上記図1〜5の実施例に於いて、内筒6の温度は(間接的に検出されれば)直接検出しなくてもよい。内筒6に温度検出器23を付加することにより、下記に示す効果がある。below.【0041】(1)内筒6の温度Tを更に正確に制御するために、隙間14の圧力を可変にする、又は外筒5の温度を細かく調整することが可能となり内筒の温度制御性が向上する。improved.【0042】(2)内筒6の温度を監視し、内筒6の温度が所定範囲外の時はプラズマ処理をしない等の警報出力を出したり、プラズマ処理を停止することができる。range,内筒の温度制御性が一層向上する。improved.【0044】図7は、本発明の他の実施例として、平行平板プラズマエッチング装置への適用例を示す。この装置は、真空容器としての処理室4は、外室40と、上板41と、側壁42と、底板43とから成る実質的に閉じた金属反応で構成されている。真空容器中に一対の対向する平行平板電極(外室40の内壁に接地されたアノード、外室40に絶縁体46を介して装着されたカソード47)を備え、カソード47に高周波エネルギーを供給する高周波電源48がある。処理室4を部分的に真空排気する真空ポンプへの接続部44と、弁制御される導管45を通して反応ガスを処理室4へ供給する反応ガス供給源とがある。etchedは、カソード47の上に載置される。43の内面に形成されている。外室40と内筒49の間には隙間50が有り、その間にガス供給系を介して温度制御用の伝熱ガスが導入される。50の圧力Pを所定値に維持するように動作する。Also,外室40の外周には、処理室4を加熱するためのヒータ51が配置されており、図1の実施例で述べたと同様に、温度コントローラによりヒータ51の温度T0が制御され、内筒49の温度Tをコントローラで所定値に維持することができる。内筒6に温度検出器23を付加してもよい。6.【0046】このような構成により、ウエーハ11のプラズマエッチング時に、内筒49の温度を所定値に維持することにより、前に述べた実施例と同様な作用により、プラズマによって金属が削られたり変質したりすることがないという効果が得られる。内筒49の内側表面が絶えず新しい表面に更新されるので、内側表面の変質による汚染の心配はない。内筒49の温度が所定値に維持されるため、安定したプラズマ処理が可能となる。平行平板型エッチング装置では内筒材質は非磁性材料に限定する必要はない。applicationに示す。show.【0048】図8は本発明を、マグネット80を備えたマグネトロンRIE装置に適用した例である。真空容器としての処理室4は側壁42と、ウェハ11を載置する試料台10とを備えており、試料台10の電極に高周波エネルギーを供給する高周波電源48がある。controlledへ供給する反応ガス供給源とがある。the.【0049】SiCで構成される内筒49が側壁42の内側面に形成されている。側壁42と内筒49の間には隙間が有り、その間にガス供給系15を介して温度制御用の伝熱ガスが導入される。備えており、隙間の圧力Pを所定値に維持するように動作する。22の温度T0が制御され、内筒49の温度Tを所定値に維持することができる。value.【0050】このような構成により、ウエーハ11のプラズマエッチング時に、内筒49の温度を所定値に維持することにより、前に述べた実施例と同様な作用により、安定したプラズマ処理が可能となる。プラズマによって金属が削られたり変質したりすることがないという効果が得られる。内筒49の内側表面が絶えず新しい表面に更新されるので、内側表面の変質による汚染の心配はない。無磁場タイプの装置に適用した例であり、処理室4はシリコンプレート90と石英チャンバ92とで囲まれている。91は加熱されたアンテナ部材、95は上部ヒータである。この実施例においても、ウエーハ11のプラズマエッチング時に、石英チャンバ92の温度を所定値Tに維持することにより、前に述べた実施例と同様な作用により、安定したプラズマ処理が可能となる。プラズマによって石英チャンバ92の内側表面が絶えず新しい表面に更新されるので、内側表面の変質による汚染の心配はない。