[0001]【発明の属する技術分野】本発明は、複数の誘電体基板からなる積層基板体を備え、積層基板体の中にインダクタンス(L)とキャパシタンス(C)とが形成された積層LCフィルタに関する。way,複数の誘電体基板に所定の巻き数を有するスパイラル状に形成した2系統のコイルを設けている。この2系統のコイルの間には誘電体基板が設けられているので、誘電体基板両面に、分布的にキャパシタンス(C)を持ったコンデンサが形成され、コイルが持っているインダクタンス(L)とキャパシタンス(C)とによって共振点が生じた減衰特性(インサーションロス特性)を有する積層LCフィルタを形成している。LCフィルタの高さが高くなり、要求されるフィルタの薄型化に対応できないと共に、コンデンサの容量値のバラツキが大きくなるという問題があった。コイルパターンによって形成されるコンデンサとその電極に用いるコイルパターン自体が共振を起こし、高周波域で十分な減衰特性が得られないという問題もあった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、小型軽量で高周波域まで優れた減衰特性を有する積層LCフィルタを提供することを目的とする。surfaces,第1の信号電極と第1のキャパシタンスパターンとの間に寄生キャパシタンスが形成され、第2のキャパシタンスパターンとグランド電極により寄生インダクタンスが形成されている。electrode.【0005】これにより、第1の信号電極とコンデンサ部との間に形成された寄生キャパシタンスとインダクタ部とによって並列回路(タンク回路)が形成されて共振回路を構成し、高周波域での共振ピークが形成される。formed.また、第2のキャパシタンスパターンとグランド電極により形成された寄生インダクタンスとコンデンサ部とによって低周波域での共振ピークが形成される。したがって、従来のようにインダクタ部によって形成されるキャパシタンスに頼ることなく、第1の信号電極とコンデンサ部との間に形成された寄生キャパシタンスとインダクタ部による高周波域での共振ピークの形成によって、減衰領域の幅を広くして高周波領域を安定して減衰させる優れた減衰特性を形成することができる。インダクタ部の層数を増やす必要がなくなり、積層厚みの薄い小型軽量の積層LCフィルタを容易に形成することが可能となる。invention,第1のキャパシタンスパターンが設けられた誘電体基板上に、第1の信号電極に接続され、しかも第1のキャパシタンスパターンとの間に所定間隔を開けて配置された補助電極パターンを設けてもよい。この場合、寄生キャパシタンスの値は、第1の信号電極に接続された補助電極パターンと第1のキャパシタンスパターンとの間の間隔によって決められるが、補助電極パターンと第1のキャパシタンスパターンは同一平面上に形成されるのでその位置を正確に決めることができる。したがって、寄生キャパシタンスの値が安定し、共振ピークの周波数を安定させることができる。stabilized.【0007】また、本発明に係る積層LCフィルタにおいて、第1のキャパシタンスパターンが設けられた誘電体基板に隣接して積層された誘電体基板上に、第1の信号電極に接続され、しかも第1のキャパシタンスパターンに対向する補助電極パターンを設けてもよい。この場合、第1のキャパシタンスパターンが設けられた誘電体基板とは別の誘電体基板に補助電極パターンを設けるので、補助電極パターンの第1のキャパシタンスパターンと対向する面積を比較的自由に選択でき、寄生キャパシタンスの最適値を設定することが容易となる。[0008]【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。LCフィルタの第3の基板の他の変形例を示す模式的斜視図である。0.2mm程度、縦横の大きさがそれぞれ1.5〜5mm程度の誘電体基板の第1の基板11、第2の基板12、第3の基板13、第4の基板14及び第5の基板14Aが積層されて積層基板体15を形成している。firstのコイルパターン17は、外側から内側に向かって反時計回りのスパイラル状に巻いた、例えば銀ペースト等を印刷することによって形成して低温焼成される。