Japanese)これまで、軟X線に対してはSi(シリコン)、硬X線に対してはCdTe(カドミウム・テルル)を主材料とする半導体素子により、検出素子を構成していた(特許文献1参照)。軟X線及び硬X線の双方に対して良好な感度を得ることは困難であった。一方で、CdTeは結晶の機械的強度が弱いため、微細なチップに加工し平面上に2次元に配列することが困難である。そのため、図6に示されるようにSi基板3上に接着層5を介してCdTe基板4を固定し、機械的強度を保ったうえで切断加工を行っていた。この技術においては、切断後の加工に際し接着層が障害となり、接着層を除去するなどの手間がかかっていた。このため製造段階で工程が複雑になり、コスト面での不利な状況が存在した。Japanese)この技術は、X線のような高エネルギーの電磁波を検出する半導体素子に関する。前記CdTeに替えて、CdZnTeとする請求項1に記載の広域エネルギーレンジ放射線検出器。