形成覆盖p型MOS区域的抗蚀剂图案,在n型MOS区域内掺入p型杂质(比如,硼(B))。掺入之后,去除抗蚀剂图案。形成覆盖n型MOS区域的抗蚀剂图案,在p型MOS区域内掺入n型杂质(比如,磷(P))。掺入之后,去除抗蚀剂图案。形成覆盖p型MOS区域的抗蚀剂图案,在n型MOS区域内掺入p型杂质(比如,硼(B))。掺入之后,去除抗蚀剂图案。形成覆盖n型MOS区域的抗蚀剂图案,在p型MOS区域内掺入n型杂质(比如,砷(As))。