Inc.、Nasdaq上場コード:SNPS)は本日、ナノ・エレクトロニクスならびにデジタル・テクノロジの世界的な研究機関でありイノベーション・ハブであるimecとの長年にわたる協業における新たな成果を発表した。FET)アーキテクチャでの遅延感度の研究に世界に先駆けて成功した。CFETは、FinFET構造よりもデザイン面積を大幅に削減できるため、3nmプロセス以降のデザインでも面積効率を維持し続けるための理想的な選択肢となっている。Line)レイヤのパラメーターに非常に大きな影響を及ぼす。そのため、寄生抵抗のばらつきや、その感応度をモデリングすることは、CFETを量産向けプロセス・テクノロジとして実用化するにあたって非常に重要なファクターとなる。プロセス開発の初期段階でこれらを予測することができれば、ファウンダリは、より強靭でばらつき耐性の高いトランジスタ、スタンダードセル、メタル配線技術を開発することができるようになる。NXの3Dフィールドソルバーを活用することにより、様々なデバイス構造に対して寄生抵抗を短期間かつ正確にモデリングし、その影響の臨界点にあるデバイス寸法やその特性を解明することができた。これにより、消費電力と性能の最善のバランスに向けてCFETデバイスを最適化することが可能となった。NXを活用することにより、プロセス開発者は、プロセス・パラメーターのばらつきによる回路性能への影響感度を効率的に判断することができ、基準となる参照値を確定することによりモデリング精度を向上させることができる。Mocuta氏は次のように語っている。「今回の協業を通じ、CFETをはじめとする最先端のプロセスならびにデバイス構造におけるセルや配線で生じるばらつきを非常に高精度にモデル化して解析することができました。我々は、シノプシス社との協業を通じて、3nm以降の技術的ブレイクスルーの達成に向けた成果を蓄積し続けています。Domicは次のように述べている。「imec様は、半導体技術の最前線で研究を重ねておられます。2nmプロセスに向けたばらつき考慮のソリューションを開発するための当社とimec様との協業は、半導体業界全体に恩恵をもたらすものとなるでしょう。NXの3D寄生抽出インターフェイスをご活用いただくことにより、開発者の皆様は、より高度な目標に向けて、プロセスばらつきに対する回路性能の最適化のために繰り返さなければならない試行の回数を削減し、回路に及ぼす影響を低減することができます。Software)をカバーするソリューションを提供している。電子設計自動化(EDA)ソリューションならびに半導体設計資産(IP)のグローバル・リーディング・カンパニーとして長年にわたる実績を持ち、ソフトウェア品質/セキュリティ・ソリューションの分野でも業界をリードしており、世界第15位のソフトウェア・カンパニーとなっている。シノプシスは、最先端の半導体を開発しているSoC(system-on-chip)設計者、最高レベルの品質とセキュリティが要求されるアプリケーション・ソフトウェアの開発者に、高品質で信頼性の高い革新的製品の開発に欠かせないソリューションを提供している。Inc.の登録商標または商標です。その他の商標や登録商標は、それぞれの所有者の知的財産です。