ウェブサイトをご覧いただくには、ブラウザのJavaScript設定を有効(オン)にしていただく必要がございます。塚本新教授の共同研究成果が「NatureElectronics」誌に掲載、日本大学と京都大学の共同プレスリリースが行われました。グループ他との国際共同研究の成果が、9月19日付で国際科学誌「NatureElectronics」のオンライン版に掲載され、日本大学と京都大学の共同プレスリリースが行われました。<プレスリリースより一部転載>反強磁性的な磁化結合をもつフェリ磁性体の磁壁に対して、電流と磁化の相互作用であるスピン移行トルクが与える効果を実験および理論の両面から解明しました。磁壁移動に対して、磁壁移動速度に占める非断熱スピン移行トルクの効果が大きいことを実証しました。本成果は、反強磁性体を利用した高速動作の磁壁メモリの実現へ向けた道筋となることが期待されます。磁壁メモリを実現するうえで、反強磁性体が有力な材料候補として精力的に研究されています。反強磁性体は自発磁化を持たないことから外部磁場による磁化制御が困難なため、反強磁性体の磁壁に作用するスピン移行トルクを実験的に調べた報告はこれまでありませんでした。