7251不揮発性メモリーの代替技術が検討されており、情報を強誘電体層に記憶するFeRAM(強誘電体ランダムアクセスメモリー)が有望な候補となっている。FeRAMは、電力消費と耐久性という点でほかの不揮発性メモリー技術よりも優れているが、現在のFeRAMは、破壊読み出し操作と容量読み出しに起因する低いスケーラビリティーによって制限が加えられる。nm)を用いることによって、そのような薄い試料でも巨大電気抵抗を検出できることを示している。これにより、その層を通るトンネル電流の検出が可能になるため、試料の分極状態を、読み出し操作で試料の分極状態を壊すことなく、読み出すことができる。Gb)を実現できそうな大きさまで、スケールダウンできる。等のコンテンツを掲載します。