ゲルマニウムダイオードの特徴ゲルマニウムダイオードゲルマニウムダイオードはゲルマニウムを半導体に使ったダイオードです。同じ時期にアメリカのベル電話研究所で1948年に発明されました。ダイオードの量産化によって市場から消えつつあります。低い順方向電圧降下がシリコンダイオードのそれに比べて低く、0.2V程度です。この特徴は小信号を扱うには都合がよく検波回路などにはよくつかわれました。ゲルマラジオはこの特徴をいかしたものです。寄生容量が極めて小さい寄生容量とは半導体が有する静電容量のことで、半導体に直列に又は並列にコンデンサを接続したような感じになります。高周波回路に適していると言えます。高温に弱い点接触型の構造のため、熱にに弱くハンダ付けによる実装に手間がかかり、また回路内の温度上昇により熱暴走しやすい。大電流のものが作りにくいシリコンダイオードのようにアンペア単位の電流を流せるものが作りにくい。主原料のゲルマニウムは希少金属ゲルマニウムダイオードのゲルマニウムを希少金属である為、高価であることから安価に量産化が難しい。うわまわってしまいゲルマニウムダイオードはショットキーダイオードの量産化によってその座を奪われてしまいました。データーシートも手に入りません。Reserved.メニュ。