基づいて前記被加熱体の所定部位の所定時間における温度を求める温度出力部と、を有する。Japanese)半導体基板等の基板の熱処理においては高い精度でかつ効率的に熱処理を行うために、非接触で基板の温度を測定する方法が求められている。非接触型の温度測定装置として、従来より放射温度計が用いられているが、放射温度計は、基板の表面状態によって放射率が変化し基板の正確な温度を測定することが困難なことから、レーザによる基板の温度を測定する方法が提案されている。特許文献1には、半導体レーザからレーザ光を被測温体に照射するとともに参照用部材にも照射し、被測温体からの反射光と参照用部材からの反射光との合成光を検出し、この合成光のスペクトルにおいて、被測温体の温度に対応して特異的に強度変化を生じた光成分の周波数を求め、その周波数から前記被測温体の温度を把握する方法が提案されている。特許文献2には、ワークの表面温度を測定する表面温度測定装置において、レーザ光を前記ワークの測定点に照射するレーザ光照射部と、このレーザ光照射部から照射されたレーザ光を分離して前記ワークの測定点及びこの測定点から所定距離だけ隔てた位置の参照点に平行に照射するレーザ光分離部と、前記測定点にパルスレーザ光を照射し、前記測定点を間欠的に加熱するパルスレーザ光照射部と、前記測定点及び参照点から反射した反射光を集めて干渉を検出する干渉計と、この干渉計で得られた前記測定点の超音波振動の周波数に基づいて前記測定点の温度を算出する演算部と、を備えている表面温度測定装置により温度を測定する方法が提案されている。前記再現被加熱体に関するデータ群の中から被加熱体より取得される光強度特性Xに最も一致した光強度特性Z及びその光強度特性Zに対応する再現被加熱体を検索する検索部と、を有するデータベース。