(機構長:山本嘉則、以下「WPI」という)は、超臨界アンモニアを用いる「アモノサーマル法」による窒化ガリウム(GaN)結晶成長において、酸性鉱化剤の気相合成法を開発し、育成結晶中の残留酸素濃度が従来の100分の1以上低い窒化ガリウムバルク単結晶の高速育成に成功しました。これを基板結晶として、歪のない窒化ガリウム結晶や、原子層オーダーで平坦かつ急峻な窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)と窒化ガリウムヘテロ接合のエピタキシャル成長にも成功し、ヘテロ界面に形成される二次元電子ガスを観測しました。