いつも心に蒼空を(仮置き場)いつも心に蒼空を(仮置き場)長らくNiftyでブログを続けてきましたが、2018年以降、別サイトで更新しており、Niftyのココログの場は仮置き場にしています。ココログでの更新予定はありません。新サイトへの誘導もしません。将来閉鎖する可能性もあります。記事はすべてではありませんが、引っ越ししています。»2003/05/29チャージングダメージ今日、ある開発中の装置評価に使用する試験用Waferの打合せをした。試験用WaferはMOS構造の素子が並んでいる単純なものである。この素子を使って電気的なダメージ評価をするのである。一般にチャージングダメージと呼ばれている。半導体を使ってトランジスタなどの素子を作る場合、いくつかの工程がある。成膜、マスク(フォトリソ)、エッチング・アッシング、洗浄等である。このうち成膜とかエッチング・アッシングの工程ではプラズマを用いた装置がよく使われる。その際、プラズマ中に製造中の素子がさらされるため、極力このプラズマによるダメージを受けないようにしなくてはならない。プラズマによる電気的ダメージをチェックする事は、装置開発においては初歩的なこととされている。ちなみにMOSとは上から順にMetal(金属膜)、Oxcide(シリコン酸化膜)、Silicon(シリコン)が重なってできているので頭文字をとってMOSという。やってダメージを調べるか、はまた明日。»コメントコメントを書く名前:メールアドレス:(ウェブ上には掲載しません)アドレス(URL):この情報を登録するコメントは記事投稿者が公開するまで表示されません。菖蒲まつり旅の者です。