Japanese)オフ特性を向上させ、よりオンオフ比が高く信頼性の高い有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子を提供すること目的とする。電極を順次積層してなる積層構造を有する有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子とする。バリア層の厚さは、1nm以下であることが好ましく、0.1nm以上1nm以下であることがさらに好ましい。Transistor、以下単に「有機TFT」ともいう。研究開発が行われている。有機半導体を用いた有機TFTについての公知の技術として、下記非特許文献1に、基板、ソース電極、銅フタロシアニン層(以下「CuPc層」という。)、ドレイン電極を順次積層し、このCuPc層内部に真空蒸着によりアルミニウムのゲート電極を埋め込んだ縦型有機TFTが記載されている。電極を積層してなる有機薄膜トランジスタが記載されている。Japanese)本発明は、有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子に関し、有機エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ素子や有機論理素子等に好適に用いられるものである。第一の電極、トランジスタがオフ状態である場合は電荷の移動に対して障壁となる一方、ゲート電極に電圧を印加し、トランジスタがオン状態である場合はトンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層(以下、「バリア層」という。電極を順次積層してなる積層構造を有する有機薄膜トランジスタ。前記バリア層は、金属酸化物により形成されていることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。前記バリア層は、1nm以下であることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。前記バリア層は、0.1nm以上1nm以下であることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。Orbit)準位よりも小さな仕事関数を満足する金属的な性質の材料により構成されていることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。Orbit)準位を満足する有機半導体材料により構成されていることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。前記第一の電極はソース電極、前記第二の電極はゲート電極、前記第三の電極はドレイン電極として機能することを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。前記バリア層は、前記第一の有機半導体層のHOMO準位及び前記第一の電極の仕事関数よりも大きなHOMO準位もしくは仕事関数を有することを特徴とする請求項1記載の有機薄膜トランジスタ。基板、第一の電極、トランジスタがオフ状態である場合は電荷の移動に対して障壁となる一方、ゲート電極に電圧を印加し、トランジスタがオン状態である場合はトンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層(以下、「バリア層」という。基板、第一の電極、第一の有機半導体層、ゲート電極として機能する第二の電極、第二の有機半導体層、トランジスタがオフ状態である場合は電荷の移動に対して障壁となる一方、ゲート電極に電圧を印加し、トランジスタがオン状態である場合はトンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層(以下、「バリア層」という。前記バリア層は、前記第一の有機半導体層のHOMO準位及び前記第一の電極の仕事関数よりも大きなHOMO準位もしくは仕事関数を有することを特徴とする請求項9記載の半導体素子。Japanese)上記の特許・技術に関心のある方は、下記問い合わせ先にご相談下さい。