有磁場タイプの装置へ適用した例である。110はアンテナである。vessel,内筒112、外筒114、ウェハ11を載置する試料台10とを備えており、試料台10の電極に高周波エネルギーを供給する高周波電源48がある。処理室4を部分的に真空排気する真空ポンプへの接続部と、弁制御される導管を通して反応ガスを処理室4へ供給する反応ガス供給源とがある。control20を備えている。114の間には隙間が有り、その間にガス供給系15を介して温度制御用の伝熱ガスが導入される。circuit,隙間の圧力Pを所定値に維持するように動作する。温度コントローラによりヒータ116を介して外筒114の温度T0が制御され、内筒112の温度Tを所定値に維持することができる。value.【0054】このような構成により、内筒112の温度を所定値に維持することにより、前に述べた実施例と同様な作用により、安定したプラズマ処理が可能となる。treatment.さらに、プラズマによって金属が削られたり変質したりすることがないという効果が得られる。内筒の内側表面が絶えず新しい表面に更新されるので、内側表面の変質による汚染の心配はない。有磁場タイプの装置へ適用した例である。120は電極、48は高周波電源である。真空容器としての処理室4は、セラミックプレート124、内筒122、ウェハ11を載置する試料台10を備えている。temperature-controlled6及び隙間ヘガスヲ供給するガス通路130を備えている。備えており、隙間の圧力Pを所定値に維持するように動作する。controller26を介してセラミックプレート124の温度T0が制御され、内筒122の温度Tを所定値に維持することができる。value.【0056】このような構成で内筒122の温度を所定値に維持することにより、前に述べた実施例と同様な作用により、安定したプラズマ処理が可能となる。プラズマによって金属が削られたり変質したりすることがないという効果が得られる。内筒の内側表面が絶えず新しい表面に更新されるので、内側表面の変質による汚染の心配はない。surface.【0057】以上、図8〜図11で述べたいずれの実施例も、磁場や電界への影響を少なくするために、内筒の材質は非磁性非金属材料とするのが好ましい。material.【0058】本発明は以上述べたプラズマエッチング処理に限らずCVD装置やスパッタ装置にも適用できる。above.【0059】また、内筒の温度を所定値に維持することでプロセスを安定化させる場合に限らず、例えば、ロットの初期に故意に内筒温度を変化させて、ロット初期のプロセスの変化を補正する場合にも同様に適用できる。correcting.すなわち、内筒の温度制御性を改善することにより、プロセスの安定化が可能になる。process.【0060】尚、図1〜図11で述べた装置は、次のようにして使用される。装置起動開始前に、内筒の温度を所望温度に制御し得るか否かがチェックされる。処理室4内は、真空ポンプの作動により所定の圧力に減圧排気される。その後、ヒータが作動させられる。このヒータの発熱により内筒が加熱される。これと前後して隙間には、伝熱ガスが供給され、隙間のガス圧力は、所定の圧力に調節される。内筒の加熱は、隙間に供給された伝熱ガスの熱伝導を利用して実施される。加熱される内筒の温度は、直接又は間接に検出され所望温度に制御される。これにより、内筒の温度を所望温度に制御し得ることが確認される。still,内筒の温度を所望温度に制御し得ない場合は、ヒータの作動及び隙間への伝熱ガスの供給が停止され、不都合部分のチェック、復旧がなされる。performed.【0061】一方、図示を省略した搬送装置により、処理室内にはウェハが、この場合、1個搬入される。device,その被処理面と反対面を試料台の試料載置面に対応して該載置面に載置される。CVD装置、スパッタ装置等の処理時にウェハを加熱する必要が有る装置では、加熱機能を有する温度制御手段が付設される。試料台の試料載置面に載置されたウェハは、バネ力や荷重を利用した機械的クランプ手段や静電吸着手段や真空吸着手段等により試料台に保持される。