SJNライス大学の研究チームが、シリコン酸化膜(SiO2)とグラフェンを用いて透明でフレキシブルな不揮発性抵抗変化メモリを開発したとのこと。ヘッドアップディスプレイをはじめ、さまざまな電子機器への応用が考えられる。装置・計測AMAT、3次元NANDフラッシュメモリ向けの絶縁膜エッチング装置発表。Avatar」を発表した。80:1という高アスペクト比のホールやトレンチが形成できる。チャンバ30基以上がすでに客先に出荷されているという。SJNエルピーダメモリの経営破たんを受け、調査会社IHSアイサプライが今後のDRAM価格推移についての予測を発表しています。半導体ジョージア工科大、ZnOナノワイヤを使ったピエゾ抵抗型メモリを開発。SJNジョージア工科大学が、ピエゾ抵抗効果を利用した新規メモリを開発したとのこと。デバイスの材料には酸化亜鉛(ZnO)のナノワイヤを使用。ZnOに圧力をかけると抵抗が変化する性質を利用することで、電気機械的な調整によるデータの読み書きを可能にしました。SJN米ブルックヘブン国立研究所(BNL)の研究チームが、強磁性と強誘電性を併せ持ったマルチフェロイック材料の新しい機構を発見したとのこと。マルチフェロイック材料は、より高速で省電力な次世代ロジックやメモリ、センサ技術などに使用できるとされています。マテリアルズ(AMAT)が、20nm世代のDRAM高速化に向けた製造技術を新たに導入しました。PVD」という3つの技術が発表されています。SJNコンピュータを動かすと熱が出るというのはよく知られたことですが、理論物理学者たちは「コンピュータ処理で熱が発生しないこともある。それどころか、一定の条件下では冷却効果が生じることさえある」という驚くべき事実を発見しました。この発見の背景には、「情報とその欠如」に関する本質的な考察があるといいます。定番記事マックス・プランク研究所ら、絶対零度より低温の気体を実証。