Japanese)表面を形成する第1層と、第1層の裏面側に存する第2層と、を含んでなる被加工物に、表面側からレーザビームを照射することで被加工物を加工するレーザ加工装置は既に知られている(例えば、特許文献1等)。特許文献1には、「例えば銅および/またはエポキシからなる第1層(42、図2)と、成形化合物からなる第2層(44)とを有する」(特許文献1の発明の詳細な説明中、段落番号0013最後部分)被加工物を切断(加工)するレーザ加工装置が開示されている。詳細には、特許文献1の発明の詳細な説明中、段落番号0014~0015において、次に引用するレーザ加工装置が開示されている。図3に、本発明の一実施形態の切断領域を示す。第1レーザ・ビーム(10)および第2レーザ・ビーム(20)は、X-Yステージ(30)によって支持されるICパッケージ(40)の同じ水平面を照射するように配置される。Nd:YAGレーザ源によって生成され、第2レーザ・ビーム(20)は、パルス持続時間7nsの1064nmのNd:YAGレーザによって生成される。ICパッケージ(40)は、X-Yステージ(30)に固定され、銅および/またはエポキシ材料を含む第1層(42)と、成形化合物を含む第2層(44)とを含む。第1ステップでは、第1レーザ・ビーム(10)は、基板上の第1層(42)上に位置する第1レーザ焦点に集束する。レーザ・ビーム(20)は、レーザ・ビーム(10)の近くに放射され、基板上の第2レーザ焦点上に集束する。この第2焦点は基板の動きの方向と反対の方向に第1焦点から偏位しており、第2層(44)上に位置する。X-Yステージは、所定の速度の下で所定のトラックに沿って(図では左から右に)移動するICパッケージ(40)を担持する。第1レーザ・ビーム(10)は、第1層(42)をトラックに沿ってスキャンし、第1層(42)の厚さ全体を貫通して第1切溝(142)を形成する。第2レーザ・ビーム(20)は、横方向に第1レーザ・ビームの下流側に偏位しており、(その時点で露出している)第2層(44)をトラックに沿ってスキャンし、第2層(44)の厚さ全体を貫通して第2切溝(144)を形成する。したがってICパッケージは、2つの切溝(142、144)によって分離される。(引用終わり)また、本出願人に係る発明者の一部は、レーザビームを被加工物の表面に照射して該表面を加工するレーザ加工において該加工される表面に吹き付けるアシストガスを噴射するための噴射ノズルに関する発明について特許出願を行った(特許文献2)。特許文献2には、「レーザビームを被加工物の表面に照射して該表面を加工するレーザ加工において該加工される表面に吹き付けるアシストガスを噴射するための噴射ノズルであって、該アシストガスが通過する該噴射ノズルの内部に形成された流路が、下流に行くにつれて断面積が減少する絞り部と、該絞り部を通過した該アシストガスを受け入れ下流に行くにつれて断面積が増加し先端部にて該アシストガスを噴射する拡張部と、を備えている、噴射ノズル」(特許文献2の発明の詳細な説明中、段落番号0009)が開示されている(なお、特許文献2に係る特許出願は特許第3789899号として特許された。Japanese)本発明は、レーザ加工に用いるレーザ加工装置に関し、より詳細には、表面を形成する第1層と、第1層の裏面側に存する第2層と、を含んでなる被加工物に、表面側からレーザビームを照射することで被加工物を加工するレーザ加工装置に関する。前記光路に対し反射鏡の反射面を変位させることで、第1レーザビーム及び第2レーザビームを照射しつつ第2領域に対する第1領域の相対位置を変更可能なものである、請求項6に記載のレーザ加工装置。技術移転に関しては岡山TLOが窓口になります。