Japanese)立方晶基板に六方晶のバッファ層を形成する薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびGaNテンプレートを提供することを目的とする。この成膜方法は、立方晶の基板の上に六方晶の薄膜を成膜する方法である。基板(110)は、立方晶のSi(001)基板である。基板(110)をチャンバー(1100)の内部のサセプター(1200)に配置する。基板(110)の板面に垂直な方向に対して10°以上60°以下の範囲内で傾斜させた位置にターゲット(1500)を配置する。基板(110)をチャンバー(1100)に対して回転させずに、スパッタリングにより立方晶の基板(110)の上に六方晶のバッファ層(120)を成膜する。族窒化物半導体では、絶縁破壊電界の強度が高く、かつ融点が高い。半導体デバイスの材料として期待されている。族窒化物半導体を用いるHEMT素子などが研究開発されている。族窒化物半導体は、発光素子にも応用されている。族窒化物半導体は、ウルツ鉱型に代表される六方晶の結晶構造を有する。そのため、成長基板として、六方晶基板が一般的に用いられる。このような六方晶基板として、例えば、サファイア基板が挙げられる。特許文献1のように、成長基板として、Si(111)基板が用いられることもある。ここでSi(111)基板は、六方晶に近い構造を有している。Si基板については、大口径基板を安価に高品質で製造することができる。族窒化物半導体を成長させることは工業的に意義がある。Japanese)本明細書の技術分野は、基板にその基板と結晶構造の異なるバッファ層を形成する薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびGaNテンプレートに関する。前記基板の板面に垂直な方向および面内方向の両方について、前記第1の方向に対して0°以上5°以下の範囲内で傾斜していることを特徴とするGaNテンプレート。前記基板の板面に垂直な方向に対して10°以上60°以下の範囲内で相対的に可変となるように傾斜させた位置に配置されたターゲット配置部と、を有することを特徴とする成膜装置。Japanese)名古屋大学の公開特許情報を掲載しています。ご関心のある案件がございましたら、下記まで電子メールでご連絡ください。