displaytor:TFT)に関し、特に、ポリシリコン層を活性層とする順スタガー型薄膜トランジスタのチャネル層及びソース・ドレイン領域の構造を改良した薄膜トランジスタに関するものである。[0002]【従来の技術】従来、この種の薄膜トランジスタとしては、例えば、図3に示すコプレーナ型と呼ばれるものと、図4に示す順スタガー型と呼ばれるものなどがある。101、ソース・ドレイン層102、102及びガラス基板100上を覆うゲート絶縁膜103と、このゲート絶縁膜103上にチャネル層101に対応した位置に設けられるゲート電極104と、このゲート電極104を覆う層間絶縁膜105と、この層間絶縁膜105の表面からソース・ドレイン層102、102に通電するための電極配線106、106とから構成されている。112,112を覆うようにガラス基板110上に積層され活性層を構成するポリシリコン層113と、このポリシリコン層113上に一様に積層されるゲート絶縁膜114と、このゲート絶縁膜114上に2つのソース・ドレイン領域112、112間に対応した位置に積層されるゲート電極115と、このゲート電極115の表面を覆う保護膜116とで構成されている。115.【0004】そして、これらの薄膜トランジスタは、ソース・ドレイン層102、102あるいはソース・ドレイン電極111、111間にドレイン電圧を印加し、かつゲート電極104あるいは115にゲート電圧を印加することで活性層であるチャネル層101あるいはポリシリコン層113にキャリア対が生成され、オン状態となってドレイン電流が流れる一方、ゲート電圧を下げるに従い上記キャリア対が生成されなくなってオフ状態として作用するもので、上述したような駆動回路等に組み込まれて利用されているものである。circuit.【0005】ところで、上記薄膜トランジスタにおいては、そのトランジスタ特性に注目すると、オン電流を増加させるとともにオフ電流を減少させて、オンオフ比を向上させるのが望ましい。このように、オン電流を増加させるとともにオフ電流を減少させて、オンオフ比を向上させるには、チャネル層を薄くすることが知られており、既に提案されてもいる(特開平2−151071号公報)。[0006]【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術の場合には、次のような問題点を有している。102、102も同様に薄くなり、Al等からなる電極配線106、106形成時のAlとSiの相互拡散のためにコンタクト抵抗が増大してしまうという問題点があった。like.【0007】また、このコプレーナ型の薄膜トランジスタの場合には、ゲート逆バイアス時のゲート・ドレイン間の高電界によるリーク電流の増加は避けられないという問題点もあった。