世界初、単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造のGaN-HEMTを開発メインメニューをとばして、このページの本文エリアへサイト内検索フォームここから本文トップページニュースリリース世界初、単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造のGaN-HEMTを開発ニュースリリース掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。大きくトップページニュースリリース世界初、単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造のGaN-HEMTを開発ニュースリリースお問い合わせ。