(第1电位)的电压Vcc(=Vch)。(信号电流)Id(=Ipix)供给到数据线DL。Vsel(=Vsh)低的电压电平(Vsh>Vch)。Vch).由此,如图2A所示,从数据线DL供给渐变电流Id,构成驱动电路DCA的薄膜晶体管Tr11及Tr12进行导通工作。Vch,并且经薄膜晶体管Tr12将比电压Vch的电位高的电压Vd施加到接点N11(薄膜晶体管Tr13的漏极端子)上,此外,经薄膜晶体管Tr11向接点N12(薄膜晶体管Tr13的栅极端子)施加比电压Vch的电位高的电压。Vad高的电压电平(Vd>Vad)。IAa从数据线DL经薄膜晶体管Tr12、接点N11、薄膜晶体管Tr13流向电源线VL方向。(充电),作为电压分量(充电电压)而被保持。电流不流过(光学单元)有机EL元件OEL,不进行发光动作。(第2电位)的电压Vcc(=Vcl)。VL.此外,与该定时同步,停止经数据线DL向第i行的各驱动电路DCA供给渐变电流Ipix的动作。Vad低的电压电平(Vad>Vcl)。Vcl).因此,如图2B所示,构成像素驱动电路DCA的薄膜晶体管Tr11及Tr12进行截止动作,经薄膜晶体管Tr12从数据线DL流向接点N11的写入电流IAa被切断。1和接点N12间(薄膜晶体管Tr13的栅极-源极间)的电位差,薄膜晶体管Tr13维持导通状态。IAa同等的电流值(IAb≈IAa)。因此,驱动电流IAb具有与渐变电流Id同等的电流值。follower)型的电路结构。Csa中积蓄的电量Qsa如下式(1)所示。operation.此时,薄膜晶体管Tr11的栅极端子(选择线SL)和接点N12间形成的寄生电容Cta中积蓄的电量Qta如下式(2)所示。另一方面,在发光动作期间(保持期间),电容器Csa中积蓄的电量Qsa′如下式(3)所示。operation.此时,上述寄生电容Cta中积蓄的电量Qta′如下式(4)所示。Tr13的栅极-源极间电位VT13gs的变化量ΔVT13gs如式(7)所示。N12的电压的变化量(VN12-VN12′)。below.这里,上式(7)所示的接点N12的电压的变化量ΔVN12可以如下式(8)所示地表示,所以上式(7)被表示为如式(9)所示。Tr13的栅极-源极间电压。VT13gs、和接点N12的电压的变化量ΔVN12关系密切。IAb大(IAa>IAb)。