Japanese)低温で成膜可能で広いバンドギャップを有し、安価に製造できるシリコンカーバイドよりなるn型半導体を提供することを課題とし、珪素、炭素及び窒素を有効成分とし、珪素と炭素の原子数比が1対3~5であり、珪素と炭素の合計原子数に対して窒素の原子数が1~5%であることを特徴とする窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるn型半導体、及びアルキルシラン化合物及びアルコキシシラン化合物から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物と、シラザン化合物とを原料とし、プラズマCVD法により、n型半導体を基板上に薄膜として形成することを特徴とするn型半導体素子の製造方法により解決しようとする。しては、一般にシリコン半導体が用いられている。一方でより高性能な半導体素子を求める研究もなされている。その一つとして、シリコンカーバイト(SiC)が次世代の半導体として注目されている。優れ、放射能に対する耐性が2桁高い。バンドギヤップも、Siに比べて大きい特徴もある。耐放射線性の半導体となり得る可能性がある。そこで、超低損失の電力変換デバイス、携帯電話の基地局等に使用される高周波素子としても期待される。このため単結晶SiCをベースとした半導体の研究開発が多く行われている。n型のSiC半導体実現のためには、SiC中にドナーとなる周期律表第5族の元素をドープする必要があり、一般にはSiCを2000°C近く加熱し、窒素ガスをSiC中に拡散させるか又は800°C近くでイオン注入する方法が採られている(非特許文献1)。これらの研究ではn型半導体とするため極めて高い温度を必要とし、光電発電等の目的で透明なガラス基板上への半導体膜の形成が困難であるうえ、窒素ガスなどのSiCへの拡散は、容易ではなく、ドナー密度は1×1010~5×1012cm-3程度である。用い、CVD法(化学蒸着法)により、窒素含有SiC薄膜を合成することを試みた(非特許文献2)。原料としてヘキサメチルジシラザンを原料としプラズマCVDを用いて基板上に薄膜を形成させた。この膜は、X線光電子光(XPS)によりSi-C結合を有することが確認され、広いバンドギャップが計測された。この膜はn型半導体としての機能を示すものではなかった。Japanese)本発明は、n型アモルファスシリコンカーバイド半導体素子及びその製造方法に係わる。詳しくは、窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるn型半導体及びその製造方法である。常温~80°Cで常圧下に液体であるアルキルシラン化合物及びアルコキシシラン化合物から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物と、常温~80°Cで常圧下に液体であるシラザン化合物とを原料とし、前記シラン化合物に対して、前記シラザン化合物を0.1~10モル%用いて、プラズマCVD法により、窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるn型半導体を基板上に薄膜として形成することを特徴とするn型半導体素子の製造方法。