MOS-HFETの高性能化・ノーマリオフ化には、高品質なゲート絶縁膜が必要である。膜よりも電子注入耐性および界面特性に優れることを明らかにしている。/AlON/AlGaN/GaN構造について検討した。/AlON積層構造はAlON単層の場合と同等の容量-電圧特性を示し、良好な界面特性を示した。絶縁破壊電界はAlON単層と比べて2倍以上の約8MV/cmを示した。MOSデバイス向けゲート絶縁膜として有望であることを意味している。Science®をご確認ください。