研究成果活用プラザ京都において開催された。今回も参加者は、60名強と大変盛況であった。内容概略は、下記の通りである。講演の後の懇親会も、30名以上の参加があり、この分野における新しい産学連携プロジェクトの起案と新規事業への振興に対して、熱い期待が語られた。本高周波アナログ半導体ビジネス研究会の活動に対しても、大きな期待がよせられた。窒化物半導体は、青色LEDやLDなどの光デバイスだけでなく高周波・高耐圧デバイスとして応用できる。GaN-HEMTではRFパワーCWで230W(FED)、パルス368W(Nitronex)、カットオフ周波数163GHz(NICT)のデバイスなどが発表されている。期待されているが、更に同系統の新材料を用いるならば超高速や高耐圧・高温デバイスにも利用が広がることが期待される。今後、更に研究開発を進め、日本国内でGaN基板を調達できるようにしていきたいとのことであった。主幹研究員NEDOプロジェクトで、独自開発のリセス構造フィールドプレートFETを開発して、小型増幅器が試作されている。そのGaN-FETは、世界最高クラスのワンチップ230W/(2GHz)、100W/5GHz、5.8W/30GHzであり、応用分野として4世代の携帯電話基地局用を期待しているとのことであった。微細ゲートによる準ミリ波帯用GaN-FETも試作されている(fT81GHz、fmax190GHz)。http://www.npo-hab.org。