(CVD)法は、密閉された反応容器内で減圧下に反応を行なう従来のCVD法に比較して、板状体やパイプ等の長尺物からなる基材を連続的に加工することができること、及び原料の気化温度や供給量、キャリヤーガスの流量、基材温度等を調整することによって、基材表面に形成する酸化物膜の膜厚や結晶構造等をある程度制御することができることから、注目を集めている。この大気開放型CVD法においては、基材表面に堆積する被膜の構造を用途に合わせて制御することや、高速で基材表面に被膜を形成することが求められている。より各種基材表面に酸化物又は水酸化物膜を形成する際に、基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法する及び該方法に使用する装置に関する。おいて、一対の金属電極間に誘電体層を介在させた電界印加手段を使用して基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加するとともに、少なくとも一方の電極に隙間を設け、該隙間から気化させた原料及びキャリヤーガスを基材表面に供給することを特徴とする基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法。少なくとも一方の電極が誘電体で覆われた一対の金属電極間に基材を配置し、電界を印加することを特徴とする請求項1に記載の基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法。一対の金属電極間に誘電体層を介在させた電界印加手段と基材を対向させて配置し、電界を印加することを特徴とする請求項1に記載の基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法。少なくとも一方の電極を金属を内包する誘電体により構成したことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法。電界の強度が0.1~100000V/mmであることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法。ガラス、陶磁器、セラミックス、プラスチック又は紙から選択されたものであることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法。おいて、一対の金属電極間に誘電体層を介在させた電界印加手段を有するとともに、少なくとも一方の電極に隙間を設け、該隙間から気化させた原料及びキャリヤーガスを基材表面に供給するようにしたことを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法に使用する装置。少なくとも一方の電極を金属を内包する誘電体により構成したことを特徴とする請求項7に記載の装置。基材の加熱手段と電界印加手段が電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項7又は8に記載の装置。少なくとも気化した原料の吹付手段、基材の加熱手段及び電極を覆う防護チャンバーを設け、防護チャンバーの扉の開閉と電極のスイッチの開閉を連動させたことを特徴とする請求項7~9のいずれかに記載の装置。Japanese)上記の特許・技術に関心のある方は、下記問い合わせ先にご相談下さい。