[0001]【産業上の利用分野】本発明は、直流電源を有し、該直流電源は、排気可能なコーティングチャンバー内に配置され1つのマグネットを有するカソードと接続され、該カソードは前記ターゲットと電気的に共働し、かつスパッタリングされ、該カソードからスパッタリングされた粒子は基板にデポジットされ、この場合スパッタリングチャンバーから電気的に分離されたアノードが配置されている装置を用いて、反応性雰囲気(例えば酸化性雰囲気)中で導電性ターゲットから例えば非導電膜を基板にコーティングするための方法に関する。substrate.【0002】また本発明は、反応性雰囲気(例えば酸化性雰囲気)中で導電性ターゲットから例えば非導電膜を基板にコーティングするための装置であって、直流電源が設けられており、該直流電源は、排気可能なコーティングチャンバー内に配置され1つのマグネットを有するカソードと接続されており、該カソードは前記ターゲットと電気的に共働し、かつスパッタリングされるものであり、該カソードからスパッタリングされた粒子は基板にデポジットされ、スパッタリングチャンバーから電気的に分離されたアノードが配置されている、装置に関する。(P4136655.7号明細書及びこれに補足のP4042289.5号明細書)に記載されている。この装置では、排気チャンバから分離され、かつマグネトロンカソードとして構成され、さらに電気的に相互に分離された2つの部分からなるカソードが設けられている。このカソードでは、ヨーク及びマグネットを有するターゲット本体が一方の部分として(キャパシタンスを介して)直流電圧供給部の負極に接続されている。このターゲットは他方の部分としてチョークと該チョークに並列に設けられた抵抗を介して線路によって電力供給部に接続されている。この場合該ターゲットは別のキャパシタンスを介して電力供給部の正極とアノードに接続されている。このアノードは該アノード側で(抵抗を介して)アースされている。grounded.この場合非誘導的なキャパシタンスに対して直列に、インダクタンスが抵抗及びチョークに対する分岐線路に接続されている。2KΩ~10KΩである。0KΩ.【0004】この先行装置は既に次のように構成されている。コーティング過程の間に生じる大多数のアークが抑圧され、かつアークのエネルギーが低減され、さらにアークの後のプラズマの再点弧が改善されるように構成されている。2等の重い材料のスパッタリングの際にも高いコーティング効率を可能にするための、プラズマ装置内のアークを消滅させる回路装置が既に開示されている。この装置ではプラズマ領域の電圧の瞬時値が、所定の期間に亘って検出された平均プラズマ電圧に相応する電圧値と比較される。その際プラズマ電圧の瞬時値の間の差が所定の値を上回ると、プラズマ領域は電圧源から分離される。source.【0006】金属酸化物ないし金属窒化物の反応性スパッタリングでは、多かれ少なかれ良好に絶縁された層がターゲット表面に生じることは不可避である。そのような、ターゲット上の絶縁層にはプラズマ接点が生じるため電気的な充電が生じる。この薄い層の中の電界の強さは大きいために電気的な絶縁破壊が生じ得る。このようにしてアークは発生するものである。その結果はターゲットの点状の破壊と、それに伴う基板上の層の欠陥となる。P4138794.5号に記載されているように)自然アークが、通常の直流スパッタリングの場合よりもはるかに少ない頻度でしか生じないことがわかっている。公知方法での特徴は、カソードが中間周波のクロックで周期的に再充電されることである。[0008]【発明が解決しようとする課題】従来の中間周波スパッタリング装置での経験に基づいて本発明が基礎とする課題は、請求項1及び2の上位概念による方法及び装置を次のように改善することである。非常に大きな基板のコーティングの際にも、スパッタリング被着された膜に対してさらなる品質の向上ないし欠陥の解消が望めるように当該方法及び装置を改善することである。このためにはアークの最大限の抑圧が必要となる。[0009]【課題を解決するための手段】上記課題は本発明により、直流電源に接続されている直流マグネトロンカソードを、適合する付加的回路を用いて周期的に短時間正電位に転極し、さらに当該周期的な転極の頻度を、デポジットすべき膜に依存して調節するようにして解決される。actionつの半導体素子(有利には4つのサイリスタ)から形成されるブリッジ回路を介して行われる。その際サイリスタの制御電極が対毎に、一対の制御増幅器を介してパルス整形器と接続され、さらにこのパルス整形器を介してフリップフロップ−素子と接続される。OR−ゲート)を介してアーク検出器のみならずパルス発生器にも作用結合する。直流電源は有利にはその一方の極が測定ブリッジの第1ブリッジ分岐に接続される。secondブリッジ分岐はアノードに接続される。anode.【0011】本発明の有利な実施例は従属請求項に記載される。[0012]【実施例】次に本発明の有利な実施例を図面に基づき詳細に説明する。