インダクタ部16の一方端部、すなわち第1のコイルパターン17の外側端部18は第1の基板11の側面まで延ばされている。16の一部を構成する導電体からなる第2のコイルパターン19が設けられ、第2のコイルパターン19は、第1のコイルパターン17と同様の方法により内側から外側に向かって反時計回りのスパイラル状に形成されている。Jo.第2のコイルパターン19の内側端部20と第1のコイルパターン17の内側端部21は第2の基板12に設けられたスルーホール22によって接続されて、第1の基板11と第2の基板12との間、及び第2の基板12と第3の基板13との間にインダクタ部16が形成されている。13.【0010】第3の基板13の上面には第1のコイルパターン17と同様の方法により形成された平板状の導電体からなる第1のキャパシタンスパターン23が設けられている。300程度の高誘電率層24を設け、高誘電率層24の上面には平板状の導電体からなる第2のキャパシタンスパターン25を設けて、第3の基板13と第4の基板14との間で高誘電率層24を挟んだ第1のキャパシタンスパターン23と第2のキャパシタンスパターン25によってコンデンサ部26を形成している。16の他方端部である第2のコイルパターン19の外側端部27と第1のキャパシタンスパターン23の内部信号電極28とは第3の基板13に設けたスルーホール29によって接続されている。25に接続されている。18が延ばされている積層基板体15の第1の側面32には第1の信号電極33が設けられて外側端部18に接続されている。23に接続されている。第1、第2の側面32、34に直交する第3、第4の側面36、36Aにはそれぞれグランド電極37が設けられ、第4の基板14の上面に設けられた接続パターン30に接続されている。Therefore,積層LCフィルタ10には図2に等価回路で示すように、インダクタ部16(Lc)に並列に、第1の信号電極33とコンデンサ部26(C1)の第1のキャパシタンスパターン23との間に寄生キャパシタンスC2が形成され、第2のキャパシタンスパターン25とグランド電極37により寄生インダクタンスLgが形成される。37.また、第1のキャパシタンスパターン23と第2の信号電極35によって寄生インダクタンスLsが形成される。この二つの共振ピークf1、f2によって広い減衰領域が形成され、低周波域と高周波域の通過領域の周波数とを峻別することができる。寄生キャパシタンスC2が形成されないときは、図4(A)に示すような等価回路となり、図4(B)に示すような減衰特性を示し、共振ピークf1から急速に減衰が小さくなり、減衰域が狭くなる。inventionフィルタ10について、図3に示す等価回路にしたがって構造解析を行い、減衰特性の確認を行った。解析条件は次の通りである。nH【0014】解析の結果は図5に示す通りであり、共振ピークf1、f2が得られ、従来の積層LCフィルタに比べて減衰域が拡がることが確認された。この結果から、低周波側の共振点はコンデンサ部(C1)の容量値(キャパシタンス)とグランド電極の持つ寄生インダクタンス(Lg)による直列共振周波数と一致する。(C2)と並列共振を起こし、高周波側での減衰域を拡げる働きがある。33と第1のキャパシタンスパターン23との間に寄生キャパシタンス(C2)を形成することにより、高周波側での減衰域を拡げる効果があることがわかった。23Aの、例えば内部信号電極28Aとの間に所定間隔を開けて配置された補助電極パターン23Bを設けている。これにより、第1の信号電極33に接続された補助電極パターン23Bと第1のキャパシタンスパターン23Aとの間の間隔を正確に決めることができるので、寄生キャパシタンス(C2)の値を安定させることができる。can.【0016】図7は前記実施の形態に係る積層LCフィルタの他の変形例を示すもので、第1のキャパシタンスパターン23が設けられた第3の基板13に隣接して積層され、スルーホール31によって第2のキャパシタンスパターン25(図1参照)に接続される接続パターン30Aが設けられた第4の基板14B上に、第1の信号電極33に接続され、しかも第1のキャパシタンスパターン23の、例えば内部信号電極28に対向する補助電極パターン23Cを設けている。