50的表面形成Ni/Cu金属层52。此时,所形成的Ni/Cu金属层52的厚度为0.2μm。53a以及定位标记53b的光掩模53。设置厚度15μm的抗镀层54(图5的(C))。形成厚度15μm的电解镀膜56(参照图5的(D))。ATOTECH公司(アトテツクジヤパン社)制的KAPARASHIDO(カパラシド)HL。58α、60α(参照图6的(A))。150和导体电路158(包括通路孔160)(参照图6的(B))。obtained.此外,利用B型粘度计(东京计器公司制的DVL-B型)进行粘度测量,在60rpm的情况下利用转子No.4,在6rpm的情况下利用转子No.3。2的紫外线进行曝光,利用DMTG溶液进行显影处理,从而形成直径200μm的开口71(参照图6的(C))。mol/l)(参照图6的(D))。(D)).(16)之后,在阻焊层70的开口部71上印刷焊锡膏,在200°C下进行回流焊,由此形成焊锡凸块76。IC芯片20的、具有焊锡凸块76的多层印刷线路板10(参照图7)。28相同厚度的铜箔27(图8的(A)、图8的(B)、图8的(C))。后,在铜箔27上涂敷粘接剂29,收容IC芯片20(图8的(D)、图8的(E))。IC芯片20对基板30的定位精确度。与此相对,在第二实施方式中,在多层印刷线路板10内收容芯片电容器20,在表面安装IC芯片140。多层印刷线路板10被安装在子板90上。90.IC芯片140的电源焊盘144P与芯片电容器120的端子124通过芯基板30上面侧的通路孔60-导体电路58-通路孔160-导体电路158-焊锡凸块76U相连接。芯片电容器120的端子124与子板90的电源焊盘94P通过芯基板30下面侧的通路孔60-导体电路58-通路孔160-导体电路158-焊锡凸块76D相连接。76D.另一方面,IC芯片140的信号用焊盘144S与子板90的信号用焊盘94S通过焊锡凸块76U-导体电路158-通路孔160-导体电路58-通路孔60-芯基板30的通孔136-通路孔60-导体电路58-通路孔160-导体电路158-焊锡凸块76D相连接。30的通孔136的贯通孔135。IC芯片140的误动作。26而得到的(参照图9的(A))。剥离抗蚀涂层,由此形成定位标记31和导体电路28(参照图9的(B))。25(参照图9的(C))。30.(2)之后,以芯基板30的定位标记31为基准,将芯片电容器120位置对准在贯通孔32内,以此载置在胶带25上(参照图9的(D))。后,在贯通孔135中设置镀膜133来形成通孔136(参照图9的(E))。2进行真空压接层压(参照图10的(A))。50(参照图10的(B))。50上设置直径80μm的通路孔用开口48(参照图10的(C))。在层间树脂绝缘层50上形成导体电路58,在通路孔用开口48上形成通路孔60(参照图10的(D))。150、导体电路158、通路孔160、阻焊层70以及焊盘76U、76D(参照图11)。(芯基板)30内的IC芯片20上形成有树脂层80和由通路孔82、导体电路84构成的再配线层。250和柱状电极260。150,该树脂绝缘层150形成有通路孔160和导体电路158。在树脂绝缘层150上的阻焊层70的开口71上设置有焊锡凸块76。14.(1)准备形成有树脂层80和由通路孔82、导体电路84构成的再配线层的IC芯片20(图12的(A))。250上形成筒状的开口262(图12的(B))。252(图12的(C))。262.(3)形成抗镀层254,在没有形成抗镀层254的部分和开口262内形成电解镀铜256(图13的(A))。252和电解镀铜256构成的柱状电极260。260α(图13的(B))。32内(图13的(C))。50之后,剥离背面的胶带25。