Silicon結晶成長の解析シリコン(ワイヤ)の成長については多くの研究がなされていますが、ワイヤ成長のための動的データはほとんど報告されておらず、VLS(vapor-liquid-solid)成長の未知の動態を明らかにするためには不可欠であると考えられます。VSL成長の基本的な理解は今後のナノワイヤ研究の鍵になります。用いて形成されたワイヤの側面と断面の両方を観察しました。滑らかな側面を有するワイヤは、滑らかな六角形の断面を有しますが、粗い側面を有するワイヤは、放射状のパターンを有する多角形の断面を有していました。単線でも滑らかな表面から粗い表面への移行が見られました。ワイヤ成長のリアルタイム観察が、ナノワイヤの形成機構を明らかにするのに役立つVLS成長の一般的な特徴を明らかにすると考えています。この成果は、光学電子デバイスを構成する半導体ナノ材料の研究開発に寄与すると考えられます。Growthをご覧ください。2019-09実験教室を実施しました。