削減は火急の課題です。鉄道や電気自動車、エアコンや冷蔵庫などの、電力機器においては、エネルギー利用効率の一層の向上が求められています。その鍵となるのがインバータと呼ばれる電力変換回路の中核部品である半導体パワーデバイスの性能向上です。一方で、携帯電話やインターネットに代表される情報通信技術の進展は著しく、その発展には多量の電気エネルギーの消費を伴います。高性能化だけでなく低消費電力化が強く求められています。これまでの半導体デバイスを支えてきたのは主にシリコン(Si)であり、その高性能化の歴史はMOSトランジスタの微細化の歴史でした。ゆらぎなど)に直面します。したがって、今後、半導体デバイスのさらなる高性能化と低消費電力化を両立させるためには、新しい原理や新しい材料を導入し、ナノテクノロジーに代表される先端技術を積極的に活用することが重要となります。「環境元年」は、半導体材料・デバイスの研究開発にとっても大きな転換期です。半導体分野は新たな局面を迎えた活気に溢れる学際分野を提供しています。本研究室は、まだ作製技術や電子物性が明らかにされていない新規半導体材料の開拓に取り組み、また、新規なデバイス構造を取り入れることで、高性能化と共に低消費電力化を達成することを目指します。基礎研究から、半導体パワーデバイスの設計、試作・評価など応用研究まで幅広く展開しています。SiCデバイスの作製。Universityログイン。