load.【0063】その後、処理室内には、処理ガスが所定流量で供給される。処理室内に供給された処理ガスの一部は、作動している真空ポンプにより処理室外へ排気され、これにより処理室内の圧力は、ウェハの処理圧力に調節される。wafer.【0064】このような状態で、処理室内の処理ガスは放電によりプラズマ化される。試料台の試料載置面に載置されたウェハの被処理面は、該プラズマにより処理される。該処理時にウェハの温度は、所定温度に制御される。temperature.【0065】ウェハの処理時に、内筒の温度は連続、または、随時モニターされる。該モニター温度は、予め設定された所望温度と比較され、該比較結果に基づき内筒の温度は所望温度に制御される。内筒の温度制御は、外筒と内筒との隙間の伝熱ガスの圧力を調節するか、ヒータ発熱を調節して外筒の温度を調節することで実施される。is該隙間に供給される伝熱ガスの供給量または圧力を調節することで実施される。gap.【0066】一般に、複数個のウェハが1個毎連続して処理される。この場合、内筒の温度は、複数個のウェハの処理が完了するまでウェハ1個の処理時にモーターされ、そして、所望温度に制御される。内筒の温度モニターに不都合が生じた場合や内筒の温度を所望温度に制御し得なくなった場合、ウェハの処理特性を安定に維持出来なくなったと判断され、ウェハの処理は中断される。該中断時に問題の解決対策が実施される。その後、引続き複数個のウェハの処理が再開される。resumed.【0067】内筒の温度モニターの不都合や内筒の温度を所望温度に制御し得なくなるといったことは、制御装置を介し何等かの警報を発することでオペレータに伝えられる。これによりオペレータは、復旧対策を講じウェハの処理を再開させる。内筒の温度制御に係る要因をモニターしておくことで、ウェハ処理の中断に至までの来歴をチェックすることができ、その原因の究明、復旧対策を的確・早期に実施することができる。can.【0068】また、処理室内は、クリーニング処理される。該処理は、内筒表面等の処理室内面や試料台等の処理室内に配置されている内部品面を拭き取るか、クリーニング用ガスのプラズマを利用して実施される。Also,該処理は、ウェハの処理前や、複数のウェハの処理途中や、ウェハの処理完了後に実施される。あってウェハの処理開始前に内筒の温度を所望温度に制御し得るか否かがチェックされる。Also,プラズマを利用してクリーニング処理する場合、該処理中または該処理終了後であってウェハの処理開始前に内筒の温度を所望温度に制御し得るか否かがチェックされる。checked.【0070】更に、処理室内では、慣らし放電(シーズニング)処理が実施される。該処理は、その日のウェハ処理開始前や、クリーニング処理終了後であってウェハの処理開始前に実施される。この場合、慣らし放電処理中に内筒の温度を所望温度に制御し得るか否かをチェックするようにしても良い。temperature.【0071】プラズマ処理特性を経時的に安定させるためには、ウェハの処理条件に応じた温度に内筒の温度を制御する必要が有る。タイプ等が挙げられる。like.【0072】そこで、ウェハの処理条件が上位制御装置またはオペレータにより処理装置の制御装置に入力される。該制御装置には、ウェハ処理条件に応じた内筒の温度が予め入力されている。制御装置では、入力されたウェハ処理条件に応じた内筒の温度が制御温度として選択・設定される。検出・モニターされた内筒の温度は、制御装置に入力される。temperature,制御温度と比較演算され、該結果に基づき内筒の温度は制御温度に制御される。temperature.【0073】更に、例えば、ウェハが多層膜構造である場合、それぞれの膜の膜質、処理ガス種、放電条件等に応じた温度に内筒の温度を制御するようにすれば、プラズマ処理特性を木目細かく経時的に安定させることができる。time.【0074】慣らし放電(シーズニング)処理後の1ロッド処理中にウェハの処理性能が変化する場合には、処理性能を一定化するために、内筒の温度を所望の温度パターンに沿って変化させると良い。