出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。関連する技術を399件開発しています。含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。実施形態に係るGaN基板を示す図面であり、図1(a)は斜視図、図1(b)は側面図である。N極性表面上に配置されたストライプパターンの成長マスクを有する、C面GaN基板を示す斜視図である。N極性表面上にストライプパターンの成長マスクが配置されたC面GaN基板上における、GaN結晶の成長の様子を示す斜視図である。N極性表面上にストライプパターンの成長マスクが配置されたC面GaN基板上に、アモノサーマル的に成長するGaN結晶が形成する構造を示す斜視図である。タイリング法で使用されるシード基板の形状例を示す図面であり、図5(a)は斜視図、図5(b)はA端面側から見た側面図である。実施例および比較例として、図2のHVPE装置において、ガス吹出口14a,18aと成長用基板5との距離dを5〜100cmの間で変更すると共に、結晶成長領域のガス流速を1〜350cm/secの範囲で変更して、転位密度が4×106/cm2である3インチ径のウルツ鉱構造のC面GaN基板を製作した。作製したC面GaN基板は、基板表面の面内で均一な転位密度となっていた。ここで、転位密度の値は、基板面内における平均転位密度の値である。図7に、ガス吹出口と基板との距離dと、ガス流速と、基板面内の膜厚分布との関係を示す。:パナソニック株式会社GaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に部分的に形成されたn側電極とを有し、該n側電極は、ボンディングワイヤが接続される接続部と、電流を横方向に拡げるための延長部と、を有するn側パッド電極を含み、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である。n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下であるGaN系発光ダイオード素子と、該GaN系発光ダイオード素子が発する光の少なくとも一部を吸収して、より長波長の光に変換する波長変換物質とを備える。出願人:三菱化学株式会社GaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に設けられた平坦な部分と粗く加工された部分のうちの平坦な部分に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である。:パナソニック株式会社GaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である。データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。”未来を創るためのプラットフォーム”astamuseは、世界中で未来を創るための「仕組み」を提供するため日々改善を進めています。専門用語を解析し、意味や用法を知ることが出来るキーワード情報そしてこれらの情報を最大限活用することで、挑戦したい社会課題を独自の切り口で編集。社会に大きな変化を起こし、未来を創るために活動し続けるのは容易なことではありません。行う為に必要なサービスの提供を行っていきます。それが私たちの考える“未来を創ること”です。