Japanese)超格子技術を用い,人工的に結晶成長方向にMnの価数を変調させると電荷整列相が安定になると仮定し,この方法を電荷整列現象は示さず基底状態はAタイプの反強磁性金属であるLa0.5Sr0.5MnO3に適用した。本研究では,変調方位および積層周期を変化させた時の基底状態の変化を調べた。コンビナトリアルレーザーMBE法により,1枚のSTO基板上に5つの異なる薄膜および積層周期の異なる超格子を作製した。図1に基板上に作製された両単層膜および3つの異なる超格子周期を持つ超格子[LSMO(x=0.2)m/LSMO(x=0.8)m]n;(m,n)=(1,96)(4,24)(16,6)の磁場中での温度-抵抗率曲線を示した。超格子周期の大きいm=16では挙動がx=0.2に似ており,Tp近傍においてMR効果が大きく,低温では小さいのに対し,超格子周期の小さいm=1では,報告されているx=0.5薄膜の挙動に似ており,Tp近傍ではMR効果が小さく低温になるほど大きくなる結果が得られた。