公開ガルバニック絶縁を内蔵:STマイクロ、パワー半導体向けゲートドライバSTマイクロエレクトロニクスは、SiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETなどを制御するためのガルバニック絶縁ゲートドライバ「STGAP2S」を発表した。});トランジスターの予期しないターンオンを防止ガルバニック絶縁ゲートドライバー「STGAP2S」の外観STマイクロエレクトロニクスは2018年8月、SiC(炭化ケイ素)あるいはシリコン(Si)ベースのパワーMOSFETやIGBTを制御するためのガルバニック絶縁ゲートドライバ「STGAP2S」を発表した。新製品は、既に量産を始めた「STGAP2SCM」と、2018年第4四半期(10〜12月)に出荷予定の「STGAP2SM」を用意した。STGAP2SCMは、専用のアクティブミラークランプピンを備えている。パワーMOSFETのゲートをこの端子に接続しておけば、ターンオン信号が入力されるまで、絶縁グラウンドに電圧を固定しておくことができる。これによって、ハーフブリッジ構成においてトランジスタの予期しないターンオンを防ぐことができるという。STGAP2SMは、ターンオン出力とターンオフ出力の端子を分離している。このため、外部のゲート抵抗を用いてパワートランジスタのスイッチングを最適化することができるという。新製品は、ゲート駆動用出力電圧が最大26Vで、4Aのレールツーレール出力を行う。このため、高電力インバーターにおいて高速かつ高い効率でスイッチングすることが可能である。入出力間の伝搬遅延時間は最大80ナノ秒であり、SiC製品に適したスイッチング周波数でPWM制御を行うことができる。dv/dt(スイッチング過渡期に発生する単位時間当たりのドレイン・ソース間の電圧変化量)耐性に優れている。これにより、スプリアススイッチングを防止できるという。ハードウェアインターロック機能などを搭載した。STGAP2Sは、耐圧1700Vのガルバニック絶縁を内蔵している。IH調理器などの用途で、部品点数を削減することが可能となる。STGAP2Sは2製品とも小型パワーパッケージ「SO-8」で供給される。1000個購入時の単価は約1.49米ドルである。Chery氏が出席し、都内で会見を開催し、成長戦略などを説明した。関連する最新ソリューションを紹介した。Flight)測距センサー「VL53L1X」を開発し量産を始めた。Vigna氏がこのほど来日し、同事業におけるIoT(モノのインターネット)向けビジネスについて語った。2018」で、「より安全」「よりコネクテッド」「より環境に優しい」自動車を実現するための半導体ソリューションを紹介した。STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(前編)今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。eFlash)技術を取り上げる。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。