本課題では、(DMe-DCNQI)_2Mのナノ/マイクロサイズ単結晶をSiO_2/Si^<++>基板上で電極から直接成長させ、その基礎物性とデバイス特性を測定する。Cu)18年度には基板上に成長した幅100nm,長さ40μmの(DMe-DCNQI-d7)_2Cu単結晶に対して、レーザー加工機を用いて4端子を配置し、その抵抗測定を行った。fly"http://www.riken.jp/lab-www/molecule/topics/20090921Yamamoto-press.pdf。