providedとは別の第4の基板14Bに補助電極パターン23Cを設けるので、補助電極パターン23Cの第1のキャパシタンスパターン23と対向する面積を比較的自由に選択でき、寄生キャパシタンス(C2)の最適値を設定することが容易となる。embodiment,特許請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施の形態や変形例も含むものである。前記実施の形態ではインダクタ部(Lc)を第1、第2の基板に設けた第1、第2のコイルパターンによって形成した例について説明したが、一つの誘電体基板に巻き数を増やした一つのコイルパターンを設けてインダクタ部(Lc)を形成してもよい。この場合、更に厚みの薄い積層LCフィルタを形成することができる。[0018]【発明の効果】請求項1〜3記載の積層LCフィルタにおいては、複数の誘電体基板を積層して形成した積層基板体にインダクタ部と、コンデンサ部とを有し、インダクタ部の一方端部に第1の信号電極を接続し、コンデンサ部の第1のキャパシタンスパターンにインダクタ部の他方端部及び第2の信号電極を接続し、コンデンサ部の第2のキャパシタンスパターンにグランド電極を接続し、第1、第2の信号電極は積層基板体の対向する側面にそれぞれ設けられ、グランド電極は第1、第2の側面に直交する第3の側面に設けられているので、第1の信号電極と第1のキャパシタンスパターンとの間に形成された寄生キャパシタンスとインダクタ部とによって並列共振を起こして高周波域での共振ピークを形成する。その結果、減衰領域の幅を広くして高周波域を安定して減衰させる優れた減衰特性を形成し、高周波域まで優れた減衰特性を有する積層LCフィルタを提供することができる。インダクタ部の層数を増やす必要がなくなると共に、コンデンサの容量値のバラツキが小さくなり、積層厚みの薄い小型軽量の積層LCフィルタが容易に形成することが可能となる。formed.【0019】特に、請求項2記載の積層LCフィルタにおいては、第1のキャパシタンスパターンが設けられた誘電体基板上に、第1の信号電極に接続され、しかも第1のキャパシタンスパターンとの間に所定間隔を開けて配置された補助電極パターンを設けているので、寄生キャパシタンスの値が安定し、共振ピークの周波数を安定させることができる。請求項3記載の積層LCフィルタにおいては、第1のキャパシタンスパターンが設けられた誘電体基板に隣接して積層された誘電体基板上に、第1の信号電極に接続され、しかも第1のキャパシタンスパターンに対向する補助電極パターンを設けているので、補助電極パターンの第1のキャパシタンスパターンと対向する面積を比較的自由に選択でき、寄生キャパシタンスの最適値を設定することが容易となる。view.【図2】同積層LCフィルタの等価回路図である。filter.【図3】同積層LCフィルタの減衰特性の説明図である。characteristic.【図5】同積層LCフィルタの構造解析結果の説明図である。filter.【図6】同積層LCフィルタの第3の基板の変形例を示す模式的斜視図である。filter.【図7】同積層LCフィルタの第3の基板の他の変形例を示す模式的斜視図である。スパターンとの間に寄生キャパシタンスが形成され、前記第2のキャパシタンスパターンと前記グランド電極により寄生インダクタンスが形成されたことを特徴とする積層LCフィルタ。請求項1記載の積層LCフィルタにおいて、前記第1のキャパシタンスパターンが設けられた前記誘電体基板上に、前記第1の信号電極に接続され、しかも前記第1のキャパシタンスパターンとの間に所定間隔を開けて配置された補助電極パターンが設けられていることを特徴とする積層LCフィルタ。請求項1記載の積層LCフィルタにおいて、前記第1のキャパシタンスパターンが設けられた誘電体基板に隣接して積層された誘電体基板上に、前記第1の信号電極に接続され、しかも前記第1のキャパシタンスパターンに対向する補助電極パターンが設けられていることを特徴とする積層LCフィルタ。