【解決手段】トンネル電界効果トランジスタによる集積回路は、第1のP型領域及び第1のN型領域の一方がソース領域、他方がドレイン領域として動作する第1のトンネル電界効果トランジスタと、第2のP型領域及び第2のN型領域の一方がソース領域、他方がドレイン領域として動作する第2のトンネル電界効果トランジスタとが、同一極性で一つの活性領域に形成されるとともに前記第1のP型領域と前記第2のN型領域とが隣接するように形成され、隣接する前記第1のP型領域と前記第2のN型領域とが金属半導体合金膜により電気的に接続されていることを特徴とする。