ユニットリーダ兼任)と共同で、ディラック電子の超高速伝導が磁気状態に依存して劇的に変化することを発見しました。この効果を利用して、ディラック電子を電気伝導層であるビスマス層(二次元層)内に強く閉じ込めることにより、ディラック電子層が積層したバルクの磁性体において初めて、ホール抵抗値が離散的となる半整数量子ホール効果を実現しました。いう新規学術分野の開拓だけでなく、超高速で省エネルギーなエレクトロニクスへの基礎となる超高速スピントロニクス実現に向けた新機軸になると期待されます。Advances誌(日本時間1月30日午前4時)に掲載されました。