本セミナーは終了いたしました。ついて述べ、プロセスプラズマついてより深い理解を持って頂くよう解説する。プロセスガスの解離過程について、特に計算化学で得られる情報について、解説しプロセスレシピとガス混合比について考察する。今後に必要とされるダメージレスエッチング技術について、CDEを含めて、議論する。(14:30~16:15)プラズマを用いた原子層エッチングは、次世代の微細な三次元構造を持つ半導体デバイスを開発、製造する際に必要となる技術である。普及により、データ処理を担う半導体集積回路の微細化/三次元化は益々進んでおり、最小加工寸法が10ナノメートル以下となる今後の半導体デバイス製造プロセスには、原子層レベルの制御性でプラズマエッチングする技術が求められている。制御、エッチング装置、そして最先端の原子層エッチング開発事例までを、メーカーのエッチング技術開発の現場にいる講師が、実経験を交えながら分かり易く解説する。R&D支援センターお支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。ついてR&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。(割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。149,940円(税込)本セミナーは終了いたしました。(プライバシーポリシー)特定商取引に関する法律に基づく。