Japanese)下地の導電性の有無にかかわらず金属酸化物薄膜を形成するとともに、導電性金属薄膜の積層構造を簡便に形成する方法及び装置を提供する。亜臨界流体中に設けられた基板の表面に酸化反応により金属酸化物薄膜を成膜し、次に、還元剤及び導電性金属前駆体とを超臨界流体又は亜臨界流体中に溶解し、前記基板の表面に形成された金属酸化物薄膜を金属薄膜に還元するとともに、還元された前記金属薄膜上に前記導電性前駆体を還元し、導電性金属の薄膜を積層させる。Japanese)近年、有機溶媒など環境負荷の大きな物質を用いずに物質合成を行う技術が必要となっている。プラズマ放電雰囲気中等の、ドライプロセス(真空プロセス)で行われるのが一般的である。ドライプロセスは、単独の原子や分子あるいはそのイオンを直接加工に利用できる点から、極めて有効な手段としてこれまで発展してきた。真空の維持用の設備が必要であること、プラズマ発生装置が必要であること等が高コスト化の要因となっている。メッキや洗浄など液体を使うウェットプロセスでは、大量の廃液が発生し環境上の問題がある。CO2を媒質とする超臨界流体は、液体と気体の中間の性質を有し、表面張力がゼロの状態であり、また、他の物質を溶解する能力(溶媒能)が高いなど、特異な性質を兼ね備えている。化学的に安定、かつ安価、無害、低コストといった利点も兼ね備えている。これらに加え、気化・再液化により、CO2そのものの、及びCO2流体中に溶解している物質のリサイクルも可能という多くの特徴がある。集積回路製造プロセスにおけるウェハ洗浄工程を中心に、超臨界CO2を利用する研究・開発が進められている。洗浄工程では、超臨界CO2の溶媒能と安全性・リサイクル性に着目したプロセスが開発されている。超臨界CO2中では、表面張力がゼロであることに着目し、ナノレベルの配線を形成する微細加工プロセスの研究開発が行われている。Solution)が知られている。D.Matsonらは、原料物質を溶解した超臨界流体を膨張させ、過飽和となった原料を形成する技術を公表している。これを発展させ、超臨界流体中に酸化物錯体を溶解し、加熱された基板に吹き付けて金属酸化物薄膜を得る方法も開示されている(特許文献1および非特許文献1を参照のこと)。超臨界流体は表面張力がゼロであり、拡散係数も大きいので、ナノ細孔内に極めてよく浸透する。超臨界流体そのものを薄膜形成の反応場として用いることができれば超微細な構造内に物質を形成・充填することが可能となり、さらにCVDやメッキに替わる、低コストのグリーンプロセスを構築できる。H.Kato、Microelectron.Eng.第64巻(2002)495頁)、バイアホールやトレンチへのCu埋め込みや、Cuの拡散防止膜の形成など集積回路配線の製造に適用している(特願2003-17948「半導体装置の製造方法」、特願2003-17949「半導体装置の製造方法」)。同様の方法が特表2003-514115によっても開示されている。Japanese)本発明は、酸化剤と金属前駆体とを超臨界流体又は亜臨界流体に溶解させ、基板上に酸化物薄膜を形成する成膜方法、及び当該方法により生成した酸化物薄膜を還元することにより、金属の積層薄膜を形成する方法、並びにかかる成膜を生成する成膜装置に関するものである。請求項11に記載の金属薄膜の積層成膜装置は、酸化反応及び/又は還元反応の温度を調整する手段を更に備えたことを特徴とする金属薄膜の積層成膜装置。