独自の高精度アライメント技術を搭載する接合装置(ウエハ用/チップ用)をパネル展示します。接合材料により選択できるいくつかの表面活性化手法を有し、適切なものを選択し利用します。1化合物半導体など異種材料間では、Arボンバードメントによる常温接合技術を利用します。超高真空中でのAr原子のボンバードメントなどにより接合表面の酸化膜や付着物を除去し、接合面同士を接触させ、ダングリングボンド同士での原子レベルの接合を可能とします。2Cu-Cu間では、Arボンバードメントとベーパーアシスト処理を利用し、真空中・大気中での低温直接接合を実現します。Cu-Cuと同時にSiO2-SiO2の接合も可能です。3接合面をAuやCuに限定することで、Arプラズマにより大気中・低真空中での接合が可能となります。大気中接合など再吸着物がある状態での接合のため、ある程度の加圧力と低温加熱により接合します。4Siやガラスはシーケンシャルプラズマにより大気中での接合が可能となります。独自のプラズマ処理により界面にOH基を付着させ、低温アニーリングすることで強固に接合する方法です。5陽極接合に対しプラズマ表面活性化を前処理として併用することで、低温・ボイドレス・低アウトガスの接合を達成することができます。高精度アライメントは、真空チャンバー内で低温脱ガス後、接合直前に近接させる技術を使います。従来のフォトリソでの手法のように平面方向の位置合わせだけでは接触時に位置ずれを起こしてしまいます。接合後の精度を達成するには平面方向だけでなく、6軸方向の位置合わせを行う必要があり、これらを特殊ピエゾアクチュエータで構成した特徴的なアライメント機構で接合することで、接合後において±0.3μm以内の高精度での接合を可能にします。日本国内への配送に適用されます。編集トップへ戻る閉じる。