温度が安定した後に、更に厚さ1マイクロメートルのn型GaNバッファ層5を基板1上に成長する。温度が安定した後に、更に厚さ1マイクロメートルのn型GaNバッファ層5を基板1上に成長する。特許庁また、クラスタ生成装置1は、1つのクラスタに所属する複数のNFAを、1つのNFAに統合してメモリに書き出すNFA統合部115をさらに含めて構成されることを特徴とする。本発明に係るNb_3Sn超電導線は、ブロンズ法により作製され、Nb/ブロンズ1の周りにSn拡散防止用のNbバリア3を、さらにその外周に安定化銅部4を備えたNb_3Sn超電導線であり、Nb/ブロンズ1とNbバリア3との間にCu層2を介在させたものである。特許庁(a)で示すように、絶縁性基板であるサファイア基板1上に、n型電極引出しのためのバッファ層となるn型GaN層2を成長させ、さらに絶縁膜であるSiO_2薄膜4を蒸着して開口部5を形成する。透明電極5,6は、インジウムを主成分とする被蒸発物質を用いてイオンプレーティング法によりガラス基板1,2に成膜されて成り、さらに、光透過率が波長400nmで85%以上、波長350nmで70%以上である。:40重量部、炭酸カルシウム:60重量部、メチルセルロース:1重量部及びステアリン酸アルミニウム:0.5重量部を混合し、さらに水を添加し、混練して調湿仕上塗材とする。例文さらに、上記構成でバルブ1外面に、少なくとも300〜400nmの波長域内の光を透過する保護ガラス管15または保護チューブ16を設けて、補強する構成も採られる。特許庁フルエンスが250μJ・cm^−2・パルス^−1で、パルス長が30nsの、157nm直線偏光パルスレーザビームの1000万パルスをかけた後でも低い偏光誘起複屈折を示し、あるいはさらに望ましくは、実質的に偏光誘起複屈折を示さない、約300nmより短波長で動作するリソグラフィ用途に適する石英ガラス材料を提供する。特許庁フィルム記録の飛び抜けた長命性を利用し、さらに1キロバイト毎平方ミリより著しく高い記録密度をも与えるデータ記録の方法および装置を提供する。消石灰:25重量部、鹿沼土(アロフェン):25重量部、砂:50重量部、エチル酢酸ビニル(EVA):1重量部及びステアリン酸アルミニウム:0.5重量部を混合し、さらに水を添加し、混練して調湿仕上塗材とする。紫外線レーザ光1としては、例えば波長が100〜400nmの範囲からなり、各種の硬質材料の全てに対して明確にマーキングを施せ、熱衝撃によるクラックを生じさせることのない必要があることから、157nm以上355nm以下の範囲であることが好ましく、更には熱衝撃に特に弱い硬質材料も存在することから、300nm以下が望ましい。半導体基板1上にn型シリコン層2aをエピタキシャル成長により形成し、さらに、CoSi_2層6および酸化シリコン膜7を形成した後、シリコン層2aの中央部に開口部8を形成し、開口部8内にタングステン膜等を埋め込むことによりゲート電極10aを形成する。Oxide膜)である第2の導電性層3,6が形成されていることを特徴とする透明導電性複合フィルムA(またはシートB)。参加元一覧にて確認できます。Reservedピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。単語の閲覧履歴を確認できます。さんログインWeblio会員(無料)になると検索履歴を保存できる!語彙力診断の実施回数増加!weblio会員になると無料で単語帳や語彙力診断テストの機能を利用することができます。RSSnon-memberさらぬま1ちょうめ。