単結晶シリコン/ウェハの結晶方位測定Si、サファイア、GaAs、GaP、InP、InSb、SiC、など化合物に対応。高精度に測定できます。独自の測角システムにより、高い再現性と直線性を実現します。機構部は高い剛性と耐久性を有し、長期間安定した性能を維持することができます。4方位測定機能だけでなく、2方位測定機能も有し、測定時間は4方位測定に比べ約1/2で済みます。(SU-001は対象外)2方位測定は結晶方位のX,Y傾斜を球面幾何学を用いて厳密解で求めています。このため4方位測定と同じ精度で求まります。独自のX線量測定系X線量測定系は、パルスハイトアナライザによって散乱等の誤差原因を低減させ、Cuの特性X線を選別し、高精度の測定が可能です。高感度検出器を採用(オフセット角が大きい結晶に対して対応可能)検出器は検出すべきX線(CuのKα)に対して極めて高い感度を持っています。ガス検出器であることからX線の入射位置および方向に対する検出感度の変動が小さく、結晶面の傾き角の変化に対して安定した測定が可能です。Vノッチ加工用円筒研削機に本装置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。ウェハ加工前インゴットの軸方位を測定します。カット面方位(軸方位)・ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結晶面との傾きを測定し、基準値と比較して良否判定をします。カット面方位(軸方位)ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結晶方位を同時に測定します。(側面の測定のみで軸方位を求めます。用途Vノッチ加工用円筒研削機に本装置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。インゴット測定項目カット面方位(軸方位)用途ウェハ加工前インゴットの軸方位を測定します。用途カット面方位(軸方位)・ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結晶面との傾きを測定し、基準値と比較して良否判定をします。用途カット面方位(軸方位)ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結晶方位を同時に測定します。(側面の測定のみで軸方位を求めます。い合わせ・サポートEnglish。