マーケットニュース2018年8月22日、ミュンヘン(ドイツ)高電力密度の低消費電力スイッチング電源(SMPS)設計に必要となる高耐圧MOSFETのニーズは増加の一途をたどっています。P7スーパージャンクション型MOSFETを投入しました。SMPS向けなど、最も厳しい設計要件にも対応しています。この新しい半導体ソリューションは優れた熱性能と効率性能を提供するとともに、部品コスト(BOM)および生産コスト全体の低減を可能にします。GS(th)公差を特長とするため、容易に駆動でき、設計への組み込むことができます。インフィニオンの業界先進のP7ファミリーの他の製品と同様、この部品はツェナーダイオードによるESD保護回路を内蔵しています。この保護回路により組立歩留の向上、製造コストの低減、ESDに関連する生産上の問題の低減が可能です。P7の使用により、最大1%の効率向上とMOSFET温度の2~10°C低下が可能となり、よりエネルギー効率の高い設計を実現できます。この部品はまた、CoolMOSファミリーの先行世代と比較してスイッチング損失を最大58%抑えます。市販製品の競合技術と比較し、50%以上の改善が見込めます。DPAK、SOT-223パッケージ品が揃っているため、THD(リード挿入実装)からSMD(表面実装)デバイスへの切り換えが可能です。P7はすでに出荷を開始しています。www.infineon.com/950v-p7をご参照ください。