可能とする独自技術「Xtacking」を2019年以降に量産する予定の製品に導入する計画であることを発表した。YMTCが独自開発したXtacking構造の模式図。Startup」として表彰を受けたことも明らかにした。NANDメモリセル・アレイを別々のウェハに作製し、それらを張り合わせるというもの。NANDと上層の周辺回路は、ウェハ全体に形成された数百万個の金属ビアを介して電気的に接続される。周辺回路には、NANDの半導体プロセスよりも微細なロジックプロセスを適用できるため、既存のメモリアレイと周辺回路を一体化させた製造方法よりもデバイス性能を向上できるとしている。NANDアーキテクチャは、周辺回路がチップ面積の20〜30%を占めることから、NANDのビット密度を低下させていた。NAND技術と比べてビット密度を高めることが可能になると同社は説明している。同技術を適用すると、NANDメモリセル・アレイと周辺回路を別々のチームで設計作業を行うことができるほか、デザインルールの異なる製造プロセスを適用できるため、製品開発時間が少なくとも従来よりも3か月ほど短縮、製造サイクルタイムも同20%短縮、そして市場へのアクセスタイムの短縮も可能となるため、経営面でも優位に立てるとしている。顧客の要望で周辺回路のカスタム化も容易に行なえるようになるため、ビジネスの幅も広げられると同社では、事情拡大に期待を寄せている。Summitで発表した形となる。1.0Gbps以下である。DRAMと同等以上となる最大3.0Gbpsまで引き上げることが可能となる」とコメントしており、NAND業界のゲームチェンジャーになることを目指すとする。Hynixという2大メモリ企業を有する韓国である。CEOの講演を、驚嘆と危機感をもって速報として伝えている。中央日報は、「中国半導体の空襲...『サムスンより速い32段NAND量産』」(8月9日付け日本語翻訳版の見出し)と題し、中国が驚異的な速度でNANDの開発を進めていることを危機感をもって伝えた。NANDの試作品を中国内のIT企業に納品していることなどにも触れ、韓国の半導体業界にも、2019年の下半期には影響がでてくる可能性があることを指摘。NANDも2019年末には量産に移行することもできるとの見解を示している。した脅威とする向きの一方で、ウェハを2枚用いるため、ウェハ2枚分のコストがかかること、ならびに積層工程が新たに追加され、生産時間が余計にかかることなどにも触れており、歩留まりがあがりにくく、量産は難しいとの見方も紹介している。Summitの開催地でもある米国を含め、これまでNANDを牽引してきた3地域ともに、中国の半導体メモリに対する研究開発への強い意欲を、脅威として受け止めた向きが多いようだ。※本記事は掲載時点の情報であり、最新のものとは異なる場合があります。Corporation。