CGの関係をそれぞれ示している。thfを利用して、データの“1”また“0”レベルに対応させる。Dを印加することによって行う。TRFに電流が流れない。VDはプルアップレベルに保持され、すなわち、約1Vになる。このドレイン電圧の差を検出することで、メモリセルに記憶されているデータは“1”また“0”と判断できる。"0".【0046】上記のフラッシュメモリにおいて、トンネル酸化膜3aはチャネル領域およびソース5a、ドレイン6aの領域上に存在するが、通常チャネル領域上に最も面積が大きい。トンネル酸化膜3aの初期不良の確率は酸化膜の面積に比例するので、チャネル領域上におけるトンネル酸化膜の不良を先に検出できることが好ましい。first.【0047】図9に示すように、チャネル領域上のトンネル酸化膜3aに欠陥があると、フローティングゲート2aとシリコン基板4とが導通される。thが上昇するので、チャネル領域が消失する。Dはプルアップレベルに保持される。不良メモリセルが読み出し時、常にオフ状態となり、フローティングゲート2aに電子が注入されたメモリセルと同様な状態になる。thを低い方に設定する。その後、個々のメモリセルに対して読み出しを行う。Dが0Vに近い値となる。Dはプルアップレベルに保持される。Dがプルアップレベルに保持されたメモリセルはトンネル酸化膜3aに欠陥があると判断される。thをローレベルに遷移させた後、個々のメモリセルに対して読み出しを行い、読み出し時、ドレイン6aの電圧がローレベルとなる場合、メモリセルが正常であると判断し、ドレイン6aの電圧がプルアップレベルに保持された場合、メモリセルのトンネル酸化膜3aに欠陥があると判断するため、メモリセルのフローティングゲートから電子を放出させる動作と一回の読み出し動作によって、トンネル酸化膜3aの初期不良を検出することができ、メモリの検査時間を短縮できる。time.【0052】さらに、以上の説明では、一つのメモリセルに二値の情報、すなわち“0”と“1”の二つのデータの内一つを記憶することを前提としている。一つのメモリセルに三値以上のデータの内一つを記憶できるいわゆる多値メモリの場合についても、上記第一および第二の実施形態の検査方法が有効であることがいうまでもない。多値メモリの場合は、検査項目が多くなり、検査時間が長くなるので、メモリチップのコスト増の大きな原因となるが、本発明の検査方法により、多値メモリの場合、検査時間を短縮させる効果が大きく、ひいては、多値メモリのコストの低減に大きく寄与することができる。cost.【0053】また、以上の説明では、第一の実施形態において、FLOTOX型のEEPROMを例として、第二の実施形態において、フラッシュメモリを例として説明を行ったが、本発明の不揮発性メモリの検査方法はこの二種類のメモリに限られることなく、トンネル酸化膜を有するすべての不揮発性メモリに対して有効であることはいうまでもなく、広範囲にわたって適用できる利点がある。range.【0054】本発明の検査方法によってメモリチップの良否を検査するとき、メモリチップ上に不良ビットが検出された場合、当該チップの検査をただちに中止し、次のメモリチップの検査を行うことにするので、検査時間の短縮に効果的である。[0055]【発明の効果】以上説明したように、本発明の不揮発性メモリの検査方法によれば、トンネル酸化膜の不良に起因する不良メモリチップを早期に発見でき、メモリチップの検査時間を短縮でき、ひいてはメモリチップのコストを低減できる。多値メモリの場合に、不良メモリチップの早期発見により、メモリチップの検査時間を大幅に短縮できる利点がある。DRAWINGS【図1】FLOTOX型EEPROMの簡略断面図である。EEPROM.【図2】EEPROMの電子注入時のバイアス状態を示す回路図である。EEPROM.【図4】EEPROMの読み出し時のバイアス状態を示す回路図である。read.【図5】フラッシュメモリの簡略断面図である。memory.【図6】フラッシュメモリの電子放出時のバイアス状態を示す回路図である。thfを示す図である。memory.【図8】フラッシュメモリの読み出し時のバイアス状態を示す回路図である。read.【図9】トンネル酸化膜に欠陥があるフラッシュメモリの簡略断面図である。上記メモリセルのしきい値電圧が所定のレベルになっているか否かを検査する不揮発性メモリの検査方法。上記メモリセルのしきい値電圧が所定のレベルになっているか否かを検査する不揮発性メモリの検査方法。上記メモリセルのしきい値電圧が所定のレベルになっているか否かを検査する不揮発性メモリの検査方法。