good.【0075】これまでは、チャンバの内筒の温調を対象に述べて来たが、試料台の周辺に設置される試料台カバーの温調に対しても同様に適用できる。stage.【0076】図14に本発明を適用した試料台部分の実施例の断面図を示す。試料台10中は温調用液体が循環し、所望の温度に保持されている試料台の表面には絶縁物が塗布されており、処理室に放電が生じている状態で静電チャック用直流電源54により、試料11を静電力により試料台10に引きつける。Heガス等)を導入する。試料台10の上部周囲には試料台カバー(アルミナ等の絶縁物やSiC等の抵抗体)が設置され、金属製の試料台10をプラズマにさらした時問題となる金属類の放出を阻止している。ところで試料台カバー表面50には、プラズマ中のイオン・ラジカル等が衝突するため温度が上昇する。試料周辺の試料台カバー50の温度が変動すると、試料周辺における科学・物理反応が変化し、試料の処理特性を変化させる欠点があった。そこで試料台10と試料台カバー51との間にガス封止手段51(例えば0リング等)を設け、その間に伝熱ガスを導入する。圧力制御等については内筒の場合と同様である。図14では、試料冷却用伝熱ガスと試料台カバー冷却用伝熱ガスとを併用しているが、別々に供給しても良いことはもちろんである。[0077]【発明の効果】本発明によれば、プラズマに直接接触する内筒の温度を制御することが可能となり、プラズマ処理の経時的な特性変化の制御が可能となる。処理室を構成する非磁性でかつ導電性の金属材料がプラズマにより削られたり変質したりして重金属汚染源となることを防止すると共に、処理室の壁面が処理室内で使用される反応ガスにより化学的腐食するおそれの無い状態で、安定したプラズマ処理特性を有するプラズマ処理装置及び方法を提供することができる。DRAWINGS【図1】本発明の一実施例になるマイクロ波プラズマ処理装置の一部を縦断面した正面図である。invention.【図2】図1の内筒の温度制御部を示す要部拡大図である。1.【図3】図1の温度コントローラの機能を示す図である。1.【図4】温度制御における隙間の圧力Pと温度差の関係を示す図である。control.【図5】本発明の第2の実施例のマイクロ波プラズマ処理装置の縦断面図である。invention.【図6】図5のプラズマ処理装置の要部横断面図である。FIG.【図7】本発明の第3の実施例になる、平行板プラズマエッチング装置の縦断面図である。apparatus.【図8】本発明を、マグネトロンRIE装置に適用した例の縦断面図である。無磁場タイプの装置に適用した例の縦断面図である。有磁場タイプの装置へ適用した例の縦断面図である。有磁場タイプの装置へ適用した例の縦断面図である。device.【図12】本発明の装置で処理される試料の一例としての、レジスト付酸化膜試料の縦断面図である。sample.【図13】ウェハ処理枚数と内筒の温度との関係を示す図である。tube.【図14】本発明を適用する処理装置の試料台カバー部の実施例の断面図である。特徴とするプラズマ処理装置。前記内筒の温度を所定の範囲に保持する温度制御手段が、前記内筒の温度を±20°C以内に保持することを特徴とするプラズマ処理装置。前記内筒が、非磁性材料からなることを特徴とするプラズマ処理装置。material.【請求項5】前記第1の温度制御部は、前記外筒に付設されたヒータを備え、該ヒータにより前記外筒の温度を常温〜350°Cに調整するよう構成されていることを特徴とする請求項1ないし2項のいずれかに記載のプラズマ処理装置。~150°Cに調整するよう構成されていることを特徴とする請求項1ないし2のいずれかに記載のプラズマ処理装置。波板であることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。10mmにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。of記載のプラズマ処理装置。according.【請求項10】前記内筒の材質がアルミニウムであることを特徴とする請求項9記載のプラズマ処理装置。