device,正に充電されたコンデンサを、サイリスタ−ブリッジ回路を介して直流−マグネトロンの放電区間に並列に接続することによって達成され得る。path.【0014】図1には排気チャンバ20内に配置されたマグネトロンカソード19が非常に簡略的に示されている。このマグネトロンカソードは直流電源21に接続されている。排気チャンバ20と電源21との間には4つのスイッチ23a,23b,23c,23dを用いたブリッジ回路22が示されている。shown.【0015】例えばスイッチ23a,23bが閉じられたならば、図2に示されている状況(図1に対する補足回路図)が動的に生じる。これまでの装置ではカソード19の自己インダクタンスLを介して放電電流が流されていたので誘導電圧U1が生じていた。U1は、コンデンサ24の電圧U2の方向とは逆である。reversed.電圧U1は電圧U2よりも大きい。最初の瞬間での自己インダクタンスが、まさに事前に流れていた電流を維持することのできるような電圧を供給するからである。この時点で既にカソード(スパッタリングマグネトロン)19における放電は消滅している。いまやコンデンサ24の別の放電と、逆の充電が直流電源21によって優勢となる。この形式ではコンデンサ24が完全に負に充電される。同時にカソード19における電圧が同じ負の値を達成する。スパッタリング過程はそれに従って継続される。逆に充電されたコンデンサ24は、次の転極サイクルのために準備が整っている。今度はスイッチ23c,23dの遮断によって過程が開始される。correspondingdを明確に操作することにより(図4参照)達成される。achieved.【0017】しかしながら当該転極過程はいわゆる“自然アーク”によってもトリガされ得る。P4127504.7号に詳細に記載されているように)ブリッジ回路22のトリガ機能を受け継ぐ。その際アーク検出器とパルス発生器は(論理的に)並列に接続される。(logically).【0018】図3に示されている、カソード19における電圧/時間経過曲線図では、周期的な転極が曲線Pの形でグラフィックに表され、さらに自然発生したアークが破線で示されている曲線Qでグラフィックに表わされている。この場合Uもカソード電圧を表す。152と、排気チャンバ16内に設けられたカソード−アノード装置17,18とが示されている。22は、4つのサイリスタ11,12,13,14とコンデンサ15とから構成されている。それにより、図1において単に基本的に示された回路に対する具体的な実施例が示される。パルス発生器4は、約5μsの持続時間と、1Hzからほぼ1kHzまでの繰返し周波数を有するパルスを発生する。kHz.【0021】さらに詳細にはカソード17の一部がターゲット25であり、アノードには基板26が設けられており、電力供給部21はブリッジ回路22に接続されている(基板26は、浮動配置させることも、すなわち部材17と18との間に配置することもできる)。18).【0022】図4に概略的に示されているアーク−検出器3は、プラズマ領域の電圧の瞬時値と、所定の期間に亘って検出された平均プラズマ電圧に相応する電圧とを比較する回路装置である。ここでは瞬時値と、プラズマ電圧と、平均プラズマ電圧との間の差が所定の値を上回った場合にはプラズマ領域が電源から分離される。[0023]【発明の効果】本発明によればアークの発生が可及的に抑圧されるため、非常に大きな基板のコーティングの際にも、スパッタリングされた膜における品質の向上及び欠陥の解消が良好に達成される。DRAWINGS【図1】従来形式による装置の簡略化された電気的な回路図が示されている。shown.【図2】図1による回路の補足図である。1;【図3】カソード電圧の周期的な転極を時間軸に亘って表したダイヤグラムである。axis.【図4】本発明による装置のブロック回路図である。当該直流電源(21)に接続されている直流マグネトロンカソード(17ないし19)を、適合する付加的回路(22ないし3〜15)を用いて周期的に短時間正電位に転極し、さらに当該周期的な転極の頻度を、デポジットすべき膜に依存して調節することを特徴とする、例えば非導電膜を基板にコーティングするための方法。(22ないし3〜15)を用いて周期的に短時間正電位に転極され、さらに当該周期的な転極の頻度は、デポジットすべき膜に依存して調節され得るように構成されていることを特徴とする、例えば非導電膜を基板にコーティングするための装置。10,10a)を介してパルス整形器(7,8)に接続され、さらに該パルス整形器(7,8)を介してフリップーフロップ−素子(6)に接続されており、該フリップーフロップ−素子(6)は論理回路(2進結合回路、ORゲート)(5)を介してアーク検出器(3)及びパルス発生器(4)と作用結合される、請求項2記載の装置。(17)に接続され、前記第2のブリッジ分岐はアノード(18)に接続される、請求項2又は3記載の装置。