Japanese)CZ(引き上げ)法又はFZ(浮遊帯)法による無転位シリコン単結晶の製造方法である。この場合、種子結晶として、1~7×1018atms/cm3のボロンが添加された無転位単結晶を用い、ネッキング工程を行わずに、ドーパント濃度が、1~9×1015atms/cm3である成長結晶を成長させる。ネッキング工程は、種子付け後に直径3-5mmの細くて長いネック部を形成し、種子付け時の熱ショックによって種子結晶中に発生した転位が成長結晶へと引き継がれることを防止する者であるが、不純物ボロンを、1018atms/cm3以上添加した無転位単結晶を種子結晶に用いると、種子付け時に、この種子結晶中に熱ショックによる転位が発生しない。種子結晶と成長結晶(特に種子付け直後の成長結晶)との間の不純物ボロンの濃度差を、7×1018atms/cm3以下にすることで、格子不整合(ミスフィット)転位も発生しない。Japanese)ネッキング工程が不要で、容易に無転位シリコン単結晶を製造できる方法を提供する。ネック部の機械的強度が増大し、大直径、大重量の結晶製造が可能になる。細くて長いネック部を成長させる時間が不必要になるため結晶製造の効率が上がり、更に、ネック部の無くなった分だけ結晶を有効利用できるため結晶部分の長い結晶製造が可能になる。