この場合加熱温度等他の条件は実施例と同じである。Example.この結果からわかるように本実施例によれば従来よりもリン濃度の高い高濃度リンドープポリシリコン膜が得られた。methodsSCCM程度にすれば望ましいリン濃度が得られるが、反応管3内の圧力が0.4〜0.5Torrになってしまい、先述したようにリン濃度の面方向の均一性等が悪かった。described.更に本発明では、リン低濃度層の間にリン高濃度層を1層のみ形成する方法に限定されるものではなく、2層以上形成するようにしてもよい。この結果から本発明では層構成を選択することによって所望のリン濃度が得られることが理解される。熱処理前の層構成については、リン低濃度層の間にリン高濃度層を挟んだ構成に限らず、リン低濃度層とリン高濃度層の2層のみからなる構成としてもよい。Torr程度がより好ましく、この場合にはなお一層均質な薄膜が得られる。2ガスの供給を完全に止めることなく、少量流すようにしてもよい。CVD、酸化、拡散等の熱処理が行われる場合は、この熱処理で代用することができる。treatment.以上において本発明では、不純物としてリンに限定されるものではないし、薄膜の主成分についてもシリコンに限定されるものではない。film.なお薄膜が表面に成膜される被処理体は、半導体ウェハに限らずガラス基板等他の材料であってもよいし、その処理については多数枚同時に行うのではなく一枚づつ処理してもよい。本発明によれば、薄膜の主成分を含む成膜用ガスの流量を調整することによってリン濃度の低い低濃度層とリン濃度の高い高濃度層とを交互に積層し、続く熱処理により高濃度層内のリンを低濃度層内に拡散してリンをドープした薄膜を得るようにしているため、大きな排気性能を必要とすることなく、リンの必要な濃度均一性を確保しながらリンが高濃度の薄膜を得ることができる。3ガスの流量とリン濃度との関係を示す特性曲線図である。この工程で得られた薄膜を熱処理して高濃度層のリンを低濃度層に拡散させる工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。transistor。