Japanese)同一の基板上にダイオードとトランジスタとを混在させた半導体装置において、トランジスタのゲート電極による制御と無関係に発生するリーク電流を抑制することができる半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。高抵抗N型基板で形成されたN型半導体層中にP型ウェル拡散層及びP型取り出し電極領域を形成し、電極によりグランド電位に固定する。P型ウェル拡散層側に広がる空乏層が、埋め込み酸化膜との界面まで到達しないため、P型ウェル拡散層の表面付近の電位はグランド電位に保たれる。N型半導体層の裏面及びカソード電極に電源電圧から電圧を印加した場合、P型半導体層に形成したMOS型トランジスタの埋め込み酸化膜側のチャネル領域が動作しないため、ゲート電極による制御に無関係なリーク電流の発生を抑制することができる。Insulator)基板上にダイオードとトランジスタを混在させた半導体装置がある。特開2002-124657号公報には、フォトダイオードと、フォトダイオードにシリコン基板内で光電変換され蓄積された信号電荷を増幅する増幅用トランジスタと、シリコン基板上に混在させたCMOSイメージセンサが記載されている。Japanese)本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。前記絶縁膜を形成する工程と、前記第1の第1導電型領域を形成する工程と、の間に、前記活性領域の位置に基づいて、前記活性領域の下部を含む前記第2導電型の半導体層の第1領域に第2導電型の不純物を拡散させて第2の第2導電型領域を形成する工程を備えた請求項4に記載の半導体装置の製造方法。