10.1080/14686996.2016.1253409電界効果トランジスターセンサーはゲートを認識、検出場としており、ゲート絶縁膜上に固定されたプローブ分子に検出対象物質を吸着させ、プローブ分子と吸着対象物質の間の相互作用により検出対象物質の電荷を検出するデバイスである。対応して、バイオセンサーの必要性はますます高まり、種々のバイオセンサー、バイオチップが世界中で開発されている。FETsセンサーの開発に当たっては感度の向上と同時に安定性の確保が欠かせない要件となるが、感度と安定性は相互にトレードオフの関係に有り、一方を向上させれば、他方が低下し、結局のところシグナル対ノイズ比(S/N比)においては得るところが無いというジレンマをかかえる。FETs)が開発されたが、実用化に向かって更なる改善が必要とされている。FETsセンサーが十分に実現されているとは言い難い。FETsの作製にあたってはVLS、PECVD、自己集積法などのいわゆるボトムアップ型の製作法では必要な形状に正しくSiNWを配置するのは難しく、一方、トップダウン型でも電子ビームないし集束イオンリソグラフィーや深紫外光リソグラフィーは有効な手段ではあるけれども生産性やコストの点に難が有る。その点ナノインプリント法はモールドのナノ形状をレジストに圧着、転写するという簡単なリソグラフィーなので、トップダウン法の生産性、コストなどの問題点を克服できる。FETs)を用いた場合と比較すると、格段に性能が向上することを示している。センサーの~440mV/pHを圧倒し、しかも安定性でも前者は0.8%で後者の1.8%よりはるかに優れる。FETsはセンサー表面の電位変化を検出するための非常に優れた素子であり、単にpHセンサーにとどまらず、種々のバイオ/化学センサーとしての展開が期待できる。ような種々の生物学的な現象の無標識センサーとして応用開発され、その作製において、ナノインプリント法が信頼性が高く、生産性、コストといった面でも優れることから採用されることになろう。