リウエン氏およびNIMSワイドギャップ機能材料グループ主幹研究員の角谷正友氏らは、III-V族窒化物半導体に多重の中間準位(バンド)を形成することで、太陽光の高効率吸収に利用することに成功した。研究グループでは、白色・青色発光デバイス(LED)材料である窒化ガリウム(GaN、バンドギャップ:3.4eV)と窒化インジウム(InN、バンドギャップ:0.65eV)が同様の構造を持っていること、及びその波長範囲が太陽光の全波長範囲を含んでいることに着目した。(MOCVD法)を用い、n型InGaN層上に発電機能を発揮する領域としてInGaN/GaN量子井戸構造の30層からなり、In組成を変化させたInGaN量子ドットを各量子井戸に埋め込んだ構造の中間バンド太陽電池を作製した。750nmの光が吸収され、電気エネルギーに変換されていることを確認した。今回の成果は短波長の太陽光成分しか活用できないInGaN型の化合物半導体材料を用いる場合でも、複雑な構造となるタンデム構造を形成することなく広い波長範囲の太陽光成分を利用できることを意味し、その結果として変換効率が大きく向上できる可能性を示しており、太陽電池の効率向上に大きく寄与することが期待される。光ファイバ通信技術に焦点をあて、研究開発の変遷、要素デバイス、WDMやデジタルコヒーレント伝送技術に至るシステムに必須技術を分かりやすく解説。X線、レーザー、オプティクスなどの技術分野が一堂に会する専門展です。求職者と求人企業、双方によりメリットのある「採用・就職」のお手伝いをいたします。