トップページ印刷時に縮小されてしまう場合などにご利用ください。Deposition)は超臨界流体の持つ特異な性質を利用してアスペクト比(溝や孔の縦横比)が100を超える深遠な3次元構造に対し均一な薄膜形成やボイドレス埋め込みが可能である。超臨界流体の持つ溶媒能により気相プロセスに比べて低温での薄膜形成が可能である。当研究室ではこれまでにCu、Ag、Pt、Niなどの純金属薄膜、CuAgなどの合金薄膜、TiO2、SiO2などの単一酸化物薄膜,Bi4Ti3O12、SrRuO3などの複合酸化物薄膜の形成に成功している。埋め込み性の両立に向けたプロセスアセスメント、高い埋め込み性を利用した新規電子デバイスの作製などを進めている。非常に高い埋め込み性を示す本プロセスは電子デバイスのデザインルールを刷新する可能性を有しており、ULSI、MEMSを始めとする各種電子デバイスへの応用が見込める。本研究に開発・活用に関心のある多様な企業等との共同研究を期待する。Cu埋め込み超臨界流体製膜法により幅50nm、深さ1umの微細孔(アスペクト比20)に対してボイドレスでCuを埋め込むことに成功している。より幅0.86um、深さ60umの微細溝(アスペクト比70)に対して均一にPtを形成することに成功している。産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。本件に関する共同研究等のお問い合わせは、左のバナーをクリックしてください。スタッフがお問い合わせをお受けいたします。