Japanese)本発明者は、電解めっき法を利用して、めっき金属からなる薄い板状の析出物が基材上にランダムに交錯した形態に形成される構造体(三次元ナノ構造体)を作製する方法を提案した(特許文献1)。電解銅めっき法によって形成した三次元ナノ構造体が、銅-三次元ナノ構造体である。この構造体は、基材上に薄い板状体が複雑に交錯した形態に形成されたもので、構造体の内部に複雑な空隙が形成されることにより、きわめて比表面積が大きな構造体として形成され、この特徴的な構成からリチウムイオン電池の負極や電気二重層キャパシタ等への応用が考えられている。Japanese)本発明は、銅-CNT三次元ナノ構造体及びその製造方法に関する。前記CNTが前記析出物を相互に連結する配置に設けられていることを特徴とする銅-CNTナノ構造体。前記CNTは、前記析出物の間を掛け渡す配置、あるいは薄板状の析出物を貫く配置として設けられていることを特徴とする請求項1記載の銅-CNTナノ構造体。前記CNTは、単層カーボンナノチューブあるいは二層カーボンナノチューブあるいは多層カーボンナノチューブであることを特徴とする請求項1または2記載の銅-CNT三次元ナノ構造体。電解銅めっき法により、基材上に銅-CNT三次元ナノ構造体を形成することを特徴とする銅-CNT三次元ナノ構造体の製造方法。