使ったTFTは固体撮像素子用として1949年に発表され、1973年にLCDの駆動が発表された。用いるものには、アモルファス膜と多結晶膜とがあり、アモルファス膜は1979年に英国ダンディ大学で開発され、その後日本を中心にLCD用に活発に研究開発が進んだ。LCDとして広く応用されている。ゲーム機でも普及してきているが若干、高価である。特徴と分類[編集]ゲート電極の位置・層(レイヤー)の配置で、4種類に大別される。型スタガード型はドレイン電極とソース電極がチャネル層を挟んでゲート電極と反対側に配置されている。コープレーナー型はドレイン電極とソース電極がゲート電極とチャネル層の同じ側面に配置されている。インバーテッド型は別にボトムゲート型とも呼ばれ、ゲート電極がチャネル層の下側に配置されている。形成してコンダクタンスを制御する。形成してコンダクタンスを制御するのとは大きく異なる。真空蒸着やスパッタリング、プラズマを用いた化学気相成長(プラズマCVD)などで薄膜状にガラスあるいは石英製の基板に形成されることに由来する。基板にプラスチックを使う研究開発もなされている。それと変わらず、そのままコンセプトを応用できる。バックゲート電極が存在しないため、基板バイアス効果によるしきい値電圧の変動は行えない。使われているが、スレッショルド電圧が経過時間・ゲート電圧・温度により変化する不安定さが問題とされている。堆積された電子による影響の3種類に大別される。基本的にゲート印加電圧が低い場合の主因は1、電圧が高い場合は2と考えられ、3は通常無視される。して安定させることによって対策している。a-Si:H以外にもさまざまな材料を使って薄膜トランジスタが作成されている。用いた液晶ディスプレイ。TFT液晶をベースにダイオードを用い、簡略化している。セイコーエプソンなどが生産していて、2001年~2004年にかけて三菱電機、NEC、CASIO、日立製作所、京セラ製の携帯電話のカラー液晶などに使われていた。TFT液晶よりも消費電力や生産コスト面での利点があったが、発色や輝度、コントラスト等が少し低く、TFT液晶の生産コストの低下とともに、使われなくなった。後期になると、CrystalFine液晶などと銘打って、コントラストや発色を改善したものも登場した。表示装置以外で使用される薄膜トランジスタ[編集]コンピュータX線撮影でX線撮像素子(フラットパネルディテクター:FPD)として使用される[1][2][3]。(日時は個人設定で未設定ならばUTC)。表示-継承ライセンスの下で利用可能です。追加の条件が適用される場合があります。詳細は利用規約を参照してください。Cookieに関する声明モバイルビュ。