ガリウムヒ素ともいう。半導体としてシリコンやゲルマニウムに比べて電子の移動度が著しく大きいため,直列抵抗と電子走行時間の小さいことが要求される高周波用トランジスタやダイオードの材料に適しており,禁制帯幅がシリコン,ゲルマニウムより大きいため,はるかに高温度まで半導体として使用できる。あり,エネルギーの低い谷に比べてエネルギーの高い谷での電子移動度が非常に小さいため,2つの伝導帯谷間の電子遷移によって負性抵抗,いわゆるガン効果が生じる。