Japanese)ゲルマニウム層30内に形成された第1導電型を有するチャネル領域50と、前記ゲルマニウム層内に形成され、前記第1導電型と異なる第2導電型を有するソース領域36およびドレイン領域38と、を具備し、前記チャネル領域における酸素濃度は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の少なくとも一方の領域と前記少なくとも一方の領域を囲む前記第1導電型を有する領域との接合界面52における酸素濃度より低い半導体装置。Japanese)ゲルマニウム(Ge)は、シリコン(Si)に比べ優れた電子物性を有する半導体である。Transistor)が開発されている。特許文献1には、還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気においてゲルマニウム層を熱処理することが記載されている。Japanese)本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、ゲルマニウム層をチャネル領域とする半導体装置およびその製造方法に関する。前記チャネル領域における酸素濃度が1×1016cm-3以下となり、前記接合界面における酸素濃度が1×1016cm-3より高くなるように前記酸素濃度を設定する工程であることを特徴とする請求項5から9のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。