(年度)2010概要グラファイトの単層であるグラフェンは、Siの200倍もの移動度ゆえ世界中でトランジスタ応用が期待されている。高移動度はテープによりバルクグラファイトから基板へ転写するという原始的手法によって達成されるが、面積が小さく位置制御できない。一方で、スケールアップが容易な化学気相成長では結晶性が悪く高移動度は得られていない。我々は原点に戻り、個々のデバイスに十分な大きさのグラフェンを指定位置へ配列する転写技術を確立することを目標に、基板表面処理により大型グラフェンを転写することに成功してきた。その結果を踏まえ今回、基板表面の静電気量を制御し大面積グラフェンの選択的転写技術の確立を目的とする。