(薄膜层)33(图1的(B))。作为厚度,优选的是形成在0.001~2.0μm之间。特别期望0.01~1.0μm。36(图1的(C))。其厚度优选在0.01~5.0μm范围内。期望范围是0.1~3.0μm。-铜、铬-镍、钛-铜、钛-镍。combinations.(4)之后,施加抗蚀剂35α,载置描绘有与焊盘24对应的图案39a以及定位标记39b的掩模39(图1的(D))。35的定位,使得硅晶圆20A的定位标记23进入到定位标记39b内。37(图2的(A))。在去除抗镀层35之后,去除抗镀层35下的无电解镀膜36、金属膜33,由此在IC芯片的焊盘24上形成中间层38(图2的(B))。1~20μm的范围内。formed.(6)接着,用喷雾器对硅晶圆20A喷涂蚀刻液,对中间层38的表面进行蚀刻,由此形成粗化面38α(参照图2的(C))。IC芯片20(参照图2的(D))。剥离抗蚀涂层,由此形成定位标记31以及导体电路28(参照图3的(B))。25(参照图3的(C))。carbonized.(2)之后,以芯基板30的定位标记31为基准,使用IC芯片20上的定位标记23对IC芯片20进行位置对准,将IC芯片20载置在胶带25上(参照图3的(D))。32内(参照图4的(A))。IC芯片20之间的空隙C调整为30~200μm的范围内即可。更优选调整为30~100μm的范围内即可。以此将IC芯片固定在贯通孔32内。50(参照图4的(C))。因此能够将贯通孔32的侧壁与IC芯片20之间的空隙C调整为30~200μm的范围内。在层间树脂绝缘层50上设置直径80μm的通路孔用开口48(参照图4的(D))。60μm的通路孔用开口48。50的粗化面50α(参照图4的(E))。50g/l、温度60°C中浸渍5~25分钟来设置2~3μm的粗化面50α。SV-4540进行等离子处理,在层间树脂绝缘层50的表面形成粗化面50α。50上设置金属层52(参照图5的(A))。