品番は3文字以上指定して下さい。referenceクロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。情報は予告なく変更されることがあります。検索オンラインディストリビューター在庫検索オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。3文字以上指定して下さい。使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。下記より必要な情報をお探しください。当社は、電力効率とEMI注1ノイズを高精度かつ高速に予測できるIGBT注2・IEGT注3向け回路モデル技術を開発しました。本技術により、従来技術と比較して、電力効率の予測値の誤差率は20分の1以下に改善し、シミュレーションの実行時間は30分1以下に短縮できます注4。ISPSD2019」にて発表しました。IGBTやIEGTなどの高耐圧なパワーデバイスは、近年、自動車の電動化や環境対応車の普及、再生可能エネルギーによる発電量の増加などを背景に、市場の拡大が見込まれています。これらの高耐圧パワーデバイスは、電子とホール両方の動きを考慮する必要があり、複雑な素子の構造をしているため、開発の効率化に求められる高精度な回路モデルが確立されていませんでした。具体的には、ターンオン特性で実測値とシミュレーションの値にかい離があり、予測されていなかったEMIノイズが発生して機器に不具合が生じることがありました。逆にEMIノイズを吸収しようとすると、抵抗が必要になり、機器の電力効率が落ちてしまいます。そこで当社は、長年培ってきた回路モデル技術と、パワーデバイスに関する知見を活用し、新たな回路モデルを開発しました。今回開発した回路モデルには二つの特長があります。第一に、理想ダイオード注5とRC回路を組み合わせたサブ回路を並列に二つ追加した点です。従来は、電子とホールのどちらか一方の動きのみを計算するモデルでしたが、今回は並列のサブ回路構造を採用することで、電子とホールの動きを模式的に表現できるようになり、バイポーラ素子特有の複雑なスイッチング特性のより高精度な予測を実現しました。第二に、スイッチング動作中の容量の経時変化に対応する機能を備えた点です。従来の回路モデル内には、素子にかかる電圧に対して一定の値で動作する容量モデルが使用されていましたが、今回は素子にかかる電圧の変化に対応して容量値が非線形的に変化していく容量モデルを組み込んでいるため、スイッチング時に発生するEMIノイズをより現実に近い状況で予測できます。これらの特長を備えた回路モデルにより、これまで素子の挙動を正確に表現することが難しいとされてきたIGBTやIEGTにおいても、高精度な回路シミュレーションが実行可能です。今回の技術は、モデル構成が最適化されているため、従来技術と比較してシミュレーション時間を30分の1以下に短縮できます注4。当社は、今回開発した技術のさらなる精緻化を進め、早期の実用化を目指します。今後も、回路モデル技術の開発を促進し、機器のより効率的でスムーズな開発の実現に貢献します。Interferenceの略。外部の電磁波や電場、磁場の影響を受け、電子回路が誤作動すること。Transistorの略。MOSFETをベース部に組み込んだバイポーラトランジスタのこと。Transistorの略。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイス。IGBTを高耐圧化すると急激にオン電圧が増大する問題を、エミッタ側の素子構造を工夫することによって克服している。電流源とRCを組み合わせて表現した一般的な下記の回路モデルとの比較。2019年5月時点、当社調べ。理想ダイオード:順方向電圧が0V、オン抵抗が0Ω、オフ抵抗が無限のダイオードのこと。サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。Reserved.トップへ。