电源ブロックコンデンサー制作。ブロック电解コンデンサー容量测定。ブロック电解コンデンサー絶縁测定。注销账号_为什么叫狗万」。注销账号_为什么叫狗万前の状况。Rドライブ基板カードエッジコネクターの比较。上=交换する物、下=付いている物。Lドライブ基板カードエッジコネクターの比较。上=交换する物、下=付いている物。RLドライブ基板カードエッジコネクター。右+侧用=13,250μF。=1.2%ESRに付いてはmuRata、Nichicon、ルビコン、Panasonic参照。右-侧用=14,310μF。左+侧用=13,250μF。=1.2%ESRに付いてはmuRata、Nichicon、ルビコン、Panasonic参照。左-侧用=13,870μF。+侧、-侧共に100Vに充电する。1时间後+侧、-侧の各电圧测定する。+侧=80.1V、-侧=31.6V。+侧、-侧共に100Vに充电する。1时间後+侧、-侧の各电圧测定する。+侧=54.9V、-侧=16.97V。右・左侧用ブロック电解コンデンサー共-侧の絶縁が低下。SIT(静电诱导型トランジスター)2SK180_Dランク表示のIDSS测定。SIT(静电诱导型トランジスター)2SK180_Dランク表示の电圧増幅率=μ测定。电圧増幅率μ=10(VGS=-20V、VDS=0.1A)。电圧増幅率μ=115(VGS=-6V、VDS=0.05A)。SIT(静电诱导型トランジスター)2SK180_Dランク表示の电圧増幅率=μ测定、2个目。电圧増幅率μ=10(VGS=-20V、VDS=0.1A)。电圧増幅率μ=120(VGS=-6V、VDS=0.05A)。SIT(静电诱导型トランジスター)2SK180_Dランク表示の电圧増幅率=μ测定、3个目。电圧増幅率μ=10(VGS=-20V、VDS=0.1A)。电圧増幅率μ=115(VGS=-6V、VDS=0.05A)。生き残ったSIT(静电诱导型トランジスター)2SK77のIDSS测定。ゲートは??ドレイン电流IDSS=2.8~2.9A(VDS=10V、VGS=0V)。