品番は3文字以上指定して下さい。referenceクロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。情報は予告なく変更されることがあります。検索オンラインディストリビューター在庫検索オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。3文字以上指定して下さい。使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。下記より必要な情報をお探しください。東芝デバイス&ストレージ株式会社(以下、東芝デバイス&ストレージ)と株式会社ジャパンセミコンダクター(以下、ジャパンセミコンダクター)は、0.13μm世代のアナログパワーIC向けに、Nチャネル-LDMOS注1の信頼性を向上させる技術を開発しました。本技術は、ホットキャリア注入注2による経時劣化を抑制することで、従来技術と比較してLDMOSの寿命注3が5倍以上に改善し、アナログパワーICの飛躍的な長寿命化を実現します。ISPSD2018」にて、5月16日(現地時間)に発表しました。自動車の電動化やIoTの進展により、車載用途や産業用途における低消費電力なアナログパワーICの需要が高まっています。車載・産業向けの半導体は、長期の利用が前提となっており、高い信頼性を保持することが求められます。現在開発の進んでいるNチャネル-LDMOSは、従来製品よりも低いオン抵抗と高い信頼性を特長としており、今後、モーター制御や電源ICなどでの活用が期待されています。Nチャネル-LDMOSは、オフリーク電流と呼ばれるオフ状態であっても漏洩する電流が長期の使用によって急激に増加することが確認されています注4。オフリーク電流が増加すると、回路動作の不具合や消費電力の増加などの問題が起こるため、LDMOSの信頼性向上には、オフリーク電流の増加を抑制することが求められていました。そこで両社は、オフリーク電流増加のメカニズムを実験データとTCADを用いて解析し、ドリフト上のSTI領域注5を延伸した構造と、ドリフト上のSTIをステップドオキサイド注6に変更した構造が、オフリーク電流増加の抑制に有効であることを見出しました。第一のSTI領域を延伸した構造では、オン抵抗の増加があるものの追加工程が不要なため、ドライバー制御用ICなど、チップ全体に対してLDMOSの面積が小さい高耐圧アナログ回路での活用に適しています。第二のステップドオキサイド構造では、追加工程が必要になる一方、オン抵抗が低く高い電流が得られるため、モータードライバICやDC-DCコンバータ向け電源ICなど、半導体チップ全体に対してLDMOSの面積が大きい用途で有効です。東芝デバイス&ストレージのトランジスタ設計技術と、ジャパンセミコンダクターの車載アナログIC製造で培ったプロセス開発技術を組み合わせることで、用途に応じてLDMOSの構造を使い分けできるプロセスを実現しました。ステップドオキサイド構造のLDMOSは、TCADシミュレーションによるデザインの最適化後、従来のLDMOSよりもさらにオン抵抗を低減できることが確認されています。両社は引き続き、オン抵抗と信頼性の検証を行い、2019年までに本技術を使ったLDMOSを搭載したアナログパワーICの製品化を目指します。今後も、本技術をはじめとした半導体プロセスに関する技術開発を促進し、高信頼性や低消費電力など顧客価値の高い半導体製品を提供していきます。横方向拡散MOSのこと。ホットキャリア注入:ドレインーソース間の電界で加速されたホットキャリアが酸化膜等に注入されトランジスタ特性が劣化する現象のこと。2017)」における東芝デバイス&ストレージの論文による。Isolationの略。浅い溝に絶縁膜を埋めこみ、素子間・電極間を分離する領域のこと。ステップドオキサイド構造:階段状に酸化膜を形成したLDMOS構造のこと。今回開発した技術によるオフリーク電流増加抑制効果*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。Reserved.トップへ。