"FGA"(合成气体退火)型热退火。得到的"DIT"值小于10').eV'W2,乃至小于几个10〜V-W2。10sccm〜1000sccm的流速送入。W〜3000W的范围内,优选接近500W。5秒〜60秒,优选10秒〜30秒。1分钟,或更优选为小于30秒。22划定了活性层21与背部23的界限。Hemment,第117-121页。优选氢和/或氦离子而形成,使得不会使氧化层32恶化(参见图2C)。1055-1063,该文,描述了这里所用的SmartCutTM法。或"绝缘体上接地面硅")以下将参考图3A〜3G描述该实施例。600(参见图3C)。(RTA),通常为在1050"C下进行约IO秒钟。50nm[纳米]的SiCb层32覆盖。氧化层32的DIT值为数个10〜V-W2。1016H"VCm2,注入能量为37keV,从而限定脆弱区22。氧化层32的自由表面320经历等离子体活化(图3E)。DIT值为数个10^eV'、m'2。DIT值约为数个10'o.eV十cm-2。