Japanese)ガスセンサとしては,多くの種類が知られている。半導体特性をもつ金属酸化体(SnO2)は水素ガスに触れると金属酸化体の酸素が還元されるため,抵抗値が変化する。この抵抗値変化により水素濃度を検出する半導体式の水素センサがある。同様の原理を用いており,ヒーターの役割もしている白金線に金属酸化物半導体を焼結して,ブリッジ回路で素子の抵抗値変化をとらえる熱線型半導体式の水素センサもある。これら半導体式や熱線式ではバルクな材料を用いているため,量産性が悪く,動作温度としても約300°C以上で動作させる必要があった。量産性が良く室温近くでの動作するものとして,電界効果型トランジスタを使った水素センサが知られている。15-20(文献1)で報告されている。158-163(文献2)で報告されている。電界効果型トランジスタを用いた小型ガスセンサは,測定ガスの濃度に応じて触媒金属の仕事関数が変化するのを電気信号として捉えるものである。同様に触媒金属の仕事関数変化の現象を使ったものとして他にショットキーダイオードなどいくつかの半導体デバイス構造のガスセンサが報告されている。Japanese)本発明は、ガスを検知するセンサの構造及び検出方法に関する。ガス濃度を測定するガスセンサに関し、ガス生成プラントや,水素ガスステーション,自動車や家庭,ビルなどに設置された燃料電池システムからのガス漏れ検知装置として利用できる。技術移転に関しては岡山TLOが窓口になります。