Memory)を開発した。スピン注入メモリ(STT-RAM)の1/10~1/1000の低消費電力、5倍超の記録密度を実現できるという。UCLA)STT-RAMでは、磁気トンネル接合に電流を注入することで電子のスピンを反転させてメモリセルの磁化方向を制御し、データの書き込みを行う。消費電力を小さくでき、書き込み回数にも制限が無いことから、フラッシュメモリを代替する次世代の不揮発性メモリとして有望視されており、一部で製品化も始まっている。今回UCLAが開発したMeRAMは、このSTT-RAMをさらに進化させたもの。電流書き込み型であるSTT-RAMでは不可避なジュール熱による電力損失を回避するために、電圧印加によってスピンの反転ができるようにした。IEDM2012での論文発表によると、同デバイスでは10ナノ秒のパルス電圧印加によりナノスケールの高抵抗磁気トンネル接合(HMTJ)のスイッチングを実証。A/cm2未満となっている。MeRAMは、商用化が始まっているSTT-RAMと、材料および製造プロセスの共通点が多い。このため、STT-RAMにおける電力・記録密度の制約を緩和しつつ、実用化を進めることができると期待される。発表資料おすすめ記事DARPA、体内で溶けてなくなる医療用シリコンチップ開発UCLA、ペロブスカイト系太陽電池の低コスト作製法を開発UCLA、液体ナノレンズを使った光学顕微鏡技術を開発。定番記事マックス・プランク研究所ら、絶対零度より低温の気体を実証。