reflective.例1对图5所示的基面为400微米见方且其pn结有一个120微米见方的芯片16,检测耦合输出率。镜面6反射为90%,接触层11的反射为80%。侧面17具有一个60度倾斜角。8是在InGaN的基础上制成的。16.例2在另一个与例1的芯片16的区别仅在于侧面17的倾斜角为45度的芯片16中,耦合输出率为39%。80%的常见立方芯片中,耦合输出率为28%。光输出增大了1.7倍。(4)的后面,在耦合输出窗(4)的与有源区(8)相对的那侧面(5)上形成一个镜面(6),耦合输出面(7,15,17)从侧面超出有源区(8)的侧面。(4)上的层系列(9)。2H-R2(nA/ni)并小于或等于2H+R2(nA/ni),其中H等于芯片高度。(9)的最大一半尺寸R1来说,适用以下条件,即R1<R2nA/ni。(4)包围出一个球缺。