その製造方法に関する。[0002]【従来の技術】半導体装置の高集積化、高速化にともない、多ピン構造でかつ高周波数領域で動作する半導体装置が必要とされている。このような高性能型の半導体装置は、半導体チップを放熱性の良いベット部上に搭載し、裏面を露出することにより放熱性を向上させシステム全体の高集積化及び高性能化を図っている。図面を参照して以下に説明する。あり、上平面図を(a)に、下平面図を(b)に、断面B1−B2で切断した断面図を(c)に示す。セラミック製のベット部201の中央部上に樹脂接着剤213により半導体チップ209が設置され、半導体チップ209の電極212と外部との信号の送受信を行うリード203がワイヤ211により電気的に接続されている。この状態で、ベット部201及び半導体チップ209がエポキシ樹脂により樹脂封止される。半導体チップ209及びベット部201の一部をエポキシ樹脂215に覆われ、半導体チップ209の放熱性向上のためにベット部201の半導体チップを設置しない面が露出されている。内に設置し、更にリード部203を他の手段により金型内に設置し樹脂封止を行っている。リード203は先端部(ワイヤ211と接続している部分)が半導体体チップ209を取り囲むように配置され、リード203の取り囲む領域は、ベット部201上に含まれている。203の囲む領域より十分大きい構造になっているために、エポキシ樹脂215の外部に露出される面積が大きく出来る。このため、半導体チップ209から発生する熱を外部放出するということで優れている。203とベット部201が固定されていないため、樹脂封止の際にベット部201とリード部203を別々に固定しておく必要が生じるため製造工程が複雑になり、量産性という点で問題が生じる。B1−B2で切断した断面図を(c)示す。ベット部301、リード部303及び吊りピン部305は1枚の金属板を打ち抜き加工することにより形成されている。plate.ベット部301の中央部上に樹脂接着剤313により半導体チップ309が設置され、リード部303と半導体チップ309の電極312がワイヤ311により電気的に接続されている。内に設置してエポキシ樹脂により樹脂封止する。半導体チップ309の放熱性向上のために、ベット部301の半導体チップ309を設置していない面が露出された構造になっている。1枚の金属板を打ち抜き加工によりベット部とリード部を形成したため、ベット部301の大きさはリード部303(ワイヤ311と接続している部分)の囲む領域に含まれてしまう。このため、ベット部301の大きさが小さくなってしまい、半導体チップ309の放熱性が悪くなるという問題が生じる。半導体チップの放熱のためにベット部の半導体チップを搭載していない表面を外囲器となるエポキシ樹脂から露出している。ベット部の大きさを十分に大きくしているため半導体チップの放熱性という点では優れているが、ベット部とリード部を別々に固定して樹脂封止を行うために、量産性という点で問題が生じる。1枚の金属板を打ち抜き加工することによりベット部とリード部を形成しているため、樹脂封止の際に金型内に固定し易いため、量産性というてんで優れている。ベット部は一枚の金属板を打ち抜き加工するために、ベット部の大きさはリード部の先端が取り囲む領域の大きさより小さくなってしまい、半導体チップの放熱性という点で問題が生じる。提供することを目的とする。surface,リード部が囲む領域は、ベット部上の領域に含まれる。unit.【0008】ベット部と、一体化したリード部及び吊りピン部を強固な接続により接続してているため、ベット部を十分に大きくすることが出来る。提供することが出来る。[0009]【発明の実施の形態】本発明に示す実施例を図を参酌して以下に示す。打ち抜き加工することにより形成され、吊りピン部5はリード部3よりデプレスされていることを特徴としている。吊りピン部5と例えばセラミック製のベット部1は、例えば銀のロウ付け7により接着され、ベット部1の中央部上に樹脂接着剤13により半導体チップ9が設置されている。9を取り囲むように配置され、リード部3の取り囲む領域はベット部1上の領域に含まれるように、ベット部を十分に大きくしている。リード部3と半導体チップ9の電極12がワイヤ11により電気的に接続されている。この状態でベット部1、半導体チップ9及びリード部3をエポキシ樹脂15により樹脂封止されている。放熱性向上のために半導体チップ9のベット部1の半導体チップを設置しない面が露出されている。本実施例では全面がエポキシ樹脂15から露出されている。製造方法、特に樹脂封止方法について説明する。半導体チップ9を搭載したベット部1と、リード部3と一体化した吊りピン部5を例えば銀のロウ付けにより固定する。内に設置して、エポキシ樹脂により樹脂封止を行う。本実施例では、半導体チップ9の放熱というてんを考慮にいれて、ベット部1の半導体チップ9を搭載していない面を全面露出している。embodiment,ベット部1とリード部3を別々に形成したため、セラミック製のベット部1がリード部3の囲む領域より十分大きい構造になり、半導体チップ9の放熱というてんで優れている。使用することが出来るため、量産性というてんでも優れている。production.【0013】図2は、第1の実施例の寸法例を示した図である。提供することが出来る。第1の実施例のベット部上の半導体チップを設置する領域に金属メッキ層を形成したことを特徴としている。105は1枚の金属板を打ち抜き加工することにより形成され、吊りピン部105はリード部103よりデプレスされていることを特徴としている。セラミック製のベット部101上の半導体チップ109を設置する領域には例えば金メッキ層121が形成されている。101が設置されている。101上の領域に含まれている。リード部103と半導体チップ109の電極112がワイヤ111により電気的に接続されている。この状態でベット部101、半導体チップ109及びリード部103が固定された状態でエポキシ樹脂により樹脂封止される。109及びベット部101の一部をエポキシ樹脂115に覆われ、ベット部101の半導体チップを設置しない面が露出されている。109を設置していない全面が露出されている。ベット部上に金属メッキ層を形成する工程が追加されるだけである。あり、第2の実施例の変形例である。チップ102を設置する表面上に金メッキ層121を形成し、低電流型半導体チップ104を設置する表面上には金メッキ層は形成しない。各々取り囲むように設置されている。105を樹脂封止することにより作成する。搭載していない全表面を露出している。放熱製の向上及び金メッキ層を所望の領域にのみ形成するため生産性を向上させることが出来る。embodiment,ベット部101とリード部103を別々に作成したため、セラミック製のベット部101がリード部103の囲む領域より十分大きくなる。ベット部101の半導体チップ109の搭載する領域に放熱性の良い金属メッキ層を形成したため、第1の実施例に比べて半導体チップ109の放熱性という点で優れている。step,ベット部及びリード部の位置合せが正確に行うことが出来る。exhibits,ベット部の大きさをリード部の先端が取り囲む領域より十分大きくしたため、封止樹脂外に露出することが出来る面積を大きくすることが出来る。半導体チップで発生する熱の放出で優れている。半導体チップを設置したベット部とリード部が強固な接続により接続した状態で樹脂封止されるため、樹脂封止を従来の金型を用いて樹脂封止を行うことが出来る。